公开(公告)号：KR1020050082503A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：KR1020040010956

申请日：2004-02-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 장홍영 ,  서상훈 ,  정원봉 ,  채수항 ,  김재현 ,  이상원 ,  엄세훈

IPC: H01L21/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 나노공정에 적합한 낮은 전자온도를 갖는 플라즈마 발생 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 여기수단을 이용하여 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만든 후 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광소스를 이용하여 중성가스를 이온화 시켜 플라즈마를 생성시키도록 되어 있고, 그 장치는 내부에 피처리물이 수용될 수 있는 공간이 형성되고, 이 공간의 상부에는 투명 유전체가 씌워지며, 일측에는 내부 공간으로 중성가스를 공급하기 위한 주입구와 내부를 진공분위기로 만들기 위한 진공펌프가 접속된 챔버; 상기 챔버에 주입된 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만들기 위한 여기수단; 여기 상태인 중성가스의 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광자를 상기 챔버 내부에 조사하여 중성가스를 이온화시켜 플라즈마를 생성시키기 위한 이온화수단;을 포함하여 이루어져 있다.

公开(公告)号：KR100819336B1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：KR1020040010956

申请日：2004-02-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 장홍영 ,  서상훈 ,  정원봉 ,  채수항 ,  김재현 ,  이상원 ,  엄세훈

IPC: H01L21/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 본 발명은 나노공정에 적합한 낮은 전자온도를 갖는 플라즈마 발생 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 여기수단을 이용하여 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만든 후 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광소스를 이용하여 중성가스를 이온화 시켜 플라즈마를 생성시키도록 되어 있고, 그 장치는 내부에 피처리물이 수용될 수 있는 공간이 형성되고, 이 공간의 상부에는 투명 유전체가 씌워지며, 일측에는 내부 공간으로 중성가스를 공급하기 위한 주입구와 내부를 진공분위기로 만들기 위한 진공펌프가 접속된 챔버; 상기 챔버에 주입된 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만들기 위한 여기수단; 여기 상태인 중성가스의 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광자를 상기 챔버 내부에 조사하여 중성가스를 이온화시켜 플라즈마를 생성시키기 위한 이온화수단;을 포함하여 이루어져 있다.
전자온도, 플라즈마, 여기, 이온화, 중성가스