公开(公告)号：KR102239295B1

公开(公告)日：2021-04-12

申请号：KR1020200075595A

申请日：2020-06-22

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 심형철 ,  현승민 ,  김일환 ,  이진영 ,  소혜미 ,  오민섭

IPC: H01M4/1393 ,  H01M4/04 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/1393 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/04 ,  H01M4/587

Abstract: 개시된 흑연의 정렬 구조 형성 방법은, 기판 위에 흑연 입자, 바인더 및 용매를 포함하는 흑연 조성물을 도포하는 단계, 상기 도포된 흑연 조성물에 자기장을 인가하여 상기 흑연 입자를 배향하는 단계, 상기 배향된 흑연 입자를 포함하는 흑연 조성물을 동결하는 단계 및 상기 흑연 조성물의 동결된 용매를 승화시켜 제거하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：WO2021261674A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：PCT/KR2020/014803

申请日：2020-10-28

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 심형철 ,  현승민 ,  이진영 ,  소혜미 ,  오민섭 ,  김일환

IPC: H01M4/1393 ,  H01M4/587 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525 ,  E60

Abstract: 개시된 흑연의 정렬 구조 형성 방법은, 기판 위에 흑연 입자, 바인더 및 용매를 포함하는 흑연 조성물을 도포하는 단계, 상기 도포된 흑연 조성물에 자기장을 인가하여 상기 흑연 입자를 배향하는 단계, 상기 배향된 흑연 입자를 포함하는 흑연 조성물을 동결하는 단계 및 상기 흑연 조성물의 동결된 용매를 승화시켜 제거하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR102239295B1

公开(公告)日：2021-04-12

申请号：KR1020200075595

申请日：2020-06-22

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 심형철 ,  현승민 ,  김일환 ,  이진영 ,  소혜미 ,  오민섭

IPC: H01M4/1393 ,  H01M4/587 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525

Abstract: 개시된흑연의정렬구조형성방법은, 기판위에흑연입자, 바인더및 용매를포함하는흑연조성물을도포하는단계, 상기도포된흑연조성물에자기장을인가하여상기흑연입자를배향하는단계, 상기배향된흑연입자를포함하는흑연조성물을동결하는단계및 상기흑연조성물의동결된용매를승화시켜제거하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101738660B1

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020150164289

申请日：2015-11-23

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 현승민 ,  오민섭 ,  정준호 ,  우창수 ,  이후정

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M10/052

Abstract: 개시된실리콘기반의음극활물질은, 비정질상을가지며, 실리콘, 티타늄및 철의합금을포함한다. 실리콘의원소비율은 80 at% 내지 84 at%이다. 상기실리콘기반의음극활물질은, 티타늄및 철의농도불균일에의한물결형상의패턴을갖는다.

Abstract translation: 所公开的硅基负极活性材料具有非晶相并且包括硅，钛和铁的合金。 硅元件消耗率为80％至84％。 由于钛和铁的浓度不均匀，硅基负极活性材料具有波形图案。

公开(公告)号：KR1020140115159A

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：KR1020130029906

申请日：2013-03-20

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 오민섭 ,  현승민 ,  이후정 ,  정준호 ,  우창수

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/1395

CPC classification number: H01M4/134 ,  C23C14/021 ,  C23C14/025 ,  C23C14/16 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/24 ,  C25D9/04 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/045 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: The present invention relates to an anode for secondary battery wherein a Si layer is formed on the surface after pre-process of the surface of a substrate which is composed of an anode current collector, or an adhesive layer is formed which is composed of at least one among TI, Ta and alloy of TI and Si, and connection force of a contacted face is improved by forming the Si layer on the surface, improving the secondary battery performance; and to a method thereof.

Abstract translation: 本发明涉及一种二次电池用阳极，其特征在于，在由阳极集电体构成的基板的表面进行预处理之后，在表面上形成Si层，或者形成至少包含粘合层的粘合层 TI和Ta中的一种，TI和Si的合金，并且通过在表面上形成Si层来改善接触面的连接力，提高二次电池的性能; 以及其方法。