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公开(公告)号：KR102224170B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190038553A
申请日：2019-04-02
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: G01N23/2251 , G01B15/02 , G01B15/04 , G01B15/08
CPC classification number: G01N23/2251 , G01B15/02 , G01B15/04 , G01B15/08 , G01N21/17 , G01N2223/418 , G01N2223/611
Abstract: 본 발명은 그래핀의 물리적 형상 분석방법에 관한 것이다.
본 발명의 그래핀의 물리적 형상 분석방법은 다수의 미세 홈을 가지는 실리콘기판을 준비하고, 상기 실리콘기판상에 그래핀 및 금속코팅막이 올려진 시편으로 제작한 후 주사형 전자현미경(SEM) 장비를 이용하여 관찰하되, 상기 실리콘기판이 판판한 바닥과 다양한 경사각을 가지므로, 그래핀 형상에 관련된 두께, 넓이, 직경, 구겨짐, 평탄도 등의 물리적 성질을 SEM 장비를 이용하여 분석할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR101798382B1
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160044658
申请日：2016-04-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은에너지원의조사방향등의조작없이도식각면을독특한불규칙패턴구조로형성시킬수 있으며, 그과정에서파티클오염이나식각부위주변에크랙이발생하지않도록하는수중플라즈마유도에의한비정형식각계면형성방법에관한것이다. 본발명은『(a) 일면에코팅막이형성된기판을물에넣는단계; (b) 상기기판의코팅막부분에플라즈마유도에너지원을조사하는단계; 및 (c) 상기에너지원의출력을높여플라즈마와함께직경 1㎜이상의기포가발생하도록하여, 비정형식각계면이형성되도록하는단계;를포함하는수중플라즈마유도에의한비정형식각계면형성방법』을제공한다.
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公开(公告)号：KR101790507B1
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020150182974
申请日：2015-12-21
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은플라즈마를이용한그래핀패밀리의유기원소성분분석장치를이용한그래핀패밀리유기원소성분정량·정성분석방법에관한것이다. 본발명은『(1) 유기원소성분분석장치를준비하는단계; (2) 상기그래핀패밀리원소성분분석장치를이용하여기준물질의원소성분레퍼런스를도출하는단계; (3) 상기그래핀패밀리원소성분분석장치를이용하여분석대상물질의원소성분을분석하는단계; 및 (4) 상기레퍼런스를기준으로분석대상물질의원소성분을정성분석하는단계; 를포함하는그래핀패밀리유기원소성분정량·정성분석방법』을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用等离子体分析石墨烯族的有机元素组分的装置来定量分析石墨烯族的有机组分的方法。
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公开(公告)号：KR101790506B1
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020150182919
申请日：2015-12-21
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은플라즈마를이용한그래핀패밀리의유기원소성분분석방법및 장치에관한것이다. 본발명은『(a) 물에그래핀패밀리를녹인그래핀수용액제조단계; (b) 상기물 및물에녹은그래핀패밀리를플라즈마상태로유도하여상기그래핀패밀리를완전해리시키는단계; 및 (c) 상기플라즈마내 유기원소들을검출기로보내성분을분석하는단계; 를포함하는그래핀패밀리유기원소성분분석방법』을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用等离子体分析石墨烯族的有机元素组分的方法和设备。 本发明涉及：（a）制备其中石墨烯族溶于水的石墨烯水溶液的步骤; （b）诱导溶解在水中的石墨烯族和物质进入等离子态以完全溶解石墨烯族; 并且（c）通过将等离子体中的有机元素发送到检测器来分析组分; 一种分析石墨烯家族有机元素组分的方法，包括以下步骤：
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170117255A
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020160044657
申请日：2016-04-12
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/3213
Abstract: 본발명은수중에서기판에코팅된전기전도막(투명전도막포함) 내부에플라즈마를유도시킴으로써기판의손상없이기판에코팅된전기전도막을식각하여패턴을형성시키는수중플라즈마유도에의한기판전기전도막식각방법에관한것이다. 본발명은『(a) 상면에전기전도막이코팅된기판을물에넣는단계; 및 (b) 상기기판의하면에플라즈마유도에너지원을조사하는단계;를포함하여이루어지는수중플라즈마유도에의한전기전도막식각방법』을제공한다.
Abstract translation: 本发明可以在导电涂层的基板（包括透明导电膜）衬底电力通过诱导形成涂布在基材上的导电蚀刻膜的图案水下等离子体上的薄膜，而不通过在内部导体层诱导的等离子体损坏基板 和一种蚀刻方法。 （A）将涂覆有导电膜的基底放置在其上表面上的水中; （b）用等离子体诱发能量源照射衬底本发明还提供了通过水下等离子体诱导蚀刻导电膜的方法。
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公开(公告)号：KR1020170074280A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150182919
申请日：2015-12-21
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은플라즈마를이용한그래핀패밀리의유기원소성분분석방법및 장치에관한것이다. 본발명은『(a) 물에그래핀패밀리를녹인그래핀수용액제조단계; (b) 상기물 및물에녹은그래핀패밀리를플라즈마상태로유도하여상기그래핀패밀리를완전해리시키는단계; 및 (c) 상기플라즈마내 유기원소들을검출기로보내성분을분석하는단계; 를포함하는그래핀패밀리유기원소성분분석방법』을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170117256A
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020160044658
申请日：2016-04-12
Applicant: 한국세라믹기술원
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C14/0005 , H05H1/24
Abstract: 본발명은에너지원의조사방향등의조작없이도식각면을독특한불규칙패턴구조로형성시킬수 있으며, 그과정에서파티클오염이나식각부위주변에크랙이발생하지않도록하는수중플라즈마유도에의한비정형식각계면형성방법에관한것이다. 본발명은『(a) 일면에코팅막이형성된기판을물에넣는단계; (b) 상기기판의코팅막부분에플라즈마유도에너지원을조사하는단계; 및 (c) 상기에너지원의출력을높여플라즈마와함께직경 1㎜이상의기포가발생하도록하여, 비정형식각계면이형성되도록하는단계;를포함하는수중플라즈마유도에의한비정형식각계면형성방법』을제공한다.
Abstract translation: 本发明是如何形成的，并且在操作蚀刻表面上形成，而不在能量源，感应，以防止在过程中出现的裂纹，向周围的颗粒污染和腐蚀区域表面水下等离子体的不规则蚀刻的这种照射方向鲜明不规则图案结构sikilsu Lt。 （A）将其一个表面上具有涂膜的基板置于水中; （b）用等离子体诱导能量源照射衬底涂层膜的一部分; 和（c），以确保气泡比直径1㎜与等离子体增加能量源的输出发生时，非晶蚀刻界面处形成;可以通过诱导含有水下等离子提供非晶蚀刻界面的形成方法” 。
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公开(公告)号：KR1020170020603A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150113954
申请日：2015-08-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은「(a) 기판의일면에투명전도막이코팅된전기전도성기판을준비하는단계; (b) 상기전기전도성기판의표면을식각하는단계; (c) 식각된전기전도성기판의표면에경화형전구체를코팅하여경화형코팅막을형성시키는단계; (d) 상기경화형코팅막을건조시키는단계; (e) 상기경화형코팅막을경화시키는단계; 및 (f) 상기경화형코팅막중 경화가덜 된부분을제거하는단계;를포함하여이루어지는원적외선히터소자제조방법」을제공한다.
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