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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101615031B1
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：KR1020140144057
申请日：2014-10-23
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0749
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/0749
Abstract: CuInGaSe(이하, "CIGS") 조성으로되는태양전지용광전변환막의제조방법이개시된다. 먼저, CIGS 분말을에어로졸화하고상기에어로졸화된 CIGS 분말을기판상으로분사하여후막공정을이용하여 CIGS 후막을형성하는단계와, 상기 CIGS 후막을가압하여소성변형을야기하고상기 CIGS 후막내의입자를성장시켜상기 CIGS 후막을치밀화하는단계를포함한다. 또한, 상기제조방법은상기치밀화된 CIGS 후막을열처리하는단계를더 포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造具有CuIn_（1-x）Ga_xSe_2（以下称为“CIGS”）的组合的太阳能电池用光电转换膜的方法，其可以简化其制造工艺，可以降低其制造成本，并且可以形成闭合 具有理想的太阳能电池特性的CIGS膜。 首先，该方法包括以下步骤：通过使CIGS粉末雾化并将雾化的CIGS粉末喷涂到基底上，使用厚膜方法形成厚CIGS膜; 并通过压制厚的CIGS膜来致密化厚的CIGS膜，以在厚的CIGS膜内产生塑性变形和生长颗粒。 制造方法还可以包括加热致密的厚CIGS膜的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150114451A
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020150126855
申请日：2015-09-08
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , C01G9/02 , C01B35/10 , C01B33/12
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은주 조성을 Bi-Zn-B-Si-O로하고이에첨가제로서 NaO, AlO및 PbO 중의하나이상을포함하되, CaO는함유하지않는글라스프릿조성물을개시한다. 또한, 본발명은이에부가하여 BaO, ZrO, KO및 LiCl 중의하나이상이첨가된글라스프릿조성물을개시한다. 이들글라스프릿조성물은낮은계면저항값을갖고특히태양전지에있어서반사방지막이코팅된 Si 기판상에전면전극으로서형성될때 상기반사방지막에대한우수한식각특성을보이고 Si 기판과의우수한오믹컨택을형성함으로써우수한계면저항특성을나타낸다.
Abstract translation: 本发明涉及包含Na 2 O，Al 2 O 3和PbO中的一种或多种作为添加剂但不含CaO的玻璃料组合物，其中主要成分是Bi-Zn-B-Si-O。 此外，本发明还公开了包含Ba 2 O 3，ZrO，K 2 O 2和LiCl中的一种或多种的玻璃料组合物。 玻璃料组合物具有低的界面电阻值，特别地，当在防反射层上涂覆有防反射层的Si衬底上形成防反射层作为前电极时，抗反射层具有优异的蚀刻特性 太阳能电池，并通过与Si衬底形成突出的欧姆接触而表现出极好的界面电阻特性。
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公开(公告)号：KR1020150066106A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130151232
申请日：2013-12-06
Applicant: 한국세라믹기술원
CPC classification number: H01L51/102 , H01B1/08 , H01B1/16 , H01B1/22
Abstract: 본발명은주 조성을 Bi-Zn-B-Si-O로하고이에첨가제로서 NaO, AlO및 PbO 중의하나이상을포함하되, CaO는함유하지않는글라스프릿조성물을개시한다. 또한, 본발명은이에부가하여 BaO, ZrO, KO및 LiCl 중의하나이상이첨가된글라스프릿조성물을개시한다. 이들글라스프릿조성물은낮은계면저항값을갖고특히태양전지에있어서반사방지막이코팅된 Si 기판상에전면전극으로서형성될때 상기반사방지막에대한우수한식각특성을보이고 Si 기판과의우수한오믹컨택을형성함으로써우수한계면저항특성을나타낸다.
Abstract translation: 公开了作为主要成分的Bi-Zn-B-Si-O和作为添加剂的Na 2 O，Al 2 O 3和PbO中的至少一种，不包括CaO的玻璃料组合物。 此外，公开了一种玻璃料组合物，其中加入至少一种来自Ba2O3，ZrO，K2O2和LiCl的组合物。 玻璃料组合物：具有低界面电阻值; 特别是当在太阳能电池中涂覆有防反射膜的Si衬底上形成正电极时，特别是防反射膜的蚀刻性能优异; 与Si衬底进行极好的接触; 因此具有优异的界面电阻。
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公开(公告)号：KR101581645B1
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020150126855
申请日：2015-09-08
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , C01G9/02 , C01B35/10 , C01B33/12
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은주 조성을 Bi-Zn-B-Si-O로하고이에첨가제로서 NaO를포함하되, CaO는함유하지않는글라스프릿조성물을개시한다. 또한, 본발명은이에부가하여 BaO, ZrO, KO및 LiCl 중의하나이상이첨가된글라스프릿조성물을개시한다. 이들글라스프릿조성물은낮은계면저항값을갖고특히태양전지에있어서반사방지막이코팅된 Si 기판상에전면전극으로서형성될때 상기반사방지막에대한우수한식각특성을보이고 Si 기판과의우수한오믹컨택을형성함으로써우수한계면저항특성을나타낸다.
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公开(公告)号：KR101442498B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020130136834
申请日：2013-11-12
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: The present invention provides a method for simply and easily manufacturing photoelectric transformation films having a composition of Cu(In1-xGax)Se2. To that end, the method includes: a step of making raw material powder from Cu source powder, In source powder, Ga source powder, and Se source powder with a basis weight according to an empirical formula of CuIn1-xGaxSe2 (hereafter CIGS), inserting the raw material powder into a sealed container, and milling the raw material powder in a mechanochemical method to produce CIGS powder; a step of aerosolizing the CIGS power in a first chamber, spraying the aerosolized CIGS powder from the first chamber onto a substrate in a second chamber to form a CIGS thick film; and a step of producing a CIGS photoelectric transformation film by thermal-processing the formed CIGS thick film under an Se atmosphere to make the film semi-conducting.
Abstract translation: 本发明提供了简单且容易地制造具有Cu（In1-xGax）Se2组成的光电转换膜的方法。 为此，该方法包括：根据CuIn1-xGaxSe2（以下称CIGS）的经验公式从Cu源粉末，源粉末，Ga源粉末和Se源粉末中制备原料粉末的步骤， 将原料粉末插入密封容器中，并以机械化学方法研磨原料粉末以制备CIGS粉末; 将第一室中的CIGS功率雾化的步骤，将来自第一室的雾化的CIGS粉末喷射到第二室中的基底上以形成CIGS厚膜; 以及通过在Se气氛下对形成的CIGS厚膜进行热处理以使膜半导体化而制造CIGS光电转换膜的步骤。
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