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公开(公告)号：KR102230458B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020190088718A
申请日：2019-07-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02376 , H01L21/02271 , H01L21/0274 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다이아몬드 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 다이아몬드 기판 제조 방법은, 사파이어(Al
2 O
3 ) 등의 기판 상에 포토레지스트 패턴 및 에어갭 형성막 물질을 열처리 등을 이용하여 하부기판과의 결정적 상관성을 갖는 에어갭 구조를 형성한 후 다이아몬드를 성장시키는 방법이다. 이 방법을 통해 대면적/대구경 단결정 다이아몬드를 이종성장 시 공정을 간단하게 하고 비용을 낮추며, 이종기판과 다이아몬드 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 응력을 완화시키고 온도 하강 시에도 결함이나 크랙 발생을 감소시켜 고품질의 단결정 다이아몬드 기판을 제작하고, 이종기판으로부터 다이아몬드 기판의 자가 분리가 용이하게 이루어질 수 있다.-
公开(公告)号：WO2011046292A2
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/KR2010/005764
申请日：2010-08-27
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단 , 남옥현 , 이동헌 , 유근호
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 질화물 반도체층의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자 제조 방법은, 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어, SiC, 또는 Si기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서, 상기 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하고 상기 질화물 반도체층을 다공성으로 표면 개질한 후, 상기 표면 개질된 질화물 반도체층 위로 질화물 반도체층을 재성장한 상기 템플레이트층을 형성하고, 상기 템플레이트층 위에 상기 반도체 소자 구조를 형성한다.
Abstract translation:
高品质非极性/半极性半导体器件及其制造从而降低了氮化物半导体层的缺陷密度相同的改善内部量子效率和光提取效率的方法被公开。 该半导体装置的制造方法是非极性或半极性氮化物如蓝宝石，SiC，或产生其形成具有用于半导体层，在衬底上的氮化物生长的晶面的Si基板上的模板层和半导体器件结构的半导体器件的方法 形成半导体层，并用多孔质体形成的氮化物半导体层的表面改性，然后，在所述模板层的上方的氮化物半导体层的再生长表面改性的氮化物半导体层，从而形成在所述半导体器件结构，所述模板层。
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公开(公告)号：WO2011025291A3
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010/005763
申请日：2010-08-27
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단 , 남옥현 , 유근호
IPC: H01L33/02
Abstract: 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자 제조 방법은, 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서, 상기 사파이어 기판을 식각하여 요철 구조 패턴을 형성한 후, 상기 요철 구조 패턴이 형성된 상기 사파이어 기판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성한다.
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公开(公告)号：WO2020111789A2
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/KR2019/016510
申请日：2019-11-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/778
Abstract: 본 발명은 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 질화알루미늄(AlN) 기반의 HEMT 소자는, AlN 버퍼층을 사용하되 GaN/AlN 계면에 AlGaN 조성변화층을 삽입하여 2DHG(이차원정공가스)의 생성 정도를 제거 또는 억제해 2DEG(이차원전자가스) 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG(이차원전자가스)의 이동도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020111790A1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/KR2019/016511
申请日：2019-11-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다이아몬드 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 다이아몬드 기판 제조 방법은, 사파이어(Al 2 O 3 ) 등의 기판 상에 포토레지스트 패턴 및 에어갭 형성막 물질을 열처리 등을 이용하여 하부기판과의 결정적 상관성을 갖는 에어갭 구조를 형성한 후 다이아몬드를 성장시키는 방법이다. 이 방법을 통해 대면적/대구경 단결정 다이아몬드를 이종성장 시 공정을 간단하게 하고 비용을 낮추며, 이종기판과 다이아몬드 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 응력을 완화시키고 온도 하강 시에도 결함이나 크랙 발생을 감소시켜 고품질의 단결정 다이아몬드 기판을 제작하고, 이종기판으로부터 다이아몬드 기판의 자가 분리가 용이하게 이루어질 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020111789A3
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/KR2019/016510
申请日：2019-11-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 본 발명은 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 질화알루미늄(AlN) 기반의 HEMT 소자는, AlN 버퍼층을 사용하되 GaN/AlN 계면에 AlGaN 조성변화층을 삽입하여 2DHG(이차원정공가스)의 생성 정도를 제거 또는 억제해 2DEG(이차원전자가스) 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG(이차원전자가스)의 이동도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2011025290A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010/005762
申请日：2010-08-27
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단 , 남옥현 , 장종진
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 일정 방향으로 경사면을 이루는 사파 이어 결정면의 해당 오프-축(off-axis) 상에 템플레이트(template) 층을 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 비극 성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 사파이어 기판은 결정면이 일정 방향으로 틸트(tilt)된 기판이며, 상기 틸트된 기 판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 방법 이다.
Abstract translation:
本发明去除在非极性/半极性氮化物半导体层的生长中产生的压电现象（压电效应）的氮化物半导体有源层上形成的氮化物半导体晶体，以及一个预定的方向上的可能的蓝宝石晶面极性 一个SAFA构成倾斜面的晶面的关断之后 - 高品质，其在轴线形成一模板（模板）层（离轴），以减小半导体器件的缺陷密度提高的非极性/半极性半导体的内部量子效率和光提取效率 及其制造方法。 在本发明中，悲剧第一或具有半导体层的晶面和制造半导体器件根据在蓝宝石衬底上形成的半导体器件结构的方法在蓝宝石衬底上半极性氮化物生长模板层是晶面是在一定的方向倾斜（ 在倾斜的基板上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
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公开(公告)号：KR101919360B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160028411
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 상기버퍼층에형성된나노막대층; 및상기나도막대층에형성된발광층을포함하는질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
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公开(公告)号：KR101666836B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150117534
申请日：2015-08-20
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 본발명은형광체없는백색발광다이오드및 그제조방법에관한발명으로서, 보다구체적으로는다공성나노마스크층을이용하여활성층(active region)을다중면(multi-facet) 구조로형성시키고, 그에따라활성층내 각위치마다인듐(In)의농도가달라지는것을이용하여형광체를이용하지않고백색광이발광되도록하는백색발광다이오드를제조할수 있는방법에관한것이다. 형광체없는백색발광다이오드에있어서, 다공성나노마스크층; 상기다공성나노마스크층의구멍을통해성장된제1 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는제1 질화물반도체층; 및상기제1 질화물반도체층의상부에제2 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는활성층;을포함할수 있고, 상기제2 질화물반도체는, InGaN이고, 상기 InGaN는상기제1 질화물반도체층의상부에불균일한두께및/또는불균일한인듐(In) 농도로형성되는것을특징으로하는백색발광다이오드및 그제조방법을개시한다.
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公开(公告)号：KR1020140121637A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130038113
申请日：2013-04-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명은 금속 전극과 접촉되는 p-GaN층 없이 그 대신에 밴드 갭 에너지가 큰 AlGaN 등 Al
x In
y Ga
1
-xy N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0Abstract translation: 本发明涉及一种紫外光发射二极管的外延结构，其能够通过增加透光量而不吸收与金属电极接触的层中的紫外线来提高光提取效率，方法是用金属电极 Al x In y Ga 1-x-y N层（0 <= x <=1,0,0≤y≤1,0<= x + y <= 1）像具有大带隙能量的AlGaN代替p-GaN层 与金属电极接触。
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