Abstract:
본 발명은 단일 섬유체 및 상기 단일 섬유체를 감싸는 복수개의 열선을 포함하는 선상 발열재를 포함하고, 상기 열선은 금속 나노와이어; 상기 금속 나노 와이어 상에 코팅되는 유기화합물층; 및 상기 유기 화합물층 상에 코팅되는 금속산화물층을 포함하는 면상 발열 시트에 관한 것으로, 금속 나노와이어; 상기 금속 나노 와이어 상에 코팅되는 유기화합물층; 및 상기 유기 화합물층 상에 코팅되는 금속산화물층을 포함하는 열선을 단일 섬유체 상에 코팅하여 선상 발열재를 형성하고, 이러한 복수개의 선상 발열재를 통해 면상 발열 시트를 구현하기 때문에, 일반적인 직물처럼 자연스럽게 접히거나 구부려 사용할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 졸-겔(sol-gel)법을 통해 금속산화물 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 금속산화물 용액을 제 1전극 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및 상기 코팅된 박막을 180 내지 200 ℃에서 열처리하는 단계(단계 3);를 포함하는 3차원 나노 리플(ripple) 구조의 금속산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명에서는 저온공정을 통해 전기적 특성이 향상된 3차원 나노 리플 형상의 금속산화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 내 질소 성분에 의한 산화아연 박막의 전기적 특성의 변화가 태양전지의 효율을 크게 향상시키는 효과를 나타내었으며, 상기 산화아연 박막은 PET, PEN과 같은 플라스틱 유연 기판에 적용이 가능한 장점이 있다.
Abstract:
PURPOSE: A cantilever type micro contact probe with a hinge structure is provided to remove concentration phenomenon of the stress by supplying the cantilever type minute contact probe having the hinge structure which does not receive moment. CONSTITUTION: An attach unit(11) is attached to a probe card. An extension unit(13) has a double beam shape and spreads from the attach unit in the lateral direction. A contact unit(15) comprises a tip contacting the pad of the semiconductor chip and is perpendicularly projected in the end part of the extension unit. The hinge unit does not transfer the moment to the extension unit from the contact unit and is installed in the extension unit and electric device. The hinge unit is composed of a convex unit(16a) and a concave unit(16b) guiding the convex unit. The hinge unit comprises a gap(14) which is formed in order to keep the convex unit and concave unit.
Abstract:
본 발명은 프로브 카드(probe card)에 사용되는 캔틸레버형 미세 접촉 프로브에 관한 것이다. 반도체 칩의 정상 유무를 전기적으로 테스트하기 위해 사용되는 캔틸레버형 프로브 카드는, 프로브가 수직방향으로 세워져 상단의 프로브 카드 본체에 고정되고 하단의 프로브 끝이 반도체 칩의 패드와 접촉되는 구조를 갖는다. 그리고 완전한 전기적 접촉을 위하여 어느 정도의 접촉력이 필요하며, 패드에 단차가 존재할 경우 이를 극복하기 위해 변형을 흡수할 수 있는 구조를 갖는다. 기존의 단일빔을 가진 캔틸레버형 프로브는 스크럽(Scrub)의 크기가 커서 작은 패드에 사용하는데에는 문제점이 있으며 또한 기존의 이중빔 캔틸레버형 프로브는 응력집중을 완화 시키는 설계를 하기가 매우 까다로운 단점이 있다. 본 발명에서는 스크럽을 줄일 수 있는 이중빔 캔틸레버형 프로브의 장점을 살리면서 힌지구조를 적용하여 탁월한 응력완화 효과를 얻을 수 있어 프로브의 허용변위를 증가시킬수 있는 것을 특징으로 한다. 힌지구조는 모멘트를 받지 않는 구조이므로 기존의 프로브에서 모멘트를 제거시킨 효과를 얻을 수 있기 때문에 응력을 고르게 받을 수 있으므로 프로브의 허용변위가 증가된다. 프로브, 미세 접촉, 캔틸레버형, 힌지 구조, 면외 거동