公开(公告)号：KR101294835B1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：KR1020130000090

申请日：2013-01-02

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 정소희 ,  김사라 ,  김준관 ,  정준호

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A quantum dot solar cell and a method for manufacturing the same are provided to increase photoelectric conversion efficiency two times compared with existing one by forming protrusion parts on a metal oxide layer. CONSTITUTION: A metal oxide layer is formed on a transparent electrode. A quantum dot layer (140) includes quantum dots. A transition metal oxide layer (150) is formed on the quantum dot layer. An opposing electrode (160) is formed on the transition metal oxide layer. The opposing electrode faces the transparent electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种量子点太阳能电池及其制造方法，通过在金属氧化物层上形成突起部分，将光电转换效率提高了两倍。 构成：在透明电极上形成金属氧化物层。 量子点层（140）包括量子点。 在量子点层上形成过渡金属氧化物层（150）。 在过渡金属氧化物层上形成对置电极（160）。 相对电极面对透明电极。