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公开(公告)号：WO2022149788A1
公开(公告)日：2022-07-14
申请号：PCT/KR2021/020037
申请日：2021-12-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/0735
Abstract: 본 발명은, AlGaN/GaN 이종 접합 박막 구조를 갖는 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 광 여기 전류가 증가 또는 감소하는 광 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 기판; 상기 기판의 상부에 존재하는 AlyGa1-yN 채널층; 및 상기 채널층의 상부에 존재하는 n형 AlxGa1-xN 배리어층을 포함하며, 상기 n형 AlxGa1-xN 배리어층의 상부에는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되어 있고, 상기 x 및 y는 0≤y
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