公开(公告)号：KR1019970073328A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960017990

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/308

Abstract: 본 발명은 일반 실리콘 기판 위에 소자를 제조하고 소자 영역이 아닌 부분은 전기 화학적 방법으로 식각해내는 공정을 통해 SOI형 소자와 유사한 구조를 갖도록 하여, 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자의 장점을 가지는 SOI형 반도체 소자 및 이를 화소 스위칭 소자로 이용하는 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 SOI형 반도체 소자의 제조방법은, SOI 기판에 비해 저가인 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자와 같이 소자간의 전기적 절연 특성이 우수하고 누설 전류가 작으며 기생 용량이 작은 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명에 의한 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 구동회로 및 부가회로의 일체 집적이 용이하고 현재의 반도체 집적기술을 그대로 이용할 수 있게 되므로, 소자의 크기를 다결정 실리콘을 사용할 때에 비해 더욱 줄여 고해상도와 고집적도를 얻을 수 있으며, 낮은 구동 전압이 가능해 전력소모를 줄일 수 있는 장점이 있음을 물론, 식각된 구멍이 기판 앞면의 미세 구조와 자동으로 정열되게 하므로서 매우 정교하게 구멍의 크기와 위치를 결정하게 되며, 기판 위의 이미 형성된 구조물에 화학적, 기계적 피해를 주지 않게 된다.

公开(公告)号：KR100228720B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960017989

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 실리콘기판 앞면에 멤브레인 패턴을 형성하고 멤브레인 패턴을 통해 실리콘기판에 전류나 전압을 가하여 실리콘 기판 뒷면에서부터 전기화학적 식각이 일어나도록 하여, 실리콘 전체를 식각하면서 n-형 및 p-형 멤브레인이 형성되는 공정을 포함하는 실리콘 멤브레인의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 제조되는 실리콘 멤브레인은 다음과 같은 효과가 있다: 첫째, 실리콘 멤브레인 패턴을 기판의 앞면에 형성하므로 종래의 비등방성 식각방법과는 달리, 값이 싼 단면연마된 실리콘기판을 사용할 수 있다. 둘째, n-형 및 p-형 실리콘 멤브레인을 동시에 형성할 수 있으며, 따라서 NMOSFET과 PMOSFET을 동시에 형성할 수 있다. 셋째, 실리콘멤브레인 제조 시간이 매우 단축되므로 생산성이 증대된다. 넷째, 제조된 실리콘 멤브레인은 SOI형 소자에 응용이 적합하다.

公开(公告)号：KR100228719B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960017990

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/977

Abstract: 본 발명은 일반 실리콘 기판 위에 소자를 제조하고 소자 영역이 아닌 부분은 전기 화학적 방법으로 식각해 내는 공정을 통해 SOI형 소자와 유사한 구조를 갖도록 하여, 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자의 장점을 가지는 SOI형 반도체 소자 및 이를 화소 스위칭 소자로 이용하는 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 SOI형 반도체 소자의 제조방법은, SOI 기판에 비해 저가인 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자와 같이 소자간의 전기적 절연 특성이 우수하고 누설 전류가 작으며 기생 용량이 작은 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 의한 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 구동회로 및 부가회로의 일체 집적이 용이하고 현재의 반도체 집적기술을 그대로 이용할 수 있게 되므로, 소자의 크기를 다결정 실리콘을 사용할 때에 비해 더욱 줄여 고해상도와 고집적도를 얻을 수 있으며, 낮은 구동 전압이 가능해 전력소모를 줄일 수 있는 장점이 있음은 물론, 식각된 구멍이 기판 앞면의 미세 구조와 자동으로 정열되게 함으로써 매우 정교하게 구멍의 크기와 위치를 결정하게 되며, 기판 위의 이미 형성된 구조물에 화학적, 기계적 피해를 주지 않게 된다.

公开(公告)号：KR1019970077299A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960017989

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판 앞면에 멤브레인 패턴을 형성하고 멤브레인 패턴을 통해 실리콘 기판에 전류나 전압을 가하여 실리콘 기판 뒷면에서부터 전기화학적 식각이 일어나도록 하여, 실리콘 전체를 식각하면서 n-형 및 p-형 멤브레인이 형성되는 공정을 포함하는 실리콘 멤브레인의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에의해 제조되는 실리콘 멤브레인은 다음과 같은 효과가 있다 : 첫째, 실리콘 멤브레인 패턴을 기판의 앞면에 형성하므로 종래의 비등방성 식각방법과는 달리, 값이싼 단면연마된 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 둘째, n-형 및 p-형 실리콘 멤브레인을 동시에 형성할 수 있으며, 따라서 NMOSFET 와 PMOSFET을 동시에 형성 할 수 있다. 셋째, 실리콘 멤브레인 제조 시간이 매우 단축되므로 생산성이 증대된다. 넷째, 제조된 실리콘 멤브레인은 SOI형 소자에 응용이 적합하다.