公开(公告)号：KR1020170095054A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020160016559

申请日：2016-02-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  장성우 ,  전환진

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B3/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213

Abstract: 본발명은희생층이형성되어있는기판위에매크로프리패턴을형성하고, 메탈을증착하거나메탈을증착한다음매크로프리패턴을형성한후에, 이온식각공정을통해메탈을매크로프리패턴의측면에재증착시켜패턴을형성하고에칭을통해프리패턴의잔여층을제거한다음, 유연기판물질을도포및 경화시키고희생층을제거하여메탈투명전극을제조하는방법에관한것으로서, 이와같이제조된유연메탈투명전극은높은종횡비, 전도성및 투과도를확보하여고성능의투명전극의제작이가능하고, 또한높은해상도의선폭으로인해, 높은메쉬밀도구성이가능하여소자구현시전자의이동효율을향상시킬수 있고, 탁도(haze)와모아레현상과같은시인성문제, 기계적유연성, 표면거칠기및 기판과의접착성문제를해결할수 있다.

Abstract translation: 本发明沉积形成，其形成有牺牲层在基板上的自由宏观图案的金属材料，沉积金属或沉积金属在宏hanhue形成预图案，在自由宏观图案的侧离子蚀刻工艺 如通过蚀刻去除所述预图案的剩余层施加和固化，然后在柔性基板材料和用于制造金属透明电极去除牺牲层的方法，以这种方式形成的图案所产生的柔性金属透明电极是高纵横比 担保，电导率和磁导率，使生产的高性能的透明电极的，并且还由于该高分辨率的线宽度，并sikilsu高网格密度配置的，以提高电子的移动效率时，该设备的实现中，浊度（雾度）和莫尔 可以解决诸如显影，机械柔韧性，表面粗糙度和对基材的粘附性等可视性问题。

公开(公告)号：KR101730037B1

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020150128278

申请日：2015-09-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  장성우

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은매크로프리패턴이형성된기판에마스크물질을증착하거나기판에마스크물질을도포한다음매크로프리패턴을형성한후, 에칭을통하여마스크물질을매크로프리패턴의측면에재증착시키고, 매크로프리패턴을제거하여마스크물질패턴을형성시키는스템프몰드의제작방법에관한것으로, 고가의장비를이용하는기존의전자빔(electron-beam)을이용한스템프제작방식에비해공정비용이저렴하고생산효율성이높으며, 병렬식나노패턴을구현할수 있고, 대면적기판에도적용할수 있는 10 nm대초고해상도의스템프몰드를제작할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170030848A

公开(公告)日：2017-03-20

申请号：KR1020150128278

申请日：2015-09-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  장성우

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은매크로프리패턴이형성된기판에마스크물질을증착하거나기판에마스크물질을도포한다음매크로프리패턴을형성한후, 에칭을통하여마스크물질을매크로프리패턴의측면에재증착시키고, 매크로프리패턴을제거하여마스크물질패턴을형성시키는스템프몰드의제작방법에관한것으로, 고가의장비를이용하는기존의전자빔(electron-beam)을이용한스템프제작방식에비해공정비용이저렴하고생산효율성이높으며, 병렬식나노패턴을구현할수 있고, 대면적기판에도적용할수 있는 10 nm대초고해상도의스템프몰드를제작할수 있다.

Abstract translation: 本发明和宏观自由图案沉积材料沉积的掩模材料，或者通过蚀刻掩模材料的下面自由宏观图案的形成之后施加掩模材料到衬底所形成的衬底到自由宏观图案的侧面上，宏自由图案 本发明涉及一种用于通过从电子束中去除电子束来形成掩模材料图案的印模的制造方法， 有可能制造出高分辨率10nm的纳米图案和印模，这可应用于大面积基板。