公开(公告)号：KR1019970015572A

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR1019950030063

申请日：1995-09-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  정민호 ,  장경호

IPC: C07D207/26

Abstract: 본 발명은 비닐락탐의 3위치에 여러 종류의 보호기를 도입한 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규한 N-비닐락탐 유도체, 그의 중합체 및 이들 중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 초미세가공(microlithography)에서 원자외선 노광에 적합한 고감도, 고해상성의 화상을 형성할 수 있는 포토레지스트 재료로 사용될 수 있다. 또한 본 발명에 의해 제조된 포토레지스트는 초미세회로의 형성이 가능할 뿐만 아니라, 패턴형성의 공정도 획기적으로 개선할 수 있다.

상기 식에거, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 -OR′, -SO
3 R′, -CO
2 R′, -PO
3 R′, -SO
2 R′ 또는 -PO
2 R′(R′는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기; 시클로알킬기; N, O, P, S의 헤테로원자를 포함한 시클로기; 또는, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이며; R
3 는 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기, 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기 또는 R
2 와 동일한 기이고; R
4 및 R
5 는 -OH, -OR(R은 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기) 또는 R
1 과 동일한 기이며, 및, m은 0 내지 10의 정수이다.

公开(公告)号：KR100178475B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950030063

申请日：1995-09-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  정민호 ,  장경호

IPC: C07D207/26

CPC classification number: C07D207/273 ,  C07D207/277 ,  C07D223/10 ,  C07D405/12 ,  C08F26/06 ,  C08F26/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0387 ,  G03F7/039

Abstract: 본 발명은 비닐락탐의 3위치에 여러종류의 보호기를 도입한 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규한 N-비닐락탐 유도체, 그의 중합체 및 이들 중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 초미세가공(microlithography)에서 원자외선 노광에 적합한 고감도, 고해상성의 화상을 형성할 수 있는 포토레지스트 재료로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 의해 제조된 포토레지스트는 초미세회로의 형성이 가능할 뿐만 아니라, 패턴형성의 공정도 획기적으로 개선할 수 있다.
상기 식에서, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 -OR-, SO
3 R', -CO
2 R', -PO
3 R', SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기; 시클로알킬기; N, O, P, S의 헤테로 원자를 포함한 시클로기; 또는, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이며; R
3 은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기, 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기 또는 R
2 와 동일한 기이고; R
4 및 R
5 는 -OH, -OR(R은 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기) 또는 R
1 과 동일한 기이며; 및, m은 0 내지 10의 정수이다