Abstract:
본 발명은 희토류계 금속 모재를 제공하는 단계; 상기 희토류계 금속 모재를 플라즈마 발생수단의 내부로 장입하는 단계; 상기 희토류계 금속 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 단계; 상기 증발된 희토류계 증기와 반응가스가 반응하여, 희토류계 질화물의 핵이 생성 및 성장하는 단계; 및 상기 희토류계 질화물 핵의 결정성장을 억제시켜, 희토류계 질화물의 나노분말을 형성하는 단계를 포함하는 희토류계 질화물의 제조방법에 관한 것으로, 희토류계 금속 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 아크 플라즈마 방전법에 의해 용이하게 희토류계 질화물을 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코 팅층의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 0.1 내지 6 ㎛ 크기의 미립자 분말이 과립화되어 상온진공과립분사 공정을 통해 코팅층을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따른 취성재료 과립은 상온진공과립분사 공정을 통해 과립을 공급하며 연속 적으로 코팅공정을 수행할 수 있고, 노즐을 통해 분사되는 과립의 질량이 상대적으 로 큼에 따라 높은 운동에너지를 나타내어 낮은 가스 유량에서도 코팅층을 제조할 수 있으며, 성막 속도를 증가시킬 수 있어 세라믹 코팅층 제조에 유용하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 코팅층 형성방법을 통해 10% 이하의 기공율을 나타 내며, 균열이나 거대 기공 또는 층상구조와 같은 불균일성이 없는 균일한 미세구조 를 가진 코팅층을 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 일 관점에 의하면, 금속기판을 제공하는 단계; 상기 금속기판의 적어도 일면 상에 에어로졸 성막법을 이용하여 하지층을 형성하는 단계; 및 상기 하지층 상에 세라믹층을 형성하는 단계;를 포함하는, 금속기판의 세라믹 코팅방법이 제공된다. 이때 상기 하지층은 세라믹 재료로 형성할 수 있다. 또한 상기 하지층 및 세라믹층은 동일한 계열의 세라믹 재료를 포함하도록 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 관점에 의하면, 금속기판을 제공하는 단계; 상기 금속기판의 적어도 일면 상에 에어로졸 성막법을 이용하여 하지층을 형성하는 단계; 및 상기 하지층 상에 촉매물질을 담지한 세라믹 재료로 이루어진 촉매층을 형성하는 단계;를 포함하는, 촉매층 코팅기판 제조방법이 제공된다. 이때 상기 하지층은 세라믹 재료로 형성할 수 있으며, 더 나아가 하지층 및 촉매층은 서로 동일한 계열의 세라믹 재료를 포함하도록 형성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 상온 분사공정을 이용하여 고분자 기지상에 세라믹 후막을 성막하는 기술이다. 일반적으로 상온 분사공정을 이용하여 고분자 기지상에 세라믹을 후막을 성막하기 위해서는 모재와의 강한 앵커링을 위해서 판상형 입자를 사용하는 등의 방법을 이용하여 성막을 하는 등의 방법이 있으나 결합력이 충분하지 않고, 강한 충돌로 인하여 성막된 세라믹 막은 나노미터 크기의 결정립으로 이루어지는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 접착성을 가지는 고분자 기지상에 상온 분사공정으로 세라믹을 후막을 성막하는 기술을 제공하며, 성막된 세라믹막의 결정립 크기는 수백 나노미터-수 마이크로미터의 초기 원료 분말과 유사한 크기를 가지고, 본 발명을 이용하여 압전 세라믹 후막을 고분자 기지상에 성막하면 유연성 압전 소자 (예: 유연성 압전 에너지 하베스터, 센서)의 응용이 가능하다.
Abstract:
The present invention relates to a magnetoelectric composite material laminate for an energy harvesting device. According to an embodiment of the present invention, the magnetic composite material laminate for an energy harvesting device includes: a first layer which is made of a magnetostrictive material; and a second layer which is formed on the first layer and is made of a piezoelectric single crystal material. The direction of the piezoelectric single crystal material in the second layer matches with the thickness direction of the second layer. The single crystals are rhombohedral relaxor ferroelectrics single crystals with a composite perovskite crystal structure.
Abstract:
고이온전도도를 갖는 신규한 구조의 고체 전해질막, 그 제조 방법 및 이를 이용한 전고체 이차전지에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 고체 전해질막은 양극층과 음극층 사이에 개재되는 고체 전해질막으로서, 입자 크기가 최소 1㎛ 이상인 복수의 리튬이온통과 입자; 및 적어도 상기 복수의 리튬이온통과 입자들 사이에 형성된 전자장벽층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
Disclosed are a Li7La3Zr2O12 (LLz)-based oxide solid electrolyte capable of being manufactured by low-temperature sintering at a temperature below 1200°C and having high ionic conductivity; a manufacturing method thereof; and an all-solid-state secondary battery using the same. The method for manufacturing an oxide solid electrolyte according to the present invention comprises the steps of: forming a mixed powder of 5 wt% or less of Al2O3, and the remainder of raw powder of Li7La3Zr2O12; first milling the mixed powder; sintering the mixed powder which has been first milled; adding 0.1 to 10 wt% of CuO to the resulting product of sintering; second milling the resulting product of sintering which has been added with CuO; and synthesizing a Li7La3Zr2O12-based oxide by sintering the resulting product of the second milling. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Form a mixed powder of 5 wt% or less of AI_2O_3 and the remainder of raw powder of Li_7La_3Zr_2O_12; (S120) First milling; (S130) Sintering (800 to 1150°C, 20 hours); (S140) Add 0.1 to 10 wt% of CuO; (S150) Second milling; (S160) Sintering (950 to 1200°C, 0.5 to 10 hours)