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1.发明授权용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지 有权通过CuIn，GaSe2或CuIn，GaS，Se2薄膜太阳能电池和太阳能电池的化学浴沉积制备InxOOH，Sy缓冲层
公开(公告)号：KR100625082B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020040085236
申请日：2004-10-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)
2 (이하 "CIGSS" ) 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도(pH)는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액 내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다.
용액성장법, 태양전지, 버퍼층, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드, Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂-
2.发明公开용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지 有权用于CU（IN，GA）SE2或CU（IN，GA）（S，SE）的化学浴沉积的INX（OOH，S）Y缓冲层的制造2薄膜太阳能电池及其制造的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020060036190A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020040085236
申请日：2004-10-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)
2 (이하 "CIGSS" ) 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액 내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다.
용액성장법, 태양전지, 버퍼층, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드, Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂
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