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公开(公告)号：WO2013065898A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/KR2011/009924
申请日：2011-12-21
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0025 , B82Y30/00 , C01G3/02 , C01P2004/16
Abstract: 본 발명은 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 산화시킨 후 레이저를 조사하여 산화된 구리 나노와이어를 환원시킴으로써 소결된 나노와이어를 생성하는 나노와이어 제조방법 및 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를 위해 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계 (S610); 및 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계 (S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법이 개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种纳米线的制造方法和纳米线图案的形成方法，更具体地，涉及一种纳米线的制造方法以及纳米线图案的形成方法，其中通过氧化纳米线制造烧结纳米线 然后通过暴露于激光来还原氧化铜纳米线。 纳米线的制造方法包括：通过氧化纳米线形成氧化纳米线的步骤（S610）; 以及通过使用涂布的还原剂将氧化的纳米线暴露于激光来形成烧结和还原的纳米线的步骤（S620）。
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公开(公告)号：KR101360086B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120002942
申请日：2012-01-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 레이저 조사를 이용한 나노패턴의 형성방법 및 이에 따라 형성되는 나노패턴에 관한 것으로, 상세하게는 나노입자 분산액을 이용하여 나노입자를 기판 상에 도포하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 나노입자가 도포된 기판을 건조시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 건조가 수행된 기판에 소정의 패턴영역을 따라 레이저를 조사하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 레이저가 조사된 기판을 세척하는 단계(단계 4);를 포함하는 나노패턴의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따른 레이저 조사를 이용한 나노패턴의 형성방법은 각각의 공정이 간단하고, 상온·대기압 조건에서 공정을 수행할 수 있어 공정비용을 절감할 수 있으며, 패턴 형성에 사용되는 물질에 제한이 없어 다양한 원료물질을 이용하여 패턴을 형성할 수 있다. 또한, Bottom-up 방식으로 나노패턴을 형성함에 따라 표면거칠기가 우수하고, 마스크나 마스터 금형과 같은 종래의 방식과는 달리 반복 정밀도가 우수하며, 패턴의 형상을 자유로이 변형시킬 수 있다. 나아가, 제조공정 중 발생하는 유해물질이 없으며, 잔여 나노입자를 재활용하는 것이 가능하며, 기판과 나노입자가 서로 상이한 재질이더라도 나노패턴을 용이하게 형성시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101357179B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020110112150
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0025 , B82Y30/00 , C01G3/02 , C01P2004/16
Abstract: 본 발명은 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 산화시킨 후 레이저를 조사하여 산화된 구리 나노와이어를 환원시킴으로써 소결된 나노와이어를 생성하는 나노와이어 제조방법 및 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를위해 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1020130081870A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020120002942
申请日：2012-01-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G02B1/12 , B82B1/005 , B82Y30/00 , G03F1/46 , G03F7/0005
Abstract: PURPOSE: A method for forming nanopatterns and the nanopatterns are provided to form nanopatterns under the room temperature and atmospheric pressure by attaching nanoparticles on a substrate based on a weak bonding force and fusing nanoparticles on a pattern area of the substrate using laser. CONSTITUTION: A method for forming nanopatterns comprises the steps of: applying nanoparticles on a substrate using a nanoparticle dispersing solution; drying the substrata on which the nanoparticles are applied; for the dried substrate to be irradiated with laser along a predetermined pattern area; and washing the substrate. The nanoparticles are at least one selected among TiO2, SiO2, MnO2, Fe2O3, antimony tin oxide (ATO), BaSO4, BiOCl, CaCO3, Ca3 (PO4)2, Co0.5Zn0.5Fe2O4, FePO4, indium tin oxide (ITO), Li2MoO4, MoO3, WO3, Y2Eu2O3, YBa2Cu3O (7-x), yttria-stabilized zirconia (YSZ), and ZnO. The wavelength of the laser is lower than the band gap of the nanoparticles. [Reference numerals] (AA) Substrate
Abstract translation: 目的：提供形成纳米图案的方法和纳米图案，以在室温和大气压下形成纳米图案，通过基于弱粘合力将纳米颗粒附着在基底上，并使用激光将纳米颗粒融合在基底的图案区域上。 构成：形成纳米图案的方法包括以下步骤：使用纳米颗粒分散溶液在纳米颗粒上涂覆纳米颗粒; 干燥其上施用纳米颗粒的基质; 使干燥的基材沿着预定图案区域用激光照射; 并洗涤基板。 纳米颗粒是选自TiO 2，SiO 2，MnO 2，Fe 2 O 3，氧化锑锡（ATO），BaSO 4，BiOCl，CaCO 3，Ca 3（PO 4）2，Co 0.5 Zn 0.5 Fe 2 O 4，FePO 4，氧化铟锡（ITO） Li2MoO4，MoO3，WO3，Y2Eu2O3，YBa2Cu3O（7-x），氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）和ZnO。 激光的波长低于纳米粒子的带隙。 （标号）（AA）基板
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130047244A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110112151
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , C01P2004/13 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a nanotube is provided to manufacture a copper oxide nanotube without capping for anti-oxidation, by reducing the copper oxide nanotube through laser irradiation. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nanotube comprises: a step of generating a hollow oxidation nanotube(20) by the movement of atoms using an oxidizing nanowire(10); and a step of generating a reduced nanotube by spreading a reducing agent on the oxidation nanotube, and irradiating the nanotube with laser. In the first step, the hollow is formed by heating the nanowire. The nanowire is formed of copper or aluminum. A patterning method of the nanotube comprises: a step of generating the oxidation nanotube; a step of spreading the reducing agent on the oxidation nanotube, and selectively laser-irradiating the oxidation nanotube; and a step of generating the reduced nanotube on the laser-irradiation region for forming patterns.
