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公开(公告)号：KR1020120056338A
公开(公告)日：2012-06-04
申请号：KR1020100117812
申请日：2010-11-25
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: PURPOSE: A Ti foot peg manufacturing method and apparatus using a vacuum arc melting furnace are provided to obtain pure molten metal without gas or impurities by controlling the vacuum degree for melting and DC voltage and current for arc generation at the proper condition. CONSTITUTION: A Ti foot peg manufacturing method and apparatus using a vacuum arc melting furnace(1) is as follows. A Ti melting electrode(2) is installed in the vacuum arc melting furnace. The Ti melting electrode is melted by the generation of an arc so that molten metal(21) is obtained. The molten metal is injected into a mold(31) rotating centrifugally and the titanium foot peg is casted. The vacuum degree of the vacuum arc melting furnace is less than 5×10-2torr but over 5×10-3torr, and the arc is generated by a 30-45V DC voltage and 7-10kA current.
Abstract translation: 目的：提供一种使用真空电弧熔化炉的Ti脚钉制造方法和装置，通过控制熔化真空度和适当条件下的电弧产生的直流电压和电流来获得无气体或杂质的纯熔融金属。 构成：使用真空电弧熔化炉（1）的Ti脚钉制造方法和装置如下。 将Ti熔融电极（2）安装在真空电弧熔化炉中。 Ti熔融电极通过产生电弧而熔化，从而获得熔融金属（21）。 将熔融金属注入到离心旋转的模具（31）中，并且铸造钛脚钉。 真空电弧炉的真空度小于5×10-2torr，超过5×10-3torr，电弧由30-45V直流电压和7-10kA电流产生。
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公开(公告)号：KR1020110112590A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031767
申请日：2010-04-07
CPC classification number: Y02P10/24 , Y02W30/541
Abstract: 본 발명은 탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 수소 취화된 탄탈륨 벌크 소재를 분쇄하는 제3단계; 분쇄된 탄탈륨 소재를 진공 분위기에서 열처리하여 탈 수소시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고,
이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR101374281B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020110093927
申请日：2011-09-19
Abstract: 본 발명은, 용해 주조된 탄탈륨 잉고트 또는 빌렛트에 대해, 냉간 단조 및 냉간 압연을 차례로 수행한 후 1173K ~ 1573K에서 재결정 소둔을 수행하여, 결정립의 평균 입경이 35㎛ 이하가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 판재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 의하면, 결정립 미세화 및 결정입도의 균일도가 우수한 탄탈륨 판재를 제조할 수 있게 되고, 특히 탄탈륨 판재의 최종 결정립 크기가 35㎛ 이하가 되며, (111)배향이 우선적인 조직으로 이루어져서 고순도 스퍼터링 타겟으로 이용할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR101284598B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020110034699
申请日：2011-04-14
Abstract: 본 발명은 탄탈륨 소재를 3 ~ 5bar 수소 가압의 수소 분위기 및 700 ~ 900℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 및 수소 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하는 제3단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고, 바람직하게는 제1단계에서, 탄탈륨 소재를 5bar 수소 가압의 수소 분위기 및 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 것이 바람직하다. 이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020120063902A
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020100125076
申请日：2010-12-08
Applicant: 한국생산기술연구원
CPC classification number: B22C9/061 , B22C1/183 , B22D21/005 , B22F3/10
Abstract: PURPOSE: A titanium alloy casting mold and a manufacturing method thereof are provided to remove an interfacial reaction layer from a titanium casting to obtain a high quality titanium alloy casting. CONSTITUTION: A manufacturing method of a titanium alloy casting mold comprises the following steps: mixing 55-90wt% of TiO2 powder with 1-50wt% of tungsten powder using a colloidal silica bonging agent(S1); stirring the mixed powder for more than 12 hours(S2); and sintering the powder mixture at 850-1,200 deg. Celsius(S3).
Abstract translation: 目的：提供钛合金铸造模具及其制造方法，以从钛铸件中除去界面反应层以获得高质量的钛合金铸件。 构成：钛合金铸造模具的制造方法包括以下步骤：使用胶体二氧化硅球化剂（S1）将55-90重量％的TiO 2粉末与1-50重量％的钨粉混合; 搅拌混合粉末超过12小时（S2）; 并在850-1200度烧结该混合物。 摄氏（S3）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101188339B1
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020100059436
申请日：2010-06-23
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: 본 발명은, 용해 주조된 탄탈륨 잉고트 또는 빌렛트에 대해, 냉간 단조 및 냉간 압연을 차례로 수행한 후 1173K ~ 1573K에서 재결정 소둔을 수행하여, 결정립의 평균 입경이 50㎛ 이하가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 판재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 의하면, 결정립 미세화 및 결정입도의 균일도가 우수한 탄탈륨 판재를 제조할 수 있게 되고, 특히 탄탈륨 판재의 최종 결정립 크기가 50㎛ 이하가 되며, (111)배향이 우선적인 조직으로 이루어져서 고순도 스퍼터링 타겟으로 이용할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR101154975B1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020100031767
申请日：2010-04-07
CPC classification number: Y02P10/24 , Y02W30/541
Abstract: 본 발명은 탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 수소 취화된 탄탈륨 벌크 소재를 분쇄하는 제3단계; 분쇄된 탄탈륨 소재를 진공 분위기에서 열처리하여 탈 수소시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고,
이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020130093348A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020120014874
申请日：2012-02-14
Applicant: 한국생산기술연구원
CPC classification number: H01J37/32825 , C04B37/02 , H01J37/32321 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H05H1/24
Abstract: PURPOSE: A manufacturing apparatus of a metal-ceramic fine layered composite material is provided to maintain an insulating state between metals, and to improve the exothermic performance between the metals by directly bonding a metallic base material and a ceramics base material using a high vacuum surface controlled direct bonding method. CONSTITUTION: A manufacturing apparatus of a metal-ceramic fine layered composite material includes a vacuum chamber (100), an ion gun (200), and a bonding unit (300). The vacuum chamber has the plasma-generating gas atmosphere. The ion gun generates plasma using plasma-generating gas. The bonding unit is installed in the vacuum chamber, stores a metallic base material and a ceramics base material, and surface contacts the metallic base material and the ceramics base material if necessary. When the metallic base material and the ceramics base material are surface-activated by the plasma, the surface activated surfaces contact and bond to each other by the bonding unit. The bonding unit includes a first mounting member (310), a second mounting member (320), and a driver (330).
