Abstract:
PURPOSE: A Ta(tantalum) sheet for a sputtering target and a manufacturing method thereof are provided to improve purity because the size of final grains of the Ta sheet is below 35 micrometers and is composed of a structure in which orientation is priority. CONSTITUTION: A Ta sheet manufacturing method includes the following steps: Melted and casted Ta ingots or billets are cold-forged and cold-rolled in order and are annealed at 1173-1573K in order to make the mean diameter of the grains to below 35 micrometers. The cold-forging step includes the following steps: A forging process is implemented by applying a plastic working rate of 40-60%. An intermediate forging process is implemented at below the recrystalization temperature of Ta in order to improve processability.
Abstract:
PURPOSE: Tantalum powder and a manufacturing method thereof are provided to efficiently manufacture tantalum powder with high purity by pulverizing a tantalum material through hydrogenation-dehydrogenation. CONSTITUTION: A method for manufacturing tantalum powder comprises the steps of: removing an oxide film from a tantalum material by maintaining the tantalum material in a hydrogen atmosphere with hydrogen pressure of 3-5bar and a temperature range of 700-900°C for a predetermined time(S12), lowering the temperature of the tantalum material to reduce hydrogen into the material(S14), and pulverizing the tantalum material(S22). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Completion; (S10) Heating a tantalum material in a hydrogen atmosphere; (S12) Removing an oxide film by maintenance for a predetermined time; (S14) Furnace cooling; (S22) Pulverizing the tantalum material; (S24) Heating the tantalum material in a vacuum condition; (S26) Removing hydrogen by maintaining for a predetermined time and lowering; (S5) Pre-treating a waste tantalum material
Abstract:
본 발명은, 용해 주조된 탄탈륨 잉고트 또는 빌렛트에 대해, 냉간 단조 및 냉간 압연을 차례로 수행한 후 1173K ~ 1573K에서 재결정 소둔을 수행하여, 결정립의 평균 입경이 35㎛ 이하가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 판재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 의하면, 결정립 미세화 및 결정입도의 균일도가 우수한 탄탈륨 판재를 제조할 수 있게 되고, 특히 탄탈륨 판재의 최종 결정립 크기가 35㎛ 이하가 되며, (111)배향이 우선적인 조직으로 이루어져서 고순도 스퍼터링 타겟으로 이용할 수 있게 된다.
Abstract:
본 발명은 탄탈륨 소재를 3 ~ 5bar 수소 가압의 수소 분위기 및 700 ~ 900℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 및 수소 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하는 제3단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고, 바람직하게는 제1단계에서, 탄탈륨 소재를 5bar 수소 가압의 수소 분위기 및 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 것이 바람직하다. 이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A titanium alloy casting mold and a manufacturing method thereof are provided to remove an interfacial reaction layer from a titanium casting to obtain a high quality titanium alloy casting. CONSTITUTION: A manufacturing method of a titanium alloy casting mold comprises the following steps: mixing 55-90wt% of TiO2 powder with 1-50wt% of tungsten powder using a colloidal silica bonging agent(S1); stirring the mixed powder for more than 12 hours(S2); and sintering the powder mixture at 850-1,200 deg. Celsius(S3).
Abstract:
PURPOSE: A Ti foot peg manufacturing method and apparatus using a vacuum arc melting furnace are provided to obtain pure molten metal without gas or impurities by controlling the vacuum degree for melting and DC voltage and current for arc generation at the proper condition. CONSTITUTION: A Ti foot peg manufacturing method and apparatus using a vacuum arc melting furnace(1) is as follows. A Ti melting electrode(2) is installed in the vacuum arc melting furnace. The Ti melting electrode is melted by the generation of an arc so that molten metal(21) is obtained. The molten metal is injected into a mold(31) rotating centrifugally and the titanium foot peg is casted. The vacuum degree of the vacuum arc melting furnace is less than 5×10-2torr but over 5×10-3torr, and the arc is generated by a 30-45V DC voltage and 7-10kA current.
Abstract:
본 발명은 탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 수소 취화된 탄탈륨 벌크 소재를 분쇄하는 제3단계; 분쇄된 탄탈륨 소재를 진공 분위기에서 열처리하여 탈 수소시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고, 이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
Abstract:
본 발명은, 용해 주조된 탄탈륨 잉고트 또는 빌렛트에 대해, 냉간 단조 및 냉간 압연을 차례로 수행한 후 1173K ~ 1573K에서 재결정 소둔을 수행하여, 결정립의 평균 입경이 50㎛ 이하가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 판재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 의하면, 결정립 미세화 및 결정입도의 균일도가 우수한 탄탈륨 판재를 제조할 수 있게 되고, 특히 탄탈륨 판재의 최종 결정립 크기가 50㎛ 이하가 되며, (111)배향이 우선적인 조직으로 이루어져서 고순도 스퍼터링 타겟으로 이용할 수 있게 된다.
Abstract:
본 발명은 탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 수소 취화된 탄탈륨 벌크 소재를 분쇄하는 제3단계; 분쇄된 탄탈륨 소재를 진공 분위기에서 열처리하여 탈 수소시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고, 이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A molding-sand separating device capable of supporting the recycle of a riser scrap is provided to automatically separate sand grains from a riser remaining in a riser and on the surface of a riser by separating molding-sand from a riser piece by the rotation of a separator. CONSTITUTION: A molding-sand separating device capable of supporting the recycle of a riser scrap includes a main body(100), a separator(200), a driving unit(300), and a door(400). The main body has a first open part(101) in the front side. The separator is equipped inside of the main body to be rotatable and has a second open part(201). The driving unit rotates the separator. The door opens and closes the first open part. If the driving unit is operated in the state of including a riser piece in the separator, molding-sand is separated from the riser piece while rotating the separator.