플라즈마 아크 방전법을 이용한 희토류계 질화물의 제조방법
    1.
    发明申请
    플라즈마 아크 방전법을 이용한 희토류계 질화물의 제조방법 审中-公开
    使用等离子弧放电技术制备稀土类硝酸盐的方法

    公开(公告)号:WO2014175510A1

    公开(公告)日:2014-10-30

    申请号:PCT/KR2013/005993

    申请日:2013-07-05

    CPC classification number: C01B21/0627 C01P2002/72 C01P2004/03 C01P2004/64

    Abstract: 본 발명은 희토류계 금속 모재를 제공하는 단계; 상기 희토류계 금속 모재를 플라즈마 발생수단의 내부로 장입하는 단계; 상기 희토류계 금속 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 단계; 상기 증발된 희토류계 증기와 반응가스가 반응하여, 희토류계 질화물의 핵이 생성 및 성장하는 단계; 및 상기 희토류계 질화물 핵의 결정성장을 억제시켜, 희토류계 질화물의 나노분말을 형성하는 단계를 포함하는 희토류계 질화물의 제조방법에 관한 것으로, 희토류계 금속 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 아크 플라즈마 방전법에 의해 용이하게 희토류계 질화물을 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制备稀土类氮化物的方法,包括以下步骤:提供稀土金属母体材料; 将稀土金属母材料充入等离子体发生装置; 将稀土金属母材蒸发成等离子弧; 通过蒸发的稀土的蒸气与反应气体之间的反应产生和生长稀土类氮化物的核; 通过抑制稀土类氮化物的核的晶体的生长,形成稀土类氮化物的纳米粉末,其中稀土类氮化物可以通过等离子体电弧放电技术容易地制备,其中稀土 金属母材气化成等离子弧。

    상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법
    2.
    发明申请
    상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법 审中-公开
    在室温下用于真空颗粒注射过程的脆性材料颗粒和使用该脆性材料颗粒形成涂层的方法

    公开(公告)号:WO2012099350A2

    公开(公告)日:2012-07-26

    申请号:PCT/KR2012/000086

    申请日:2012-01-04

    Abstract: 본 발명은 상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코 팅층의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 0.1 내지 6 ㎛ 크기의 미립자 분말이 과립화되어 상온진공과립분사 공정을 통해 코팅층을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따른 취성재료 과립은 상온진공과립분사 공정을 통해 과립을 공급하며 연속 적으로 코팅공정을 수행할 수 있고, 노즐을 통해 분사되는 과립의 질량이 상대적으 로 큼에 따라 높은 운동에너지를 나타내어 낮은 가스 유량에서도 코팅층을 제조할 수 있으며, 성막 속도를 증가시킬 수 있어 세라믹 코팅층 제조에 유용하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 코팅층 형성방법을 통해 10% 이하의 기공율을 나타 내며, 균열이나 거대 기공 또는 층상구조와 같은 불균일성이 없는 균일한 미세구조 를 가진 코팅층을 제조할 수 있다.

    Abstract translation:

    本发明是屏幕的是,更具体地,0.1至根据形成鼻子tingcheung使用相同的颗粒和脆性材料为室温真空颗粒喷涂工艺的颗粒在室温下的方法6㎛大小的微粒粉末的 并且可以通过真空颗粒注射法形成涂层,以及使用该方法形成涂层的方法。 根据本发明的脆性材料的颗粒通过室温下真空颗粒喷涂工艺供给的颗粒,并且可以在连续不断进行涂敷处理,颗粒的质量,以通过示出根据在相对较大的高动能的喷嘴被注入 即使在低气体流量下也可以制造涂层,并且可以提高成膜速度,从而可以有效地用于制造陶瓷涂层。 此外,naemyeo在被覆层形成过程根据本发明的接收的不大于10%的孔隙率,因此能够制造具有均匀的微观结构的涂层,也没有不均匀性如裂缝或大孔或层状结构。

