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公开(公告)号：KR1020130123577A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120046801
申请日：2012-05-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: B01J6/007 , B01J19/24 , C01B33/037
Abstract: The present invention relates to a silicon melting reactor which includes a silicon melting part which includes a quartz crucible with an outlet for discharging silicon material and a graphite crucible which is formed to correspond to the quartz crucible to surround the outside of the quartz crucible; an oxidation source input part which removes impurities included in the silicon material by injecting reactive sources to remove impurities and steam to enhance the vapor pressure into the quartz crucible, and a heating part which is formed outside the graphite crucible and heats the graphite crucible and the quartz crucible.
Abstract translation: 本发明涉及一种硅熔融反应器，其包括硅熔化部分，该熔化部分包括具有用于排出硅材料的出口的石英坩埚和形成为与石英坩埚对应以包围石英坩埚外部的石墨坩埚; 氧化源输入部，其通过注入反应性源除去杂质和蒸汽来除去包含在硅材料中的杂质，以提高石英坩埚中的蒸汽压力;以及加热部件，其形成在石墨坩埚外部并加热石墨坩埚和 石英坩埚
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公开(公告)号：KR101397979B1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020120075043
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 실리콘의 정련 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 정련 장치는 진공 분위기를 유지하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun), 상기 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되며, 실리콘 원료물질이 장입되어 상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부, 상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부를 포함하고, 상기 연결탕로부는 하면부와 상기 하면부의 양 끝단에서 실질적으로 수직방향으로 연장된 한쌍의 측면부를 포함하고, 상기 실리콘 용탕이 이송되는 방향에 따라 상기 하면부의 단면적이 작아질 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140008484A
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020120075038
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , H01L31/042 , C30B29/06
CPC classification number: Y02E10/50 , C01B33/037 , C01P2006/80
Abstract: Disclosed is an apparatus for refining silicone. The apparatus for refining silicone according to the embodiment of the present invention comprises a silicon melting part which stores molten silicon and one-way direction solidifying part which receives the molten silicone from the silicon melting part and solidifies the molten silicon. The silicon melting part is arranged in the outer side and includes a fluid path part in which fluid flows. The fluid path part includes a first fluid path part which contains multiple fluid paths formed with a plurality of slits and a second fluid path part which is connected to the first fluid path part and forms one fluid path by connecting the multiple fluid paths to each other.
Abstract translation: 公开了一种用于精制硅酮的设备。 根据本发明的实施方式的硅化物的精制装置包括：硅熔融部，其存储熔融硅;单向凝固部，其从硅熔融部接收熔融硅酮，使熔融硅固化。 硅熔化部分布置在外侧，并且包括流体流动的流体路径部分。 流体路径部分包括第一流体路径部分，其包含形成有多个狭缝的多个流体路径，以及第二流体路径部分，其连接到第一流体路径部分并且通过将多个流体路径彼此连接而形成一个流体路径 。
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公开(公告)号：KR1020130123575A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120046798
申请日：2012-05-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C01B33/021 , H01L21/02
Abstract: The present invention relates to a manufacturing apparatus for poly silicon using a single crystal silicon button. The said manufacturing apparatus comprises: a vacuum chamber to maintain a vacuum condition; an irradiation part for electron beam mounted on the vacuum chamber; a silicon melting bath arranged in the irradiation region of electron beam and in which silicon particles are melted by the electron beam to become molten silicon; a unidirectional coagulation bath having a cooling channel in the lower part to coagulate molten silicon supplied by the silicon melting bath; and a start block containing a single crystal silicon button which is manufactured separately and placed inside the unidirectional coagulation bath to transport the molten silicon supplied by the silicon melting bath to the lower part of the unidirectional coagulation bath and a graphite dummy bar which is attached to the lower part of the single crystal silicon button to enable the single crystal silicon button to move.
Abstract translation: 本发明涉及使用单晶硅按钮的多晶硅制造装置。 所述制造装置包括：保持真空条件的真空室; 用于安装在真空室上的电子束的照射部分; 设置在电子束的照射区域的硅熔融槽，其中硅粒子被电子束熔化成熔融硅; 单向凝结浴，其在下部具有冷却通道，以凝固由硅熔融浴供应的熔融硅; 以及包含单晶硅按钮的开始块，其单独制造并放置在单向凝结浴内以将由硅熔融浴供应的熔融硅输送到单向凝结浴的下部，以及石墨虚拟棒，其附接到 单晶硅按钮的下部，以使单晶硅按钮移动。
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公开(公告)号：KR101475755B1
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020120092234
申请日：2012-08-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , C01B33/04 , B01J19/24
Abstract: 실리콘의정련장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘의정련장치는실리콘용탕을저장하는실리콘용융부및 상기실리콘용융부의실리콘용탕을공급받아상기실리콘용탕을응고시키는일방향응고부를포함하고, 상기일방향응고부는외측에배치된복수의냉각유로부를갖고, 상기복수의냉각유로부중 적어도어느하나의냉각유로부의유로폭은나머지유로폭보다클 수있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101401347B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120075038
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , H01L31/042 , C30B29/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 실리콘의 정련 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 정련 장치는 실리콘 용탕을 저장하는 실리콘 용융부 및 상기 실리콘 용융부의 실리콘 용탕을 공급받아 상기 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부를 포함하고, 상기 실리콘 용융부는 외측에 배치되며, 유체가 흐르는 유로부를 포함하고, 상기 유로부는 복수 개의 슬릿에 의해 형성된 복수의 유로를 포함하는 제 1 유로부와 상기 제 1 유로부에 연장되고, 상기 복수의 유로가 서로 연결되어 하나의 유로를 형성하는 제 2 유로부를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020140026746A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120092234
申请日：2012-08-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , C01B33/04 , B01J19/24
CPC classification number: C01B33/037 , B01J19/006 , B01J19/24 , B01J2219/00087 , B01J2219/00765 , C30B29/06
Abstract: Disclosed is a silicon refining device. The silicon refining device of an embodiment of the present invention comprises the following: a silicon melting unit for storing molten silicon; and a one-way coagulating unit receiving the molten silicon from the silicon melting unit and coagulating the molten silicon. The one-way coagulating unit includes multiple cooling flow path units located on the outside. The flow path width of one cooling flow path unit among the multiple cooling flow path units is bigger than the flow path width of the other flow path units.