Abstract translation: 目的：通过激光照射还原铜氧化物纳米管，提供纳米管的制造方法来制造不具有抗氧化保护的铜氧化物纳米管。 构成：纳米管的制造方法包括：通过使用氧化纳米线（10）的原子运动来产生中空氧化纳米管（20）的步骤; 以及通过在氧化纳米管上铺展还原剂并用激光照射纳米管来产生还原纳米管的步骤。 在第一步中，通过加热纳米线形成中空。 纳米线由铜或铝形成。 纳米管的构图方法包括：产生氧化纳米管的步骤; 将还原剂铺展在氧化纳米管上的步骤，选择性地激光照射氧化纳米管; 以及在用于形成图案的激光照射区域上产生还原型纳米管的步骤。
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公开(公告)号：KR1020130047243A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110112150
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0025 , B82Y30/00 , C01G3/02 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: A nanowire manufacturing method is provided to produce a copper nanowire that is sintered in air by reducing an oxidized copper nanowire through laser irradiation. CONSTITUTION: A nanowire manufacturing method comprises the following steps. A nanowire is oxidized to produce an oxidized nanowire(S610). The oxidized nanowire mixed with a liquid is evaporated(S613). The oxidized nanowire is transferred(S615). A reducing agent is thin-layer coated on one surface of the transferred oxidized nanowire(S617). A laser is then irradiated to the oxidized nanowire and the coated reducing agent to produce a nanowire that is sintered and reduced(S620). The nanowire is synthesized using copper or aluminum. A nanowire pattern forming method comprises the following steps: a nanowire is oxidized to produce an oxidized nanowire(S710); a laser is selectively irradiated to the oxidized nanowire and a reducing agent coated on the oxidized nanowire(S720); and a sintered and reduced nanowire is produced on the laser irradiated area to form a pattern(S730). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S610) Generate an oxidized nanowire by oxidizing nanowire; (S613) Evaporate the oxidized nanowire mixed with liquid; (S615) Transfer the oxidized nanowire; (S617) Coat one side of the transferred oxidized nanowire with a reducing agent using one coating method of spin coating, slit die, spray, and roll coating which easily forms a thin film; (S620) Generate sintered and reduced nanowire by irradiating the oxidized nanowire using laser with the reducing agent
Abstract translation: 目的：提供一种纳米线制造方法，以生产通过激光照射还原氧化铜纳米线在空气中烧结的铜纳米线。 构成：纳米线制造方法包括以下步骤。 氧化纳米线以产生氧化的纳米线（S610）。 与液体混合的氧化纳米线蒸发（S613）。 氧化的纳米线被转移（S615）。 还原剂被薄膜涂覆在转移的氧化纳米线的一个表面上（S617）。 然后将激光照射到氧化的纳米线和涂覆的还原剂上以产生烧结和还原的纳米线（S620）。 纳米线是用铜或铝合成的。 纳米线图案形成方法包括以下步骤：将纳米线氧化以产生氧化的纳米线（S710）; 对氧化的纳米线和涂覆在氧化的纳米线上的还原剂选择性地照射激光（S720）; 并且在激光照射区域上产生烧结和还原的纳米线以形成图案（S730）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S610）通过氧化纳米线生成氧化纳米线; （S613）蒸发与液体混合的氧化纳米线; （S615）转移氧化纳米线; （S617）使用容易形成薄膜的旋涂，狭缝模，喷涂和辊涂等一种涂布方法，用还原剂涂覆转移的氧化纳米线的一面; （S620）通过用还原剂用激光照射氧化的纳米线，生成烧结和还原的纳米线