    금속기판의 세라믹 코팅방법, 세라믹 코팅 금속기판, 촉매층 코팅기판의 제조방법, 촉매층 코팅기판 및 촉매 구조체
    3.
    发明申请
    금속기판의 세라믹 코팅방법, 세라믹 코팅 금속기판, 촉매층 코팅기판의 제조방법, 촉매층 코팅기판 및 촉매 구조체 审中-公开
    用陶瓷涂覆金属基材,用陶瓷涂覆的金属基材的方法,用催化剂层涂覆的基板的制造方法,涂覆有催化剂层的基板和催化剂结构

    公开(公告)号:WO2012128592A2

    公开(公告)日:2012-09-27

    申请号:PCT/KR2012/002152

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 본 발명의 일 관점에 의하면, 금속기판을 제공하는 단계; 상기 금속기판의 적어도 일면 상에 에어로졸 성막법을 이용하여 하지층을 형성하는 단계; 및 상기 하지층 상에 세라믹층을 형성하는 단계;를 포함하는, 금속기판의 세라믹 코팅방법이 제공된다. 이때 상기 하지층은 세라믹 재료로 형성할 수 있다. 또한 상기 하지층 및 세라믹층은 동일한 계열의 세라믹 재료를 포함하도록 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 관점에 의하면, 금속기판을 제공하는 단계; 상기 금속기판의 적어도 일면 상에 에어로졸 성막법을 이용하여 하지층을 형성하는 단계; 및 상기 하지층 상에 촉매물질을 담지한 세라믹 재료로 이루어진 촉매층을 형성하는 단계;를 포함하는, 촉매층 코팅기판 제조방법이 제공된다. 이때 상기 하지층은 세라믹 재료로 형성할 수 있으며, 더 나아가 하지층 및 촉매층은 서로 동일한 계열의 세라믹 재료를 포함하도록 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面,提供一种用陶瓷涂覆金属基板的方法,包括:提供金属基板的步骤; 通过气溶胶沉积法在金属基材的至少一侧上形成底层的步骤; 以及在底层上形成陶瓷层的步骤。 这里,底层可以由陶瓷材料制成。 此外,底层和陶瓷层可以形成为包含来自同一族的陶瓷材料。 根据本发明的另一方面,提供了一种制备涂覆有催化剂层的基材的方法,包括:提供金属基材的步骤; 通过气溶胶沉积法在金属基材的至少一侧上形成底层的步骤; 以及在底层上形成由催化剂材料负载的陶瓷材料制成的催化剂层的步骤。 这里,底层可以由陶瓷材料制成,此外,底层和催化剂层可以形成为含有来自同一族的陶瓷材料。

    후막 형성용 질화물 분말, 이를 이용한 질화물 후막 제조방법 및 이에 의해 제조된 후막
    5.
    发明授权
    후막 형성용 질화물 분말, 이를 이용한 질화물 후막 제조방법 및 이에 의해 제조된 후막 有权
    用于形成厚膜的氮化膜,使用其的氮化膜的制造方法,