Abstract translation: 公开了一种硅精炼装置。 本发明实施例的硅精炼装置包括：用于储存熔融硅的硅熔化单元; 以及单向凝结单元，其从所述硅熔融单元接收所述熔融硅并使所述熔融硅凝结。 单向凝结单元包括位于外部的多个冷却流路单元。 多个冷却流路单元中的一个冷却流路单元的流路宽度大于其他流路单元的流路宽度。
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公开(公告)号：KR1020140008066A
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020120075044
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/04 , C01B33/021 , B01J19/12
CPC classification number: C01B33/037 , C30B11/04 , C30B29/06
Abstract: An apparatus for refining silicon is disclosed. The present invention provides the apparatus for refining silicon capable of removing volatile impurities comprising: a vacuum chamber which maintains vacuum atmosphere; at least one electron-gun which is equipped in the vacuum chamber and conducts electronic beam irradiation; a raw material supply part which supplies silicon raw materials to the vacuum chamber; a silicon fusion part which is arranged in an area which is irradiated with electronic beams, is filled with silicon raw materials and forms molten silicon by melting the silicon raw materials with the electronic beams; a monodirectional solidification part which solidifies the molten silicon supplied from the silicon fusion part; and a connection furnace part which is formed by bringing a first channel part of the silicon fusion part into contact with a second channel part of the monodirectional solidification part, wherein the position of the central axis of the connection furnace part is different from the position of the central axis of inlet port of the raw material supply part. Accordingly, the present invention is able to improve the efficiency of vacuum refining by making the moving path of the molten silicon long and securing sufficient time and space required in removal of the volatile impurities left in the inner space.
Abstract translation: 公开了一种用于精制硅的设备。 本发明提供了一种能够除去挥发性杂质的硅精制装置，包括：保持真空气氛的真空室; 至少一个电子枪，装在真空室中并进行电子束照射; 原料供给部，其向真空室供给硅原料; 布置在用电子束照射的区域中的硅熔融部分填充有硅原料并通过用电子束熔化硅原料形成熔融硅; 固化从硅熔融部供给的熔融硅的单向凝固部; 以及连接炉部，其通过使所述硅熔融部的第一通路部与所述单向凝固部的第二通路部接触而形成，所述连接炉部的中心轴的位置与所述连接炉部的位置不同， 原料供给部的入口的中心轴。 因此，本发明能够通过使熔融硅的移动路径长并且确保去除留在内部空间中的挥发性杂质所需的足够的时间和空间来提高真空精炼的效率。
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公开(公告)号：KR101441856B1
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020120075044
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/04 , C01B33/021 , B01J19/12
CPC classification number: C01B33/037 , C30B11/04 , C30B29/06
Abstract: 실리콘의 정련 장치가 개시된다.
진공 분위기를 유지하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun), 상기 진공챔버 내에 실리콘 원료물질을 공급하는 원료 공급부, 상기 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되며, 상기 실리콘 원료물질이 장입되어 상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부, 상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부를 포함하고, 상기 연결탕로부의 중심축은 상기 원료 공급부의 투입구의 중심축과 다른 위치에 있는 휘발성 불순물 제거를 위한 실리콘의 정련 장치가 제공될 수 있다. 이에 따라, 실리콘 용탕의 이동경로를 길게 하여 내부에 존재하는 휘발성 불순물이 제거되는 시간과 공간을 충분히 확보하여 진공 정련의 효율을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR101396478B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120035451
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/021 , C01B33/02 , B01J19/08
Abstract: 본 발명은 경사진 일방향응고부를 이용한 폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로서, 상기한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 진공 분위기를 유지하는 진공챔버, 상기 진공챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 전자빔조사부, 입자형태의 실리콘원료가 장입되며, 상기 전자빔조사부로부터 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되어 전자빔에 의해 실리콘원료가 용융되어 실리콘용탕이 만들어지는 실리콘용융부, 하부에 상기 실리콘용융부로부터 공급되는 상기 실리콘용탕을 응고시키는 냉각채널이 형성되며 동일한 단면적을 가지는 용탕투입부 및 상기 용탕투입부의 하부에 연결되며 하부방향의 단면적이 증가하도록 경사지게 형성된 용탕안내부를 포함하는 일방향응고부 및 상기 일방향응고부 내부에 구비되는 실리콘버튼 및 상기 실리콘버튼 하면에 접� ��되어 상기 실리콘버튼을 이동시키는 더미바를 가지는 스타트블럭을 포함한다.
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