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公开(公告)号：KR101605884B1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：KR1020140047264
申请日：2014-04-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 본발명의목적은레이저를이용한박막트랜지스터의제조방법을제공하는데있다. 이를위하여, 본발명은게이트전극층을포함하는기판상에절연층을형성하는단계(단계 1); 상기절연층상에산화물반도체층을형성하는단계(단계 2); 및상기산화물반도체층에레이저를조사하여상기산화물반도체층의적어도일부는소스및 드레인전극을형성하는단계(단계 3)을포함하는레이저를이용한박막트랜지스터제조방법을제공한다. 또한, 본발명은레이저를이용한박막트랜지스터제조방법으로제조된박막트랜지스터를제공한다. 본발명에서는단일레이저를조사하는공정으로다층(Multilayer) 전자소자를제공할수 있다. 또한, 기존의다수의공정단계를단순화하여비용을절감할수 있다. 또한, 절연층및 산화물반도체층에포함된나노입자의농도와용매, 조사하는레이저의에너지를조절하여박막트랜지스터의넓이및 두께를조절할수 있으며, 대기중에서공정이가능하다. 나아가, 금속산화물의결합에너지차이및 용매의선정에따라서다양한재료에적용이가능하며, 박막트랜지스터뿐만아니라, FPCB(Flexible printed circuit boad), 슈퍼커패시터(Super capacitor), 배터리등의적층형전자소자의제작에적용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150121739A
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020140047264
申请日：2014-04-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/0275 , H01L29/7869
Abstract: 본발명의목적은레이저를이용한박막트랜지스터의제조방법을제공하는데있다. 이를위하여, 본발명은게이트전극층을포함하는기판상에절연층을형성하는단계(단계 1); 상기절연층상에산화물반도체층을형성하는단계(단계 2); 및상기산화물반도체층에레이저를조사하여상기산화물반도체층의적어도일부는소스및 드레인전극을형성하는단계(단계 3)을포함하는레이저를이용한박막트랜지스터제조방법을제공한다. 또한, 본발명은레이저를이용한박막트랜지스터제조방법으로제조된박막트랜지스터를제공한다. 본발명에서는단일레이저를조사하는공정으로다층(Multilayer) 전자소자를제공할수 있다. 또한, 기존의다수의공정단계를단순화하여비용을절감할수 있다. 또한, 절연층및 산화물반도체층에포함된나노입자의농도와용매, 조사하는레이저의에너지를조절하여박막트랜지스터의넓이및 두께를조절할수 있으며, 대기중에서공정이가능하다. 나아가, 금속산화물의결합에너지차이및 용매의선정에따라서다양한재료에적용이가능하며, 박막트랜지스터뿐만아니라, FPCB(Flexible printed circuit boad), 슈퍼커패시터(Super capacitor), 배터리등의적층형전자소자의제작에적용할수 있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用激光器制造薄膜晶体管的方法。 为此，本发明提供了使用该激光器制造薄膜晶体管的方法，其包括以下步骤：在包括栅电极层的基板上形成绝缘层（步骤1）; 在绝缘层上形成氧化物半导体层（步骤2）; 以及通过向氧化物半导体层照射激光而形成具有至少一部分氧化物半导体层的源电极和漏电极（步骤3）。 此外，本发明提供了通过使用激光器制造薄膜晶体管的方法制造的薄膜晶体管。 在本发明中，可以通过照射单个激光的工艺来提供多层电子器件。 此外，本发明可以通过简化现有的工艺步骤的数量来降低成本。 此外，该方法可以通过调节密度和包括在绝缘层和氧化物半导体层中的纳米颗粒的溶剂和照射的激光的能量来调节薄膜晶体管的面积和厚度，并且可以在空气中执行其处理。 此外，该方法可以根据溶剂的选择并结合金属氧化物的能量差异而应用于各种材料，并且可以用于制造薄膜晶体管，而且可以用于制造诸如柔性印刷电路的分层电子器件 板（FPCB），超级电容器和电池。
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公开(公告)号：KR101357187B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020110112151
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 나노튜브 제조방법, 나노튜브 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 중공형상으로 산화시킨 후 산화구리 나노튜브를 다시 환원시킴으로써 중공형상의 나노튜브를 생성하는 나노튜브 제조방법 및 나노튜브 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를위해 나노와이어를 산화시킴으로써 중공의 산화 나노튜브를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노튜브를 환원제와 함께 레이저 조사함으써 환원된 나노튜브를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 제조방법이 개시된다.
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