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公开(公告)号:WO2018062646A2
公开(公告)日:2018-04-05
申请号:PCT/KR2017/002203
申请日:2017-02-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 계층적 다공성 실리카에 내포된 금 나노입자 초격자를 포함하는 촉매 조성물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 계층적 다공성 실리카에 내포된 금 나노입자 초격자를 포함하는 촉매 조성물은 마이크로 기공 및 메조 기공을 초격자 내에 포함하고, 이 기공들이 채널화되어 금 나노입자의 표면에 반응물의 빠른 접근을 허용하며, 구조적으로 매우 안정하고 우수한 촉매 활성을 가져 실온에서 100% CO 전환률을 나타내는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含包封在层状多孔二氧化硅中的金纳米颗粒超晶格的催化剂组合物及其制备方法。 根据本发明的催化剂组合物,其包括嵌套在分级多孔二氧化硅金纳米颗粒的超晶格包括在所述第二晶格微孔和中孔,所述孔具有金纳米颗粒的表面反应物的快速访问信道被 并且在结构上非常稳定并且具有优异的催化活性,在室温下显示100%的CO转化率。 P>
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公开(公告)号:WO2022114402A1
公开(公告)日:2022-06-02
申请号:PCT/KR2021/003346
申请日:2021-03-18
Abstract: 본 개시에 따르면, 포켈스 셀을 이용하여 전압을 측정하는 장치는 인가되는 전계에 기반하여 입사되는 광의 굴절률을 변화시키는 포켈스 셀과, 입력되는 빔을 분기하는 적어도 하나의 비편광 빔 분배부와, 상기 적어도 하나의 비편광 빔 분배부로부터 분기되는 제1 빔을 편광하는 제1 편광판과, 상기 제1 편광판에 기반하여 편광된 광을 검출하는 제1 광 검출부와, 상기 적어도 하나의 비편광 빔 분배부로부터 분기되는 제2 빔을 타원 편광하여 출력하는 1/4 파장판과, 상기 타원 편광된 제2 빔을 편광하는 제2 편광판과, 상기 1/4 파장판과 제2 편광판에 기반하여 편광된 광을 검출하는 제2 광 검출부와, 상기 제1 광 검출부에서 결정되는 제1 광 세기와, 상기 제2 광 검출부에서 결정되는 제2 광 세기에 기반하여 전압을 측정하는 제어부를 포함한다,
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公开(公告)号:WO2018062646A3
公开(公告)日:2018-04-05
申请号:PCT/KR2017/002203
申请日:2017-02-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 계층적 다공성 실리카에 내포된 금 나노입자 초격자를 포함하는 촉매 조성물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 계층적 다공성 실리카에 내포된 금 나노입자 초격자를 포함하는 촉매 조성물은 마이크로 기공 및 메조 기공을 초격자 내에 포함하고, 이 기공들이 채널화되어 금 나노입자의 표면에 반응물의 빠른 접근을 허용하며, 구조적으로 매우 안정하고 우수한 촉매 활성을 가져 실온에서 100% CO 전환률을 나타내는 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR102251284B1
公开(公告)日:2021-05-12
申请号:KR1020200163259
申请日:2020-11-27
Abstract: 본개시는 LTE(Long Term Evolution)와같은 4G(4th generation) 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G(5th generation) 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 본개시에따르면, 포켈스셀을이용하여전압을측정하는장치는인가되는전계에기반하여입사되는광의굴절률을변화시키는포켈스셀과, 입력되는빔을분기하는적어도하나의비편광빔 분배부와, 상기적어도하나의비편광빔 분배부로부터분기되는제1 빔을편광하는제1 편광판과, 상기제1 편광판에기반하여편광된광을검출하는제1 광검출부와, 상기적어도하나의비편광빔 분배부로부터분기되는제2 빔을타원편광하여출력하는 1/4 파장판과, 상기타원편광된제2 빔을편광하는제2 편광판과, 상기 1/4 파장판과제2 편광판에기반하여편광된광을검출하는제2 광검출부와, 상기제1 광검출부에서결정되는제1 광세기와, 상기제2 광검출부에서결정되는제2 광세기에기반하여전압을측정하는제어부를포함한다
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公开(公告)号:KR101182386B1
公开(公告)日:2012-09-11
申请号:KR1020100035496
申请日:2010-04-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 고분자와 정제수를 혼합하여 고분자가 물에 잘 섞이도록 강력 교반하여 고분자시스템을 만드는 단계와, 계면활성제로 코팅된 단일벽 탄소나노튜브(p-SWNT)와 고분자시스템을 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 초구조체의 제조방법이다.
