고방열성 질화규소 기판의 제조방법

    公开(公告)号:KR102172600B1

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:KR20180127129

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 본발명은, Si3N4계기판을준비하는단계와, 상기 Si3N4계기판을산(acid) 용액에담그고산(acid) 처리하여가수분해반응을유도하면서상기 Si3N4계기판표면에하이드록시(-OH)기가형성되게하는단계와, 용매에그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을첨가하여그래핀옥사이드가분산된용액을형성하는단계와, 상기하이드록시(-OH)기가형성된 Si3N4계기판표면에상기그래핀옥사이드가분산된용액을코팅하고건조하여그래핀옥사이드가코팅된 Si3N4계기판을형성하는단계및 상기그래핀옥사이드가코팅된 Si3N4계기판을열환원처리하여상기그래핀옥사이드가그래핀으로변화되게하여그래핀이코팅된 Si3N4계기판을수득하는단계를포함하는고방열성질화규소기판의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, Si3N4계기판에화학적결합을형성하는하이드록시(hydroxy, -OH)기가형성되므로 Si3N4계기판과그래핀코팅층사이의접착력을증진시킬수 있고, Si3N4계기판에형성된그래핀코팅층이열확산을증가시켜효과적으로열전달을할 수있으며, 열전도도특성도개선될수 있다.

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