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1.发明授权수용성 촉매를 이용한 단일층 탄소나노튜브의 선택적성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를포함하는 전자소자 또는 광전소자 失效使用水溶性催化剂和电子装置的单壁碳纳米管的选择性生长的方法或包含形成单壁碳纳米管的光电装置的方法
公开(公告)号：KR100698393B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050024037
申请日：2005-03-23
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 수용성 촉매를 이용한 단일층 탄소나노튜브의 선택적 성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를 포함하는 전자소자 또는 광전소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 탄화수소류의 유기용매를 필요로 하지 않는 수용성 촉매를 이용하기 때문에, 유기용매 사용시 손상되기 쉬운 포토레지스트 패턴을 사용하는 광식각법에 적용가능한 단일층 탄소나노튜브의 선택적 성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를 포함하는 전자소자 또는 광전소자에 관한 것이다.
수용성, 촉매, 단일층, 탄소나노튜브, 선택적, 수평성장, 방법, 전자소자, 광전소자-
2.发明公开수용성 촉매를 이용한 단일층 탄소나노튜브의 선택적성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를포함하는 전자소자 또는 광전소자 失效使用水溶性催化剂和电子装置的单壁碳纳米管的选择性生长的方法或包含形成单壁碳纳米管的光电装置的方法
公开(公告)号：KR1020060102124A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020050024037
申请日：2005-03-23
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , H01L31/04
Abstract: 본 발명은 수용성 촉매를 이용한 단일층 탄소나노튜브의 선택적 성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를 포함하는 전자소자 또는 광전소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 탄화수소류의 유기용매를 필요로 하지 않는 수용성 촉매를 이용하기 때문에, 유기용매 사용시 손상되기 쉬운 포토레지스트 패턴을 사용하는 광식각법에 적용가능한 단일층 탄소나노튜브의 선택적 성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를 포함하는 전자소자 또는 광전소자에 관한 것이다.
수용성, 촉매, 단일층, 탄소나노튜브, 선택적, 수평성장, 방법, 전자소자, 광전소자
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