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公开(公告)号：KR100347106B1
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：KR1020000041222
申请日：2000-07-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L21/203 , C25D15/02
Abstract: 본 발명은 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 금속 원소인 Cu, In, Se 보다 낮은 온도에서 진공증발이 가능한 Se계 이원화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 )과 Se을 진공에서 동시에 증발증착하여 저가 고효율의 CuInSe
2 박막을 제조하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성은 CuInSe
2 (CIS) 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 태양전지의 CIS 화합물반도체 박막을 제조하는 방법에 있어서,
금속원소가 아닌 Se계 이원화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 )과 Se을 동시증발물질로 사용하여 진공증발증착실에서 기판의 온도에 변화를 주면서 순차적으로 증발증착하여 CuInSe
2 계 박막을 제조하는 것을 요지로 한다.-
公开(公告)号：KR1019980012650A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960028492
申请日：1996-07-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
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Patent Agency Ranking4.发明授权용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지 有权通过CuIn，GaSe2或CuIn，GaS，Se2薄膜太阳能电池和太阳能电池的化学浴沉积制备InxOOH，Sy缓冲层
公开(公告)号：KR100625082B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020040085236
申请日：2004-10-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)
2 (이하 "CIGSS" ) 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도(pH)는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액 내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다.
용액성장법, 태양전지, 버퍼층, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드, Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂-
5.发明公开용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지 有权用于CU（IN，GA）SE2或CU（IN，GA）（S，SE）的化学浴沉积的INX（OOH，S）Y缓冲层的制造2薄膜太阳能电池及其制造的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020060036190A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020040085236
申请日：2004-10-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)
2 (이하 "CIGSS" ) 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액 내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다.
용액성장법, 태양전지, 버퍼층, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드, Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂-
公开(公告)号：KR100220371B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019960028492
申请日：1996-07-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 황화-카드뮴(CdS) 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, CBD법으로 제조한 황화-카드뮴(CdS) 박막을 염화-카드뮴(CdCl
2 ) 열처리함으로서 결정의 크기가 크고 치밀하며, 표면 또한 평탄한 황화-카드뮴(CdS) 박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로 기판을 세척하고 CBD법을 사용하여 황화-카드뮴(CdS) 박막을 제조하고 제조된 황화-카드뮴(CdS) 박막을 염화-카드뮴(CdCl
2 ) 용액이나 염화-카드뮴(CdCl
2 ) 분말 그리고 황화-카드뮴(CdS) 분말과 함께 특별히 제작한 카본 보트(carbon boat) 속에 넣고 아르곤 또는 질소 등의 비활성 가스 분위기에서 고온으로 3분 내지 10분간 열처리하여 황화-카드뮴(CdS) 결정 크기가 크고 치밀하며 표면이 평탄한 황화-카드뮴(CdS) 박막을 제조하고 고효율의 태양전지를 제조하는 것을 특징으로 하는 CBD(Chemical-bath-deposition)법과 염화-카 드뮴(CdCl
2 ) 열처리에 의한 황화-카드뮴(CdS) 박막의 제조 방법과 CdS 박막.-
公开(公告)号：KR100743923B1
公开(公告)日：2007-07-30
申请号：KR1020060012093
申请日：2006-02-08
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224
Abstract: A back surface electrode of a CIS(CuInSe2)-based compound thin solar cell is provided to quantify the quantity of added sodium by using a dual layer of sodium-added molybdenum and molybdenum. A first electrode layer is made of molybdenum to which sodium deposited at an argon partial pressure of 5~15 millitorr is added. A second electrode layer is made of molybdenum deposited at an argon partial pressure of 1~4 millitorr. The first and second electrode layers are included in a metal electrode of a CIGS(Cu(In,Ga)Se2)-including CIS-based compound thin solar cell. The lower substrate of the first electrode layer further includes a glass substrate and an alumina layer.
Abstract translation: 提供基于CIS（CuInSe2）的化合物薄太阳能电池的背表面电极以通过使用添加钼的钼和钼的双层来量化添加的钠的量。 第一电极层由钼制成，向其中加入在氩气分压为5〜15毫托下沉积的钠。 第二电极层由在1〜4毫托的氩气分压下沉积的钼制成。 第一电极层和第二电极层包含在CIGS（Cu（In，Ga）Se2） - 包括CIS-基化合物薄太阳能电池的金属电极中。 第一电极层的下基板还包括玻璃基板和氧化铝层。
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公开(公告)号：KR1020020007777A
公开(公告)日：2002-01-29
申请号：KR1020000041222
申请日：2000-07-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L21/203 , C25D15/02
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CuInSe2 thin film by vacuum evaporation of a dual compound is provided to form the CuInSe2 single layer for a high-efficiency solar cell which can be obtained by a conventional process like a three stage process using metal elements and a selenization process, by using a vacuum evaporation method regarding a Se-based dual compound like Cu2Se/In2Se3 and Se. CONSTITUTION: A Se-based dual compound like Cu2Se/In2Se3 and Se used as simultaneous evaporation materials are sequentially evaporated in a vacuum state of a vacuum evaporation chamber while the temperature of a substrate varies.
Abstract translation: 目的：提供通过双重化合物的真空蒸发制造CuInSe 2薄膜的方法，以形成用于高效太阳能电池的CuInSe 2单层，其可以通过常规方法获得，例如使用金属元素的三阶段工艺和 通过使用关于Se类双重化合物如Cu2Se / In2Se3和Se的真空蒸镀法。 构成：在真空蒸镀室的真空状态下，在基板温度变化的同时，依次蒸发作为同时蒸发材料使用的Se系双重化合物，如Cu2Se / In2Se3和Se。
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