Abstract:
본 발명은 미세소자를 이용한 세포의 전기천공효과 분석장치 및 이를 이용한 세포의 전기천공효과 분석방법에 관한 것으로, 구체적으로 지지판; 상기 지지판 위에 부착되는 외벽부; 상기 지지판과 외벽부로 이루어지는 세포저장부; 상기 세포 저장부 내에서 세포에 전기 펄스를 가하기 위하여 마주보도록 배향되어 지지판에 구비되는 두 개 이상의 미세전극; 상기 미세전극 사이에 이루어지는 전기천공부; 상기 미세전극에 전기 펄스를 공급하는 펄스발생기; 상기 미세전극과 펄스발생기의 연결을 위해 지지판에 구비되는 전극연결부; 및 상기 세포저장부에서 전기천공시 세포를 덮기 위해 하부 공간을 갖는 덮개부를 포함하는 미세소자를 이용한 세포의 전기천공효과 분석장치이다. 본 발명에 따른 세포의 전기천공 효과 분석 장치는 임상용 전기천공기의 형상을 비례적으로 축소하여 제작하여 정확한 결과분석이 가능하고, 값비싼 시약 및 전기의 소모를 기존방식에 비해 수 십배 이상 줄일 수 있고, 한번의 실험으로 다양한 조건의 실험을 수행할 수 있어 시간 및 비용 측면에서 효율적이며, 임상용 전기천공기의 특성분석이나 전극개발, 관련 기초연구 및 전기천공 요법의 임상적용을 위한 조건 설정 등 다양한 목적으로 사용할 수 있다. 전기천공, 전기천공 요법, 미세소자, 랩온어칩, 분석장치
Abstract:
본 발명은 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자기 정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)을 이용하여 균일하게 금속 시드를 제거할 수 있는 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 3차원 금속 구조체의 형성 방법은, 상기 기판에 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계; 상기 기판에 제1 금속 시드를 증착하는 단계; 상기 제1 금속 시드 상에 자기 정합 단분자층을 증착하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 부분의 제1 금속 시드를 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 모두 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트 몰드에 제1 금속층을 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
A method for manufacturing a thin film transistor substrate is provided to crystallize an amorphous silicon film with a minimum ion amount required for crystallizing to minimize the amount of nickel contained in the crystallized silicon layer by using a sacrificial layer, thereby improving the quality of the thin film transistor substrate. An amorphous silicon film is formed on an insulating substrate(110). A sacrificial film having an embossed surface is formed on the amorphous silicon film. The amorphous silicon film is crystallized into a polycrystalline silicon layer by contacting a metal plate with the sacrificial film and performing thermal treatment on the amorphous silicon film. The metal plate and the sacrificial film are removed. The polycrystalline silicon film is pattern-etched to form a semiconductor pattern(151). A gate insulating layer(140) is formed to cover the semiconductor pattern. A gate line is formed on the gate insulating layer, wherein a portion of the gate line overlaps the semiconductor pattern. Source and drain regions(153,155) are formed by heavily doping conductive impurities into portions of the semiconductor pattern. An interlayer insulating layer is formed to cover the gate line and the semiconductor pattern. A data line(171) and an output electrode(175) respectively connected to the source and drain regions are formed on the interlayer insulating layer.
Abstract:
본 발명은 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자기 정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)을 이용하여 균일하게 금속 시드를 제거할 수 있는 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 3차원 금속 구조체의 형성 방법은, 상기 기판에 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계; 상기 기판에 제1 금속 시드를 증착하는 단계; 상기 제1 금속 시드 상에 자기 정합 단분자층을 증착하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 부분의 제1 금속 시드를 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 모두 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트 몰드에 제1 금속층을 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 자기 정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer), 폴리싱(Polishing), 3차원 금속 구조체(3-Dimensional Metal Structures)
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for analyzing electroporation effect on cells using a micro device and analysis method are provided to accurately analyze the result and to reduce reagent and electricity. CONSTITUTION: An apparatus for analyzing electroporation effect on cells using a micro device comprises: a support board(203); an outer wall part(204) which is attached on the support board; a cell storage unit(205) having the support board and outer wall part; a plurality of micro electrodes(201) formed on the support board for applying electric pulse to cells; an electroporation unit(202) formed between the micro electrodes; an electric connector(207) formed on the support board to connect the micro electrode and pulse generator; and a cover(206) for covering the cells.