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公开(公告)号：WO2021206428A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：PCT/KR2021/004302
申请日：2021-04-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C07C69/157 , A61K31/216 , A61K9/14 , A61K9/16 , A61K47/12 , A61P29/00
Abstract: 본 발명은 로즈마린산 유도체, 로즈마린산-유래 입자 및 이를 포함하는 염증성 질환 치료용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 로즈마린산 유도체 및 로즈마린산-유래 입자를 이용하는 경우, 낮은 수용성과 낮은 생체 이용률로 인해 활용이 제한되었던 로즈마린산을 의약 용도로 활용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140126511A
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020130044759
申请日：2013-04-23
CPC classification number: B01J37/349 , B01J23/42 , B01J37/0221 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 금속산화물 기판 또는 분말 상에 아크 플라즈마 증착법으로 증착된 금속 나노입자를 포함하는 나노촉매에 관한 것이다. 본 발명의 나노촉매는 금속 나노입자가 기판 또는 분말에 고르게 분포되면서 안정적으로 고착화됨으로써 우수한 촉매 활성을 갖고, 또한 아크 플라즈마 증착법을 이용하여 증착시 전압의 세기를 조절함으로써 증착되는 금속 입자의 크기가 조절될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含通过电弧等离子体沉积方法沉积在金属氧化物衬底或粉末上的金属纳米颗粒的纳米催化剂。 本发明的纳米催化剂通过将金属纳米粒子稳定地固定在基材或粉末上，同时将金属纳米粒子均匀分布在基材或粉末上，可以获得优异的催化活性。 此外，可以通过使用电弧等离子体沉积方法通过控制沉积期间的电压强度来调节沉积的金属颗粒的尺寸。
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公开(公告)号：KR101472985B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020130044759
申请日：2013-04-23
Abstract: 본발명은금속산화물기판또는분말상에아크플라즈마증착법으로증착된금속나노입자를포함하는나노촉매에관한것이다. 본발명의나노촉매는금속나노입자가기판또는분말에고르게분포되면서안정적으로고착화됨으로써우수한촉매활성을갖고, 또한아크플라즈마증착법을이용하여증착시전압의세기를조절함으로써증착되는금속입자의크기가조절될수 있다.
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公开(公告)号：KR101237282B1
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020100131686
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명의 핫 전자 기반의 고효율 금속-반도체 나노다이오드 태양전지는 빛을 전기로 전환하는 활성 층과 생성된 전자를 수집하는 반도체 층 및 절연체 층, 제 1전극, 제 2전극으로 구성되어 있다. 제 1전극은 활성 층과 접해 있고, 제 2전극은 반도체 층과 접해 있다. 활성 층은 Au,Pt,Ag 등의 금속을 사용하며, 이 활성 층과 반도체 층의 접합은 광 에너지를 전기에너지로 전환시키는 쇼트키장벽을 만든다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120070220A
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020100131686
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A metal-semiconductor nano diode solar cell based on a hot electron is provided to improve efficiency by minimizing loss of light entering through a simple process on an active layer. CONSTITUTION: Provided is the metal-semiconductor nano diode solar cell based on a hot electron. The hot electron is detected over a shorttkey energy barrier after being generated on the surface of a metal thin film. The metal is selected from a group consisting of Pt(Platinum), Au(Aurum), and Ag(Argentums). A semiconductor is selected from a group consisting of TiO2(Titanium Dioxide), CeO2(Cerium Oxide), ZnO(Zinc Oxide), Si(Silicon), Ge(Germanium), SiC(Silicon Carbide), CdSe(Cadmium Selenide), GaP(Gallium Phosphate), and GaN(Gallium Nitride).
Abstract translation: 目的：提供一种基于热电子的金属 - 半导体纳米二极管太阳能电池，通过最小化通过活性层上的简单工艺进入的光的损失来提高效率。 构成：提供了基于热电子的金属 - 半导体纳米二极管太阳能电池。 在金属薄膜的表面上产生热电子之后，通过短键能量势垒检测热电子。 金属选自Pt（铂），Au（Aurum）和Ag（Argentums）。 半导体选自TiO 2（二氧化钛），CeO 2（氧化铈），ZnO（氧化锌），Si（硅），Ge（锗），SiC（碳化硅），CdSe（硒化镉），GaP （磷酸镓）和GaN（氮化镓）。
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公开(公告)号：KR1020140086743A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120157585
申请日：2012-12-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C01G23/047 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: The present invention relates to a nitrogen doped porous TiO_2 nanostructure which has activity not only in the wavelength range of the ultraviolet rays, but also in the wavelength range of visible rays; and to a manufacturing method thereof. The nitrogen doped porous TiO_2 nanostructure of the present invention is characterized by having a plurality of pores of 200 nm or less. The manufacturing method for a nitrogen doped porous TiO_2 nanostructure of the present invention is characterized by comprising: (a) a step of mixing titanium alkoxide and an ammonia solution; (b) a step of filtering precipitates generated by performing mixing in the step (a); (c) a step of drying filtrates filtered in step (b); and (d) a step of heat-treating materials dried in the step (c).
