-
公开(公告)号：KR102223265B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190059884A
申请日：2019-05-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L29/772
CPC classification number: H01L45/04 , G06N3/063 , H01L29/36 , H01L29/42392 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 단일 트랜지스터의 부유 바디층에 전하를 저장 및 방출하여 뉴런의 스파이크 동작을 구현하는 단일 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 기판 상에 형성되는 정공 배리어 물질층, 상기 정공 배리어 물질층 상에 형성되며, 전하를 저장하는 부유 바디층(floating body), 상기 부유 바디층의 양측에 형성된 소스 및 드레인, 상기 부유 바디층 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트를 포함한다.
-
公开(公告)号：WO2017217620A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/KR2016/014134
申请日：2016-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/324 , H01L29/423 , H01L21/66
Abstract: 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터의 손상복구 시스템은 기판, 기판 상에 형성된 소스 및 드레인, 소스 및 드레인 사이에 형성된 채널, 채널에 형성된 절연막 및 절연막 상에 형성된 2개의 게이트 전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터 및 2개의 게이트 전극에 소정 범위의 전압을 인가해 줄열(joule heat)을 발생시킴으로써 절연막의 손상을 복구시키는 컨트롤러를 포함한다. 이에 의하여, 방사선에 의한 손상을 스스로 복구할 수 있기 때문에, 방사선 환경에서 동작하는 트랜지스터의 수명을 획기적으로 연장할 뿐만 아니라, 오작동을 감소시키고, 동작시간을 연장시킬 수 있게 된다. 이는 위성산업, 우주산업, 국방산업 등에 소요되는 경제비용의 감축으로 이어질 수 있다.
Abstract translation:
2个栅极上的绝缘膜和形成在通道上的绝缘膜被形成根据本发明的场效应晶体管的这个灾难恢复系统，在基板上形成该基板，源极和一漏极，一源极和漏极之间限定的通道 焦耳热通过对场效应晶体管，并包括通过生成（焦耳热）以及控制器，其修复绝缘膜的损伤的电极上的第二栅电极施加预定范围的电压。 以这种方式，有可能自修复由辐射引起的损伤，以及对显著延伸在辐射环境中操作的晶体管的寿命，并且减少误动作，能够延长运行时间。 这可以降低卫星，太空和国防工业的经济成本。
-
公开(公告)号：WO2022181999A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/KR2022/001065
申请日：2022-01-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/788 , G06N3/063 , H01L29/423
Abstract: 우수한 선형성 특성을 갖는 뉴로모픽 시냅스 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 뉴로모픽 시냅스 소자는, 기판 상에 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 절연막 영역; 상기 게이트 절연막 영역 상에 형성되는 플로팅 게이트 영역; 상기 플로팅 게이트 영역 상에 형성되는 전하 전달층 영역; 및 상기 전하 전달층 영역 상에 형성된 채, 기준 전위 이상 값의 전위가 인가됨에 응답하여 상기 플로팅 게이트 영역과의 전위차를 생성하고, 상기 전위차를 이용하여 상기 플로팅 게이트 영역에 저장된 적어도 하나의 전하를 방출시키거나 상기 적어도 하나의 전하를 반입시켜 가중치 갱신 동작을 구현하는 컨트롤 게이트 영역을 포함한다.
-
公开(公告)号：WO2016060337A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/KR2015/001129
申请日：2015-02-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 반도체 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor) 제조 기술에 관한 것으로, 제1 에너지 밴드갭을 갖는 하부 반도체 층을 형성하되, 상기 하부 반도체 층을 p-타입(type)으로 도핑하는 과정과, 상기 하부 반도체 층 상부에 상기 제1 에너지 밴드갭보다 작은 값의 제2 에너지 밴드갭을 갖는 중간 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 중간 반도체 층 상부에 상기 제1 에너지 밴드갭을 갖는 상부 반도체 층을 형성하는 과정을 포함한다. 이로 인해, 본 발명에서는 기존 이동도가 큰 전자 우물 채널의 장점을 유지하면서 임계 전압을 0V 이상으로 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体场效应晶体管制造技术，包括以下步骤：形成具有第一能带隙的下半导体层，其中下半导体层掺杂为p型; 在所述下半导体层的上部形成具有比所述第一能带隙的值小的第二能带隙的中间半导体层; 并且在中间半导体层的上部形成具有第一能带隙的上半导体层。 因此，本发明可以将阈值电压提高0V以上，同时保持具有高移动性的常规电子阱通道的优点。
-
公开(公告)号：WO2018174377A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：PCT/KR2017/014455
申请日：2017-12-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L51/00 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L51/0048
Abstract: 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 초 저전력 전열처리를 통한 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법이 제공된다. 상기 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법은, (a) 게이트 전극을 턴오프(turn off) 시키는 단계, (b) 소스 전극과 드레인 전극 사이에 전류를 인가하여 터널링 전계효과 트랜지스터에 전열처리를 수행하는 단계, 및 (c) 소스 전극과 드레인 전극에 주입된 이온을 활성화 시키는 단계를 포함한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014092224A1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：PCT/KR2012/010972
