Abstract:
본 발명은 투명 전자소자용 투명 메모리에 관한 것으로서, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리이며, 이와 같은 본 발명에 의해 투명도가 대단히 높고 낮은 스위칭 전압에서도 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 가지며 또한 장기간이 경과한 후에도 저항 변화 메모리의 스위칭 특성을 유지할 수 있는 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 실시예에 따른 집적형 박막 태양전지의 제조 장치는 진공 상태에서 복수의 단위 셀들이 전기적으로 직렬연결되는 집적형 박막 태양전지의 제조 장치로서, 기판에 형성된 복수의 트렌치들 각각의 내부의 일기선으로부터 상기 각각의 트렌치의 바닥면과 상기 바닥면에 이어진 일측면 및 상기 일측면에 이어진 상기 기판의 돌출면 영역상에 제1 도전층이 형성된 상기 기판상에 광전변환 물질을 방출하여 광전변환부를 형성하는 광전변환부 형성 공정챔버; 및 상기 트렌치들 각각의 내부의 또 다른 일기선으로부터 상기 각각의 트렌치의 바닥면과 상기 바닥면에 이어진 타측면 및 상기 타측면에 이어진 상기 기판의 돌출면 영역상에 제2 도전층을 형성하는 제2 도전층 형성 공정챔버를 포함하고, 상기 광전변환부 형성 공정챔버 및 상기 제2 도전층 형성 공정챔버는 진공 상태에서 상기 각각의 공정을 수행할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 집적형 박막 태양전지의 제조 방법은 소정간격 이격된 트렌치들과, 상기 인접한 트렌치들 사이에 위치한 홈이 형성된 기판을 준비하는 단계, 상기 트렌치들 각각의 밑면 일부 및 일측면에 제1 도전성 물질을 일측으로부터 비스듬히 증착하여 제1 전극층을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 제1 전극층 상에 태양전지층을 형성하는 단계, 상기 태양전지층상에 제2 도전성물질을 상기 일측의 맞은 편 타측으로부터 비스듬히 증착하여 제2 전극층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극층이 노출되도록 상기 트렌치들에 형성된 태양전지층을 식각하고, 상기 홈들에 형성된 태양전지층을 식각하는 단계 및 상기 노출된 제1 전극층과 상기 제2 전극층이 전기적으로 연결되도록 제3 도전성 물질을 상기 제2 전극층 상에 비스듬히 증착하여 도전층을 형성하는 단계를 포함한다. 트렌치, 집적화, 박막 태양전지, 투명전극, 증착
Abstract:
광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용하는 산화아연의 형성 방법 및 산화아연의 도핑 방법이 제공된다. 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치는 반응실, 하부에 기판이 부착되는 기판 접시, 반응 가스들이 유입되는 반응 가스 노즐 및 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시키는 석영창을 포함한다. 산화아연의 형성 방법은 (a) 수소 가스를 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 후에 버블링된 원료 물질과 함께 반응 가스 노즐을 통해서 반응실의 내부로 유입시키는 단계 및 (b) 석영창을 통하여 부착된 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시켜 기판의 표면에 수소 도핑된 산화아연을 증착시키는 단계를 포함한다. 산화아연의 도핑 방법은 (a) 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 수소 가스와 도핑 물질을 반응 가스 노즐을 통해서 반응실의 내부로 유입시키는 단계 및 (b) 석영창을 통하여 산화아연이 형성된 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시켜 기판에 형성된 산화아연을 도핑시키는 단계를 포함한다. 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착, 수은 증감 광분해, 투명 전극
Abstract:
PURPOSE: A flat display device using a metal thin film rotator is provided to increase the light efficiency by blocking or passing light by the rotation motion of a thin film rotator but not using any polarization plate or orientation film. CONSTITUTION: A flat display device using a metal thin film rotator includes horizontal electrodes(42) for keeping or driving the metal thin film rotator(44) in the closed horizontal state, vertical electrodes(54,34) for keeping or driving the metal thin film rotator in the opened vertical state, and rotator electrodes for applying a voltage to the metal thin film rotator, and the horizontal and vertical electrodes, wherein the horizontal or vertical state of the metal thin film rotator is kept by the electrostatic force due to the voltage applied between the horizontal or the vertical electrodes and the rotator electrodes, so that the incident light from a light source to light paths formed by a pair of upper and lower partition walls(52,32) and inserted by the metal thin film rotator is completely shielded or transmitted in the pixel arrangement.
Abstract:
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 활성층을 챔버 내에서 형성하며, 미리 혼합된 수소 가스와 실리콘 포함 원료 가스가 상기 챔버 내로 유입되며, 상기 혼합된 수소 가스와 실리콘 포함 원료 가스의 수소 희석비는 주기적으로 증감하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: An integrated thin film photoelectromotive device and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by reducing the reactive area of a unit cell. CONSTITUTION: Trenches are formed on a substrate(200). A first extrinsic polycrystalline semiconductor material layer(210) is continuously formed on one side of the trench and a substrate which is adjacent to the trench. A second extrinsic polycrystalline semiconductor material layer(230) is entirely overlapped in a space between the trenches and is partially overlapped with the inside of the trenches.
Abstract:
PURPOSE: A photovoltaic device and a manufacturing method thereof are provided to supply output voltage which vary in size by easily setting the number of unit cells formed on a substrate. CONSTITUTION: A trench(301,303,305) and a groove(302,304) are formed on a substrate(300). A first electrode layer(310) and a secondary electrode layer(320) are formed between the trenches. A photoelectric conversion layer(330) is formed on the first electrode layer or the secondary electrode layer. A second electrode layer(340) is formed by diagonally depositing a second conductive material on the photoelectric conversion layer. A conductive layer(350) is formed by depositing a third conductive material on the second electrode layer.