Abstract translation: 本发明涉及氮掺杂多孔TiO_2纳米结构，其不仅在紫外线的波长范围内，而且在可见光的波长范围内具有活性; 及其制造方法。 本发明的氮掺杂多孔TiO_2纳米结构体的特征在于具有200nm以下的多个孔。 本发明的氮掺杂多孔TiO_2纳米结构体的制造方法的特征在于：（a）将烷氧基钛与氨溶液混合的工序; （b）在步骤（a）中过滤通过进行混合而产生的沉淀物的步骤; （c）在步骤（b）中干燥过滤的滤液的步骤; 和（d）在步骤（c）中热处理干燥的材料的步骤。
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公开(公告)号：KR1020120129242A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110047377
申请日：2011-05-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: Hot electron based metal semiconductor nanodiode photocatalytic devices are provided to control the activity of reaction according to energy gap by controlling hot electrons. CONSTITUTION: A photocatalytic activity layer includes a white gold film layer and a gold thin film layer. The photocatalytic activity layer activates optical catalytic reaction. Organometallic compound includes Pt, Pd, Ni, Co, Fe and Mn. Transition metal complex includes Fe, Co, and Zn and Mn. The photocatalytic activity layer forms a charge transport layer and a Schottky diode.
Abstract translation: 目的：提供热电子基金属半导体纳米二极管光催化器件，通过控制热电子来控制反应活性。 构成：光催化活性层包括白金膜层和金薄膜层。 光催化活性层激活光催化反应。 有机金属化合物包括Pt，Pd，Ni，Co，Fe和Mn。 过渡金属络合物包括Fe，Co和Zn和Mn。 光催化活性层形成电荷传输层和肖特基二极管。
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公开(公告)号：KR101281783B1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020120005397
申请日：2012-01-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G06T7/40
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus capable of detecting a shadow from a monoscopic image are provided to apply a pixel based classification algorithm or an area based classification algorithm by using the biological time principles; thereby implementing more exact and steady shadow detection. CONSTITUTION: A shadow detector loads an input image and calculates a retinex output for each pixel within the input image (S101,S102). The shadow detector calculates an nth higher order residual (HOR) response value between the intensity value and the retinex output value of each pixel (S103). If the nth HOR response value is greater than the predetermined reference value, the shadow detector determines the corresponding pixel as a shadow area (S104). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S101) Load input images; (S102) Calculate a retinex output value of each pixel in an input image; (S103) Calculate an HOR response value between an intensity value and retinex output; (S104) Determine a corresponding pixel as a shadow area
Abstract translation: 目的：提供一种能够从单视野图像检测阴影的方法和装置，以通过使用生物学时间原理来应用基于像素的分类算法或基于区域的分类算法; 从而实现更准确和稳定的阴影检测。 构成：阴影检测器加载输入图像并计算输入图像内的每个像素的视网膜输出（S101，S102）。 阴影检测器计算强度值和每个像素的视网膜输出值之间的第n个高阶残差（HOR）响应值（S103）。 如果第n个HOR响应值大于预定的参考值，则阴影检测器将相应的像素确定为阴影区域（S104）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S101）加载输入图像; （S102）计算输入图像中的各像素的retinex输出值; （S103）计算强度值和retinex输出之间的HOR响应值; （S104）将相应的像素确定为阴影区域
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公开(公告)号：KR101292080B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020110047377
申请日：2011-05-19
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 광촉매 활성층, 쇼트키(Schottky) 접합 전극, 옴(Ohmic) 접합 전극 및 전하 수송층을 포함하는 핫전자 기반의 금속-반도체 나노다이오드 광촉매소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 광촉매 활성층은 백금(Pt) 박막층 또는 금(Au) 박막층인 것을 특징으로 할 수 있고, 상기 광촉매 활성층은 광촉매 반응을 활성화하기 위해 전이금속(transition metal), 유기금속(organometal) 화합물 및 전이금속 착화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 도포되어 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고 상기 쇼트키 접합 전극은 산화티타늄(TiO
2 ), 갈륨 나이트라이드(GaN) 및 실리콘(Si)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 할 수 있고, 나아가 상기 광촉매 활성층은 상기 전하 수송층과 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 형성하고, 상기 쇼트키 접합 전극은 상기 전하 수송층과 접하며, 상기 옴 접합 전극은 상기 광촉매 활성층과 접하는 것을 특징으로 할 수 있다.
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