    公开(公告)号:KR101735822B1

    公开(公告)日:2017-05-15

    申请号:KR1020150085990

    申请日:2015-06-17

    Abstract: 본발명은, 표면에휘스커(whisker)를포함하는후막형성용질화물분말을제공한다. 또한, 본발명은, (a) 질소또는암모니아기체분위기하에서질화물원료분말을어닐링하여휘스커(whisker)를포함하는질화물분말을제조하는단계; 및 (b) 상기단계(a)에서제조된질화물분말을분말분사(powder spray) 공정으로기판상에코팅하여후막을형성시키는단계를포함하는질화물후막의제조방법을제공한다. 본발명에따른표면에휘스커(whisker)를포함하는후막형성용질화물분말을원료분말로이용해분말분사공정을통한후막형성공정을실시할경우, 증착시기판과의충돌에의한원료분말의크기감소가최소화되고, 그에따라기판과증착막간의응력발생이현저히감소함과동시에증착막을이루는질화물입자간의계면면적이크게줄어들어, 유기물등과같이열전도성을저하시키는이물질을포함하지않은고순도및 고열전도성의질화물후막을제조할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供了在其表面含有晶须的厚膜形成溶质粉末。 另外,本发明中,(a)制备通过在氮或氨气氛中氮化原料粉末进行退火,其包括在氮化物晶须(晶须)的粉末; 并且(b)通过粉末喷涂法将步骤(a)中制备的氮化物粉末涂覆在基板上以形成厚膜。 当通过粉末喷涂工艺使用厚膜形成含有根据本发明的具有上述原料粉末的表面晶须(晶须)溶质货物粉末做厚膜形成工艺中,在沉积过程中所造成的与基材的碰撞原料粉末的尺寸减小是 被最小化,并且高纯度,高的热传导性的,其不包括外来材料的氮化物厚膜,以降低热传导率,同时例如通过降低氮化物颗粒之间的界面区域中形成沉积膜和显著降低在衬底和淀积膜之间产生的应力较大,有机相应 可以制造。

    에너지 하베스터 층상구조 및 이의 제조 방법
    6.
    发明授权
    에너지 하베스터 층상구조 및 이의 제조 방법 有权
    防腐层的分层结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR101435913B1

    公开(公告)日:2014-11-04

    申请号:KR1020120047212

    申请日:2012-05-04

    Abstract: 본 발명은 상온 분사공정을 이용하여 고분자 기지상에 세라믹 후막을 성막하는 기술이다.
    일반적으로 상온 분사공정을 이용하여 고분자 기지상에 세라믹을 후막을 성막하기 위해서는 모재와의 강한 앵커링을 위해서 판상형 입자를 사용하는 등의 방법을 이용하여 성막을 하는 등의 방법이 있으나 결합력이 충분하지 않고, 강한 충돌로 인하여 성막된 세라믹 막은 나노미터 크기의 결정립으로 이루어지는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 접착성을 가지는 고분자 기지상에 상온 분사공정으로 세라믹을 후막을 성막하는 기술을 제공하며, 성막된 세라믹막의 결정립 크기는 수백 나노미터-수 마이크로미터의 초기 원료 분말과 유사한 크기를 가지고, 본 발명을 이용하여 압전 세라믹 후막을 고분자 기지상에 성막하면 유연성 압전 소자
    (예: 유연성 압전 에너지 하베스터, 센서)의 응용이 가능하다.

    에너지 하베스트 소자용 자기전기 복합재료 적층체 및 그 제조방법
    7.
    发明授权
    에너지 하베스트 소자용 자기전기 복합재료 적층체 및 그 제조방법 有权
    用于能量收集装置的磁电复合层压板及其制备方法

    公开(公告)号:KR101447561B1

    公开(公告)日:2014-10-10

    申请号:KR1020130063313

    申请日:2013-06-03

    CPC classification number: H01L41/20 H01L41/125 H01L41/187 H01L41/47

    Abstract: The present invention relates to a magnetoelectric composite material laminate for an energy harvesting device. According to an embodiment of the present invention, the magnetic composite material laminate for an energy harvesting device includes: a first layer which is made of a magnetostrictive material; and a second layer which is formed on the first layer and is made of a piezoelectric single crystal material. The direction of the piezoelectric single crystal material in the second layer matches with the thickness direction of the second layer. The single crystals are rhombohedral relaxor ferroelectrics single crystals with a composite perovskite crystal structure.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于能量收集装置的磁电复合材料层压板。 根据本发明的实施例,用于能量收集装置的磁性复合材料层叠体包括:由磁致伸缩材料制成的第一层; 以及形成在第一层上并由压电单晶材料制成的第二层。 第二层中的压电单晶材料的方向与第二层的厚度方向一致。 单晶是具有复合钙钛矿晶体结构的菱面体弛豫铁电单晶。

    산화물 고체 전해질, 그 제조 방법 및 이를 이용한 전고체 이차전지
    9.
    发明公开
    산화물 고체 전해질, 그 제조 방법 및 이를 이용한 전고체 이차전지 有权
    氧化物固体电解质,其制造方法和使用该固体电解质的全固态二次电池

