公开(公告)号：KR101182386B1

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：KR1020100035496

申请日：2010-04-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최성민 ,  도창우 ,  장형식

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02

Abstract: 본 발명은 고분자와 정제수를 혼합하여 고분자가 물에 잘 섞이도록 강력 교반하여 고분자시스템을 만드는 단계와, 계면활성제로 코팅된 단일벽 탄소나노튜브(p-SWNT)와 고분자시스템을 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 초구조체의 제조방법이다.
본 발명의 고분자 시스템을 이용한 초구조체 제조방법은 무수히 많은 고분자의 종류 및 그들의 다양한 상변화 특징들을 고려해 볼 때, 그 이용가능성이 매우 클 것으로 기대된다.

公开(公告)号：KR1020110115903A

公开(公告)日：2011-10-24

申请号：KR1020100035496

申请日：2010-04-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최성민 ,  도창우 ,  장형식

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82B3/0009 ,  C01B32/158 ,  C01B32/18 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/24

Abstract: 본 발명은 고분자와 정제수를 혼합하여 고분자가 물에 잘 섞이도록 강력 교반하여 고분자시스템을 만드는 단계와, 계면활성제로 코팅된 단일벽 탄소나노튜브(p-SWNT)와 고분자시스템을 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 초구조체의 제조방법이다.
본 발명의 고분자 시스템을 이용한 초구조체 제조방법은 무수히 많은 고분자의 종류 및 그들의 다양한 상변화 특징들을 고려해 볼 때, 그 이용가능성이 매우 클 것으로 기대된다.