公开(公告)号：KR101143277B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020090132916

申请日：2009-12-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  박현성 ,  이관현

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 극성 질화물 반도체층에서 발생하는 압전 효과(piezoelectric field) 현상이 없도록 하기 위하여 비극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 비극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 표면 질화층 및 고온의 완충층을 갖는 템플레이트(template) 층을 형성하여 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따라 비극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 광소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 템플레이트층을 형성하는 과정은, 상기 사파이어 기판의 표면을 질화 처리하여 질화층을 형성하는 과정, 상기 질화층 위에 질화물 반도체층을 형성하는 과정, 및 상기 질화물 반도체층 위에 GaN층을 형성하는 과정을 포함한다.
반도체 광소자, 비극성, 사파이어 기판, 템플레이트 층, LED

公开(公告)号：KR1020110076256A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：KR1020090132916

申请日：2009-12-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  박현성 ,  이관현

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/2011 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341

Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar semiconductor device including a substrate surface nitride layer and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of the semiconductor device by lowering the crystalline defect density of a nitride semiconductor layer. CONSTITUTION: A template layer(120) and a photo-element structure are formed on a sapphire substrate with a crystalline surface. In a temperate forming process, a nitrided layer(121) forming process, a nitride semiconductor layer forming process, and a GaN layer forming process are included. The nitrided layer is formed by nitriding the surface of the sapphire substrate. The nitride semiconductor layer is formed on the nitrided layer. The GaN layer is formed on the nitride semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种包括衬底表面氮化物层的高质量非极性半导体器件及其制造方法，以通过降低氮化物半导体层的晶体缺陷密度来提高半导体器件的可靠性。 构成：在具有结晶表面的蓝宝石衬底上形成模板层（120）和光电元件结构。 在温带形成工艺中，包括氮化层（121）形成工艺，氮化物半导体层形成工艺和GaN层形成工艺。 氮化层通过氮化蓝宝石衬底的表面而形成。 氮化物半导体层形成在氮化层上。 GaN层形成在氮化物半导体层上。