Abstract translation: 目的：提供金属 - 陶瓷微细复合材料的制造装置，以保持金属之间的绝缘状态，并且通过使用高真空表面直接接合金属基材和陶瓷基材来提高金属之间的放热性能 控制直接键合法。 构成：金属 - 陶瓷精细层状复合材料的制造装置包括真空室（100），离子枪（200）和接合单元（300）。 真空室具有等离子体产生气体气氛。 离子枪使用等离子体产生气体产生等离子体。 接合单元安装在真空室中，存储金属基材和陶瓷基材，如果需要，表面接触金属基材和陶瓷基材。 当金属基材和陶瓷基材由等离子体表面活化时，表面活化表面通过接合单元彼此接触并结合。 接合单元包括第一安装构件（310），第二安装构件（320）和驱动器（330）。
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公开(公告)号：KR1020130030456A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：KR1020110093927
申请日：2011-09-19
Abstract: PURPOSE: A Ta(tantalum) sheet for a sputtering target and a manufacturing method thereof are provided to improve purity because the size of final grains of the Ta sheet is below 35 micrometers and is composed of a structure in which orientation is priority. CONSTITUTION: A Ta sheet manufacturing method includes the following steps: Melted and casted Ta ingots or billets are cold-forged and cold-rolled in order and are annealed at 1173-1573K in order to make the mean diameter of the grains to below 35 micrometers. The cold-forging step includes the following steps: A forging process is implemented by applying a plastic working rate of 40-60%. An intermediate forging process is implemented at below the recrystalization temperature of Ta in order to improve processability.
Abstract translation: 目的：提供用于溅射靶的Ta（钽）片及其制造方法，以提高纯度，因为Ta片的最终晶粒的尺寸低于35微米，并且由优先取向的结构构成。 构成：Ta片材的制造方法包括以下步骤：熔融和铸造的钽锭或坯料按照冷锻和冷轧的方法，并在1173-1573K下进行退火，以使晶粒的平均直径小于35微米 。 冷锻步骤包括以下步骤：通过施加40-60％的塑性加工率来实施锻造过程。 在Ta的重结晶温度以下进行中间锻造工序，以提高加工性。
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公开(公告)号：KR1020120117132A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110034699
申请日：2011-04-14
CPC classification number: B22F9/04 , B22F9/16 , B22F2009/044 , B22F2201/013 , B22F2201/20
Abstract: PURPOSE: Tantalum powder and a manufacturing method thereof are provided to efficiently manufacture tantalum powder with high purity by pulverizing a tantalum material through hydrogenation-dehydrogenation. CONSTITUTION: A method for manufacturing tantalum powder comprises the steps of: removing an oxide film from a tantalum material by maintaining the tantalum material in a hydrogen atmosphere with hydrogen pressure of 3-5bar and a temperature range of 700-900°C for a predetermined time(S12), lowering the temperature of the tantalum material to reduce hydrogen into the material(S14), and pulverizing the tantalum material(S22). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Completion; (S10) Heating a tantalum material in a hydrogen atmosphere; (S12) Removing an oxide film by maintenance for a predetermined time; (S14) Furnace cooling; (S22) Pulverizing the tantalum material; (S24) Heating the tantalum material in a vacuum condition; (S26) Removing hydrogen by maintaining for a predetermined time and lowering; (S5) Pre-treating a waste tantalum material
Abstract translation: 目的：提供钽粉及其制造方法，通过氢化脱氢粉碎钽材料，有效地制造高纯度的钽粉。 构成：制造钽粉的方法包括以下步骤：通过将钽材料保持在氢气气氛中，氢气压力为3-5巴，温度范围为700-900℃，将钽材料从钽材料中除去预定的 时间（S12），降低钽材料的温度以将氢气还原成材料（S14），并粉碎钽材料（S22）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）完成; （S10）在氢气氛中加热钽材料; （S12）通过维护规定时间除去氧化膜; （S14）炉冷却; （S22）粉碎钽材料; （S24）在真空条件下加热钽材料; （S26）通过维持预定时间并降低来除去氢; （S5）预处理废钽材料
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