公开(公告)号：KR1020160024616A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020140111643

申请日：2014-08-26

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 송용원 ,  박상진 ,  이유리

IPC: C25D11/02

CPC classification number: C25D11/02

Abstract: 본발명은바이폴라펄스전류를이용하여저전력으로피막의특성을조절할수 있는금속의산화피막형성방법에관한것으로, 금속을전해액에침지하고, 상기금속을애노드극으로하고대향전극을캐소드극으로하여통전함으로써상기금속의표면에마이크로아크산화코팅을수행하여산화피막을형성하는방법으로서, 상기애노드극과상기캐소드극의사이에는양극성펄스전류가인가되며, 상기전류는애노드펄스단계, 1차휴지단계, 캐소드펄스단계및 2차휴지단계를순차적으로적어도 1회이상수행하는것을특징으로한다. 본발명은, 양극성펄스전류에휴지단계를포함함으로써, 펄스의극성이바뀌는순간에가속된이온및 입자에의해발생하는저항을크게줄일수 있으며, 결국마이크로아크산화공정의효율이높아지는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在能够通过使用双极脉冲电流控制低功率的薄膜的性能的金属上形成氧化薄膜的方法，更具体地，涉及一种在金属上形成氧化薄膜的方法 在金属表面上形成微弧氧化涂层，通过将金属浸入电解液中并将电流施加到金属上，同时允许金属用作阳极，并允许相对电极用作阴极。 阳极脉冲电流施加在阳极和阴极之间。 电流执行连续执行阳极脉冲步骤的一系列处理; 第一个暂停步骤; 阴极脉冲步骤; 和第二暂停步骤至少一次。 在金属上形成氧化薄膜的方法能够显着降低由脉冲电流的极性通过包括没有施加阳极脉冲电流的暂停步骤而改变的离子和颗粒加速产生的电阻。 最终获得提高微弧氧化处理效率的效果。

公开(公告)号：KR1020130007188A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110064201

申请日：2011-06-30

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 송용원 ,  이승인 ,  이유리 ,  박상진 ,  강종성 ,  박태은 ,  이정웅

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing CIGS thin films is provided to simplify a manufacturing process because a separate process or device for manufacture stability is not necessary by using selenium elements instead of hydrogen selenide(H2Se) in a selenization annealing process. CONSTITUTION: A method for manufacturing CIGS thin films includes as follows; a step for forming a CIG precursor on a substrate by sputtering an alloy target including copper, indium, and gallium on the top of the substrate(S10); a step for forming copper-selenium compound, indium-selenium compound, and gallium-selenium compound by primarily annealing the CIG precursor in an selenium atmosphere(S20); a step for forming a CIGS thin film on the top of the substrate by secondarily annealing the copper-selenium compound, the indium-selenium compound, and the gallium-selenium compound in the selenium atmosphere(S30). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Sputtering an alloy target including copper, indium, and gallium on the top of a substrate; (S20) Primarily heat-treating a CIG precursor in a selenium atmosphere; (S30) Secondarily heat-treating a copper-selenium compound, an indium-selenium compound, and a gallium-selenium compound in a selenium atmosphere

Abstract translation: 目的：提供一种制造CIGS薄膜的方法，以简化制造过程，因为在硒化退火工艺中，通过使用硒元素代替硒化氢（H2Se），不需要用于制造稳定性的单独工艺或器件。 构成：制造CIGS薄膜的方法如下： 通过在基板的顶部溅射包含铜，铟和镓的合金靶，在基板上形成CIG前体的步骤（S10）; 通过在硒气氛中主要对CIG前体进行退火来形成铜 - 硒化合物，铟 - 硒化合物和镓 - 硒化合物的步骤（S20）; 通过在硒气氛中二次退火铜 - 硒化合物，铟 - 硒化合物和镓 - 硒化合物，在衬底的顶部上形成CIGS薄膜的步骤（S30）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）在基板的顶部溅射包含铜，铟和镓的合金靶; （S20）主要在硒气氛中热处理CIG前体; （S30）在硒气氛中二次热处理硒 - 硒化合物，铟 - 硒化合物和镓 - 硒化合物