    公开(公告)号:KR1020140005393A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:KR1020120068811

    申请日:2012-06-26

    Abstract: Disclosed are a Li7La3Zr2O12 (LLz)-based oxide solid electrolyte capable of being manufactured by low-temperature sintering at a temperature below 1200°C and having high ionic conductivity; a manufacturing method thereof; and an all-solid-state secondary battery using the same. The method for manufacturing an oxide solid electrolyte according to the present invention comprises the steps of: forming a mixed powder of 5 wt% or less of Al2O3, and the remainder of raw powder of Li7La3Zr2O12; first milling the mixed powder; sintering the mixed powder which has been first milled; adding 0.1 to 10 wt% of CuO to the resulting product of sintering; second milling the resulting product of sintering which has been added with CuO; and synthesizing a Li7La3Zr2O12-based oxide by sintering the resulting product of the second milling. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Form a mixed powder of 5 wt% or less of AI_2O_3 and the remainder of raw powder of Li_7La_3Zr_2O_12; (S120) First milling; (S130) Sintering (800 to 1150°C, 20 hours); (S140) Add 0.1 to 10 wt% of CuO; (S150) Second milling; (S160) Sintering (950 to 1200°C, 0.5 to 10 hours)

    Abstract translation: 公开了一种Li7La3Zr2O12(LLz)系氧化物固体电解质,能够在低于1200℃的温度下进行低温烧结并具有高离子电导率; 其制造方法; 和使用该二次电池的全固态二次电池。 根据本发明的氧化物固体电解质的制造方法包括以下步骤:形成5重量%以下的Al 2 O 3的混合粉末,剩余的Li7La3Zr2O12的原料粉末; 首先研磨混合粉末; 烧结首先研磨的混合粉末; 向所得到的烧结产物中加入0.1〜10重量%的CuO; 二次研磨所加入的CuO烧结产物; 并通过烧结所得到的第二次研磨产物来合成Li7La3Zr2O12基氧化物。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S110)形成5重量%以下的Al_2O_3的混合粉末,剩余的Li_7La_3Zr_2O_12的原料粉末; (S120)第一磨; (S130)烧结(800〜1150℃,20小时); (S140)添加0.1〜10重量%的CuO; (S150)二次研磨; (S160)烧结(950〜1200℃,0.5〜10小时)

    후막 형성용 질화물 분말, 이를 이용한 질화물 후막 제조방법 및 이에 의해 제조된 후막
    10.
    发明公开
    후막 형성용 질화물 분말, 이를 이용한 질화물 후막 제조방법 및 이에 의해 제조된 후막 有权
    用于制备用于制备氮化物厚膜的厚膜方法的氮化物粉末使用由此制备的粉末和厚膜

    公开(公告)号:KR1020160149036A

    公开(公告)日:2016-12-27

    申请号:KR1020150085990

    申请日:2015-06-17

    Abstract: 본발명은, 표면에휘스커(whisker)를포함하는후막형성용질화물분말을제공한다. 또한, 본발명은, (a) 질소또는암모니아기체분위기하에서질화물원료분말을어닐링하여휘스커(whisker)를포함하는질화물분말을제조하는단계; 및 (b) 상기단계(a)에서제조된질화물분말을분말분사(powder spray) 공정으로기판상에코팅하여후막을형성시키는단계를포함하는질화물후막의제조방법을제공한다. 본발명에따른표면에휘스커(whisker)를포함하는후막형성용질화물분말을원료분말로이용해분말분사공정을통한후막형성공정을실시할경우, 증착시기판과의충돌에의한원료분말의크기감소가최소화되고, 그에따라기판과증착막간의응력발생이현저히감소함과동시에증착막을이루는질화물입자간의계면면적이크게줄어들어, 유기물등과같이열전도성을저하시키는이물질을포함하지않은고순도및 고열전도성의질화물후막을제조할수 있다.

Patent Agency Ranking