公开(公告)号：KR101276707B1

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：KR1020110076685

申请日：2011-08-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 배병수 ,  전준혁

IPC: H01B1/22 ,  H01B1/02 ,  H01B1/12 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 불소를 함유하는 금속 화합물 및 불소를 함유하는 유기물로 이루어진 군으로부터 하나 또는 둘 이상 선택된 불소 화합물 전구체; 및 물 또는 촉매를 포함하는수용액; 을 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물, 이를 이용한 불소 금속 산화물 반도체 제조 방법 및 이를 포함하는 불소 금속 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 금속 산화물 반도체 제조 방법은 상기 박막 트랜지스터용 불소 금속 산화물 반도체 제조용 수용액 조성물을 준비하는 단계, 기판 위에 상기 수용액 조성물을 코팅하는 단계, 그리고 상기 기판에 코팅된 수용액 조성물을 열처리하여 불소 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 종래의 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 비해 저온 소성 온도에서도 우수한 전기적 물성을 보여준다.

公开(公告)号：KR1020130103077A

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020120024418

申请日：2012-03-09

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 정연택 ,  김보성 ,  이두형 ,  정승호 ,  최태영 ,  김두나 ,  배병수 ,  양찬우 ,  이병주 ,  조강문 ,  황영환 ,  전준혁

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C09D1/00 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A composition for an oxide semiconductor and a method for manufacturing a thin film transistor substrate using the same are provided to reduce the harmfulness of an oxide semiconductor manufacturing process by using the composition including water as a solvent. CONSTITUTION: A pixel transistor substrate includes a pixel gate electrode, a pixel source electrode, a pixel drain electrode, and a first semiconductor pattern. A gate insulation layer (120) is formed on a base substrate (110). The gate insulation layer includes a nitride layer and/or an oxide layer. A passivation layer (140) is formed on the pixel source electrode, the pixel drain electrode, a circuit source electrode, and a circuit drain electrode. A pixel electrode is formed on the passivation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化物半导体的组合物和使用其的薄膜晶体管衬底的制造方法，以通过使用包含水作为溶剂的组合物来降低氧化物半导体制造工艺的有害性。 构成：像素晶体管基板包括像素栅电极，像素源电极，像素漏电极和第一半导体图案。 栅极绝缘层（120）形成在基底（110）上。 栅极绝缘层包括氮化物层和/或氧化物层。 在像素源电极，像素漏电极，电路源电极和电路漏电极上形成钝化层（140）。 在钝化层上形成像素电极。

公开(公告)号：KR1020120023543A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020110076685

申请日：2011-08-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 배병수 ,  전준혁

IPC: H01B1/22 ,  H01B1/02 ,  H01B1/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02623 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26

Abstract: PURPOSE: A Fluorine-containing metal oxide semiconductor is provided to simplify manufacturing processes, to reduce cost, and to have excellent semiconductor properties like high current value, charge mobility, current ratio, threshold voltage, sub-threshold swing, etc. CONSTITUTION: A fluorine-containing metal oxide semiconductor aqueous solution composition comprises: one or more fluorine compound precursors selected from a group consisting of fluorine-containing metal compound and fluorine-containing organic material, and aqueous solution containing water and a catalyst. The fluorine-containing metal oxide semiconductor aqueous solution composition comprises metal salt. A manufacturing method of the fluorine-containing metal oxide semiconductor comprises a step of coating the fluorine-containing metal oxide semiconductor aqueous solution compostion on a substrate, and a step of forming fluorine-containing metal oxide semiconductor by heat-treating the substrate.

Abstract translation: 目的：提供含氟金属氧化物半导体，以简化制造工艺，降低成本，并具有优异的半导体特性，如高电流值，电荷迁移率，电流比，阈值电压，次阈值摆幅等。构成：A 含氟金属氧化物半导体水溶液组合物包含：一种或多种选自含氟金属化合物和含氟有机材料的氟化合物前体，以及含有水和催化剂的水溶液。 含氟金属氧化物半导体水溶液组合物包含金属盐。 含氟金属氧化物半导体的制造方法包括将含氟金属氧化物半导体水溶液组合物涂布在基板上的工序，以及通过对基板进行热处理来形成含氟金属氧化物半导体的工序。