公开(公告)号：KR1020080067276A

公开(公告)日：2008-07-18

申请号：KR1020070096674

申请日：2007-09-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  임형순 ,  구본상

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  H01L29/4908

Abstract: A dielectric-modulated field effect transistor and a method for fabricating the same are provided to detect improved bio materials by increasing a degree of sensitivity to a change of electrical changes. A source(130) and a drain(140) are formed separately from each other on a substrate(110). A dielectric layer(150) including bio molecules is formed on a region between the source and the drain on the substrate. A gate is formed on the dielectric layer. The gate is composed of metal or polysilicon. In a method for fabricating a dielectric-modulated field effect transistor, a sacrificial layer is formed on the substrate. A gate layer(120) is formed on the sacrificial layer. The sacrificial layer is removed. A dielectric layer including bio particles is formed on the removed part of the sacrificial layer.

Abstract translation: 提供介质调制场效应晶体管及其制造方法，通过增加对电变化的变化的灵敏度来检测改进的生物材料。 源极（130）和漏极（140）在衬底（110）上彼此分开地形成。 在衬底上的源极和漏极之间的区域上形成包括生物分子的电介质层（150）。 在电介质层上形成栅极。 门由金属或多晶硅组成。 在制造介质调制场效应晶体管的方法中，在衬底上形成牺牲层。 在牺牲层上形成栅极层（120）。 牺牲层被去除。 在牺牲层的去除部分上形成包括生物颗粒的电介质层。

公开(公告)号：KR100902517B1

公开(公告)日：2009-06-15

申请号：KR1020070096674

申请日：2007-09-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  임형순 ,  구본상

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  H01L29/4908

Abstract: 본 발명은 전계효과 트랜지스터에 관련된 것으로서, 보다 구체적으로는 유전율-변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유전율-변화 전계효과 트랜지스터는 소스와 드레인이 이격되어 형성된 기판, 기판중에서 상기 소스와 드레인 사이의 영역의 상부에 상기 기판과 적어도 일부가 이격되어 형성된 게이트, 상기 게이트중에서 상기 기판과 이격된 영역의 하부에 형성된 바이오 분자, 및 상기 바이오 분자를 상기 게이트에 결합시키는 링커를 포함한다.
나노갭, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터, 바이오 분자, 바이오 센서