Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 도전 물질의 패터닝 장치는 액체 금속을 포함하는 도전 물질이 형성된 전사 기판, 상기 전사 기판을 이동시키는 회전부, 상기 도전 물질에 레이저 빔을 조사하는 레이저부, 상기 전사 기판과 이격되어 위치하며 상기 도전 물질을 수용하는 수용 기판이 탑재되는 스테이지, 그리고 상기 전사 기판과 인접하여 위치하며 상기 도전 물질을 냉각시키는 냉각부를 포함한다.
Abstract:
본발명의일 실시예에따른유연소자의광전도성측정장치는유연소자샘플에광을조사하는광원, 상기유연소자샘플에변형을가하는변형인가부재, 상기변형인가부재에의해변형된상기유연소자샘플의광전도성의변화를측정하는광전도성측정기를포함하고, 상기유연소자샘플에상기광이조사되어상기유연소자샘플의광전도성이변화할수 있다. 따라서, 본발명의일 실시예에따른유연소자의광전도성측정장치는변형인가부재에의해변형된유연소자샘플의광전도성의변화를측정하는광전도성측정기를포함함으로써, 유연소자에직접변형을가하지않으면서도신속하게유연소자의광전도성을측정할수 있다.
Abstract:
본 발명은 열간 가공성과 연화성을 개선시킨 고강도 리드프레임재용 구리(Cu)-니켈(Ni)-망간(Mn)-실리콘(Si)-주석(Sn)-미쉬메탈(Ms)계 합금과 그 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 고강도 리드프레임재에서 다량으로 첨가하는 고가의 니켈 함량을 줄여서 원가절감을 기하고, 고용강화 및 석출강화형 리드프레임재 합금계인 구리-니켈-실리콘-마그네슘 합금에서 합금용해 중에 산화성이 심한 실리콘의 함량을 유지하기 위하여 탈산능은 강하나, 산화성과 발화성이 심한 마그네슘을 배제하고 안전하면서도 탈산능과 주조조직 미세화를 위한 접종효과가 우수한 미쉬메탈을 첨가하여 원가절감, 생산성, 제조상에서 안전성 및 재료의 내구성을 개선한 새로운 고강도 리드프레임재 합금 및 그 제조방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 구리-니켈-망간-실리콘-주석-미쉬메탈계 합금으로서 0.5~5.0 wt%니켈(Ni)과 0.6~5.0 wt%망간(Mn)과 1.1~3.0 wt%실리콘(Si)과 0.05~3.0 wt% 주석(Sn)과 0.001~1.0 wt% 미쉬메탈(Ms)을 첨가하며 나머지는 구리(Cu)로 조성한 합금 및 이를 제조하는 방법을 요지로 한다. 고강도 리드프레임재료, 구리, 니켈, 망간, 실리콘, 주석, 미쉬메탈, 열간 가공성, 연화온도
Abstract:
본 발명은 열간 가공성과 연화성을 개선시킨 고강도 리드프레임재용 구리(Cu)-니켈(Ni)-망간(Mn)-실리콘(Si)-주석(Sn)-미쉬메탈(Ms)계 합금과 그 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 고강도 리드프레임재에서 다량으로 첨가하는 고가의 니켈 함량을 줄여서 원가절감을 기하고, 고용강화 및 석출강화형 리드프레임재 합금계인 구리-니켈-실리콘-마그네슘 합금에서 합금용해 중에 산화성이 심한 실리콘의 함량을 유지하기 위하여 탈산능은 강하나, 산화성과 발화성이 심한 마그네슘을 배제하고 안전하면서도 탈산능과 주조조직 미세화를 위한 접종효과가 우수한 미쉬메탈을 첨가하여 원가절감, 생산성, 제조상에서 안전성 및 재료의 내구성을 개선한 새로운 고강도 리드프레임재 합금 및 그 제조방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 구리-니켈-망간-실리콘-주석-미쉬메탈계 합금으로서 0.5~5.0 wt%니켈(Ni)과 0.5~5.0 wt%망간(Mn)과 0.1~3.0 wt%실리콘(Si)과 0.05~3.0 wt% 주석(Sn)과 0.001~1.0 wt% 미쉬메탈(Ms)을 첨가하며 나머지는 구리(Cu)로 조성한 합금 및 이를 제조하는 방법을 요지로 한다. 고강도 리드프레임재료, 구리, 니켈, 망간, 실리콘, 주석, 미쉬메탈, 열간 가공성, 연화온도
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본발명의일 실시예에따른유연소자의광전도성측정장치는유연소자샘플에광을조사하는광원, 상기유연소자샘플에변형을가하는변형인가부재, 상기변형인가부재에의해변형된상기유연소자샘플의광전도성의변화를측정하는광전도성측정기를포함하고, 상기유연소자샘플에상기광이조사되어상기유연소자샘플의광전도성이변화할수 있다. 따라서, 본발명의일 실시예에따른유연소자의광전도성측정장치는변형인가부재에의해변형된유연소자샘플의광전도성의변화를측정하는광전도성측정기를포함함으로써, 유연소자에직접변형을가하지않으면서도신속하게유연소자의광전도성을측정할수 있다.