公开(公告)号：KR101271723B1

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020110101569

申请日：2011-10-06

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 주진우 ,  전대우 ,  황남 ,  김자연 ,  백종협 ,  이상헌 ,  송재철 ,  오화섭 ,  정탁

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 본 발명은 적층결함(stacking fault)이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광전기화학(Photoelectrochemical) 에칭방법 또는 측면성장방법을 이용하여 적층결함(stacking fault)을 제거하는 무극성 또는 반극성(semi-polar) Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판 상에 제1Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 제1Ⅲ족 질화물층 상에 복수개의 캐비티가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 소자를 전해액에 담고, 소정의 빛에너지를 조사하는 단계; 및 광전기화학반응을 통하여 상기 제2Ⅲ족 질화물층표면에 존재하는 적층결함부분을 식각하는 단계; 를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130037265A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020110101569

申请日：2011-10-06

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 주진우 ,  전대우 ,  황남 ,  김자연 ,  백종협 ,  이상헌 ,  송재철 ,  오화섭 ,  정탁

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a III group nitride substrate without a stacking fault is provided to improve the internal quantum efficiency of a light emitting diode by removing the stacking fault on a III group nitride layer using a photoelectrochemical etching method or a lateral growth method. CONSTITUTION: A first III group nitride layer is formed on a substrate(S101). A second III group nitride layer with a plurality of cavities is formed on the first III group nitride layer(S102). A semiconductor is immersed in KOH electrolytes(S103). Light of specific energy is irradiated(S104). A stacking fault part is etched from the surface of the second III group nitride layer by a photoelectrochemical reaction(S105). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S101) Step of forming a first III group nitride layer(120) on a substrate(110); (S102) Step of forming a second III group nitride layer(140) with a plurality of cavities on the first III group nitride layer; (S103) Step of immersing an element formed in the S102 in KOH electrolytes; (S104) Step of irradiating light of specific energy; (S105) Step of etching a stacking fault part by neutralizing the KOH and an oxide film generated on the substrate surface formed in the S102;

Abstract translation: 目的：提供一种无堆叠故障的III族氮化物衬底的制造方法，通过使用光电化学蚀刻法或侧向生长法除去III族氮化物层上的堆垛层错来提高发光二极管的内部量子效率。 构成：在基板上形成第一III族氮化物层（S101）。 在第一III族氮化物层上形成具有多个空穴的第二III族氮化物层（S102）。 将半导体浸渍在KOH电解质中（S103）。 照射比能量的光（S104）。 通过光电化学反应从第二III族氮化物层的表面蚀刻堆垛层错部分（S105）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S101）在基板（110）上形成第一III族氮化物层（120）的工序; （S102）在第一III族氮化物层上形成具有多个空腔的第二III族氮化物层（140）的工序; （S103）将形成在S102中的元素浸渍在KOH电解质中的工序; （S104）照射比能量的光的步骤; （S105）通过中和KOH和在S102中形成的基板表面上产生的氧化膜来蚀刻堆垛层错部分的步骤;