본 발명의 고분자 시스템을 이용한 초구조체 제조방법은 무수히 많은 고분자의 종류 및 그들의 다양한 상변화 특징들을 고려해 볼 때, 그 이용가능성이 매우 클 것으로 기대된다.-
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公开(公告)号:KR1020120089500A
公开(公告)日:2012-08-13
申请号:KR1020100125701
申请日:2010-12-09
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of transparent conductive boards having a multi-layer and a transparent conductive boar using the same are provided to finely adjust amount of contained carbon nano-tubes and conductive polymers and thickness of the transparent conductive boards. CONSTITUTION: A manufacturing method of transparent conductive boards comprises the following steps: removing foreign substances by washing the surface of a transparent substrate(100); forming a positive charge layer(10) on top of the surface of the washed substrate; forming a carbon nano-tube layer displaying negative charges by impregnating the substrate into a carbon nano-tube aqueous solution after manufacturing the carbon nano-tube aqueous solution by mixing carbon nano-tube with poly sodium 4-styrene sulfonate; and forming a transparent conductive polymer layer on top of the carbon nano-tube layer of the substrate by impregnating the substrate into a conductive macromolecule solution displaying positive charge.
Abstract translation: 目的:提供一种具有多层透明导电板的透明导电板的制造方法,其特征在于,微细地调整所含有的碳纳米管和导电性聚合物的含量以及透明导电性板的厚度。 构成:透明导电板的制造方法包括以下步骤:通过清洗透明基板(100)的表面去除异物; 在洗涤过的衬底的表面上形成正电荷层(10); 通过将碳纳米管与聚4-苯乙烯磺酸钠混合,制造碳纳米管水溶液后,形成碳纳米管层,从而将基材浸渍到碳纳米管水溶液中; 并通过将衬底浸渍到显示正电荷的导电性高分子溶液中,在衬底的碳纳米管层的顶部上形成透明导电聚合物层。
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公开(公告)号:KR1020080040527A
公开(公告)日:2008-05-08
申请号:KR1020060108601
申请日:2006-11-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/28 , Y10T428/292 , B01J19/10
Abstract: Carbon nanotubes that can be dispersed into an aqueous solution without reagglomeration phenomenon are provided, and a method for preparing the carbon nanotubes is provided. A method for preparing surfactant-coated carbon nanotubes comprises the processes of: (i) mixing carbon nanotubes and a surfactant at a ratio of 1:2 to 2:5(w/w), and removing oxygen from the mixture to obtain a mixture; (ii) mixing the obtained mixture with oxygen-free water at a ratio of 0.7:100 to 0.8:100(v/v), and supersonically treating the mixture with a frequency of 15 to 20 kHz for 1 to 1.5 hour to disperse the carbon nanotubes into the mixed solution to obtain a dispersion; and (iii) treating the obtained dispersion with an initiator at a molar ratio of 1 to 5% relative to the amount of the surfactant, and coating the surfactant on surfaces of the carbon nanotubes while stirring the initiator-treated dispersion at 55 to 65 deg.C for 12 to 24 hours. The carbon nanotubes are single wall carbon nanotubes(SWNT). The surfactant is cetyltrimethyl ammonium 4-vinylbenzoate(CTVB). The initiator is 2,2'-azobis[2-(2-imidazolin-2-yl)propane]dihydrochloride. The method further comprises the process of centrifuging 100,000 g to 150,000 g of a reactant for 3 to 5 hours, and obtaining a supernatant from the centrifuged reactant to dry the supernatant after performing the process (iii).
Abstract translation: 提供了可以分散在水溶液中而没有聚集现象的碳纳米管,并且提供了制备碳纳米管的方法。 制备表面活性剂涂覆的碳纳米管的方法包括以下工艺:(i)以1:2至2:5(w / w)的比例混合碳纳米管和表面活性剂,并从混合物中除去氧气以获得混合物 ; (ii)以0.7:100至0.8:100(v / v)的比例将获得的混合物与无氧水混合,并以15至20kHz的频率将混合物超声处理1至1.5小时,以分散 将碳纳米管加入到混合溶液中以获得分散体; 和(iii)以相对于表面活性剂的量为1〜5%的摩尔比用引发剂处理得到的分散体,并将表面活性剂涂布在碳纳米管的表面上,同时在55至65℃下搅拌引发剂处理的分散体 C于12至24小时。 碳纳米管是单壁碳纳米管(SWNT)。 表面活性剂是4-乙烯基苯甲酸十六烷基三甲基铵(CTVB)。 引发剂是2,2'-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐。 该方法还包括将100,000g至150,000g反应物离心3至5小时的方法,并且在进行方法(iii)之后从离心的反应物中得到上清液以干燥上清液。
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公开(公告)号:KR1020110115903A
公开(公告)日:2011-10-24
申请号:KR1020100035496
申请日:2010-04-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B82B3/0009 , C01B32/158 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/24
Abstract: 본 발명은 고분자와 정제수를 혼합하여 고분자가 물에 잘 섞이도록 강력 교반하여 고분자시스템을 만드는 단계와, 계면활성제로 코팅된 단일벽 탄소나노튜브(p-SWNT)와 고분자시스템을 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 초구조체의 제조방법이다.
본 발명의 고분자 시스템을 이용한 초구조체 제조방법은 무수히 많은 고분자의 종류 및 그들의 다양한 상변화 특징들을 고려해 볼 때, 그 이용가능성이 매우 클 것으로 기대된다.
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