申请日：2012-12-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/1023 , H01L27/10802 , H01L29/8615
Abstract: 본 발명의 실시 예는 비대칭 2-단자 바이리스터 소자와 그 제작 방법에 관한 것이다. 실시 예에 따른 비대칭 2-단자 바이리스터 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1반도체 층; 상기 제1반도체 층 상에 형성된 제2반도체 층; 상기 제2반도체 층 상에 형성된 제3반도체 층; 상기 제1반도체 층과 전기적으로 연결된 제1전도층; 및 상기 제3반도체 층과 전기적으로 연결된 제2전도층;을 포함하고, 상기 제2반도체 층은 제1불순물 영역과 제2불순물 영역을 갖고, 상기 제1불순물 영역의 농도는 상기 제2불순물 영역의 농도보다 크다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种不对称的2端子半导体元件及其制造方法。 根据实施例的非对称2端子半导体元件包括：基板; 形成在所述基板上的第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上的第二半导体层; 形成在所述第二半导体层上的第三半导体层; 电连接到第一半导体层的第一导电层; 和与第三半导体层电连接的第二导电层，其中第二半导体层具有第一杂质区和第二杂质区，第一杂质区的浓度大于第二杂质区的浓度。
-
公开(公告)号：WO2020040510A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/KR2019/010523
申请日：2019-08-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L21/3205 , H01L29/861 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 폴리 실리콘 이미터 층이 삽입된 2-단자 바이리스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 2-단자 바이리스터 제조 방법은 기판 상에 제1 타입의 제1 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체 층 상부에 제2 타입의 제2 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 층 상부에 제1 타입의 제3 반도체 층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 반도체 층 상부에 제1 타입의 폴리 실리콘 층을 형성하는 단계를 포함한다.
-
公开(公告)号：WO2016048026A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/KR2015/010006
申请日：2015-09-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N1/04
CPC classification number: H02N1/04
Abstract: 코팅 대전층을 포함하는 접촉 대전 발전기(triboelectric energy harvester)의 생성 방법은 전극 위에 마이크로-나노 형상의 표면을 갖는 대전 물질을 생성하는 단계; 및 상기 대전 물질의 표면 위에 상기 마이크로-나노 형상을 유지하도록 코팅 대전층을 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 一种制备包括带电层的摩擦电能收获器的方法包括以下步骤：在电极上制备具有微纳米构型表面的带电材料; 并且形成涂覆带电层以将微纳米构型保持在带电材料的表面上。
-
公开(公告)号：WO2013051790A2
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/KR2012/007158
申请日：2012-09-06
IPC: G01N27/414 , H01L29/78
CPC classification number: G01N27/4143 , G01N27/4145
Abstract: 본 발명의 바이오 센서는 기판; 상기 기판 상에 채널을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 절연막을 통해 상기 채널과 절연된 부유 게이트와 제어 게이트; 및 상기 부유 게이트상에 형성된 바이오 물질층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 전계효과 트랜지스터의 부유 게이트에 바이오 물질층을 부착함으로써 구조적으로 안정적인 바이오 센서를 제공할 수 있다. 본 발명에 따르면, 전계효과 트랜지스터의 채널이 직접적으로 바이오 물질이 포함된 완충용액에 노출되는 것을 방지할 수 있어, 바이오 센서의 특성 변화 및 이에 따른 측정값의 산포 및 오판률을 감소시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用场效应晶体管的生物传感器。 生物传感器包括：基底; 源极和漏极，其设置在衬底上并且彼此间隔开并具有沟道; 浮动栅极和控制栅极，其通过绝缘层与沟道绝缘; 以及形成在浮动栅极上的生物材料层。 根据本发明，生物材料层可以附着到场效应晶体管的浮置栅极，以提供结构稳定的生物传感器。 根据本发明，由于防止了场效应晶体管的沟道直接暴露于与生物材料接触的缓冲溶液，所以生物传感器的特性的变化以及测量值的分散以及由于特性引起的误判率 可以降低生物传感器的变化。
-
公开(公告)号：WO2022131787A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/KR2021/019067
申请日：2021-12-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/10 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/0368 , H01L31/0376
Abstract: 빛에 반응하는 뉴런 소자를 구현하는 트랜지스터가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 트랜지스터는, 정공 배리어 영역 또는 전자 배리어 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 정공 배리어 영역 또는 상기 전자 배리어 영역 상에 수평 방향으로 연장 형성되는 부유 바디층(Floating body); 상기 부유 바디층의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 부유 바디층 상에 형성되는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 영역을 포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
251
records
(took 0.021 seconds)
