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公开(公告)号：KR101406784B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120035469
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 기판 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 제조 장치는 하면부와 평행한 방향으로 일측에 관통된 토출부를 갖는 도가니부, 상기 도가니부의 토출부와 평행한 방향으로 상기 토출부로부터 연장되며, 실리콘 기판이 형성되는 주조 공간을 갖는 주조부, 상기 주조부의 일측에서 상기 주조 공간으로 삽입되는 더미바 및 상기 주조부의 일측에 설치된 냉각부를 포함한다.-
公开(公告)号：KR101406705B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020120035462
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 기판 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 제조 장치는 상면부 및 상기 상면부에서 하 방향으로 연장된 측면부 갖는 제 1 도가니부, 상기 제 1 도가니부의 내측에 설치되며, 상기 제 1 도가니부의 상면부의 상면에 대해 예각의 기울기를 갖는 제 2 경사부를 갖는 제 2 도가니부 및 상기 제 2 경사부를 마주하는 측면부에 수직 방향으로 연장된 제 1 주조부 및 상기 제 2 경사부와 접하는 상기 제 1 도가니부의 측면부와 결합되며 상기 제 1 주조부와 평행하게 연장된 제 2 주조부를 포함하는 주조부를 포함하고, 상기 제 2 경사부의 끝단은 상기 제 2 경사부를 마주하는 측면부의 수직방향으로 연장된 연장선에 접할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140048479A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120114338
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: Provided is an apparatus for manufacturing a silicon substrate which includes a raw material input part which receives silicon; a silicon melting part which forms molten silicon by melting the supplied silicon; a molten silicon storage part which receives and stores the molten silicon and has a discharge hole which discharges the molten silicon in a constant thickness; and a transfer substrate which is arranged in the lower part of the molten silicon storage part and transfers the molten silicon, wherein one surface of the lower part of the molten silicon storage part, which has the discharge hole, is inclined at a preset angle to the outside the sidewall of the molten silicon storage part.
Abstract translation: 提供一种用于制造硅衬底的装置，其包括接收硅的原料输入部分; 通过熔化供给的硅而形成熔融硅的硅熔融部; 熔融硅储存部，其接收并存储熔融硅，并具有排出孔，该排出孔以固定的厚度排出熔融硅; 以及转移基板，其布置在熔融硅储存部分的下部并传送熔融硅，其中具有排出孔的熔融硅储存部分的下部的一个表面以预设的角度倾斜到 熔融硅储存部分的侧壁外侧。
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公开(公告)号：KR1020130113131A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120035469
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , C01B33/021 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a silicon substrate is provided to improve cooling efficiency by installing a cooling part including a gas spray part on the upper surface of a casting part. CONSTITUTION: A crucible part (200) has a discharge part on one side thereof. A casting part (300) is extended from the discharge part and includes a casting space. A dummy bar is inserted from one side of the casting part to the casting space. A cooling part is installed on one side of the casting part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造硅衬底的装置，通过在铸造件的上表面上安装包括气体喷射部件的冷却部件来提高冷却效率。 构成：坩埚部件（200）的一侧具有排出部。 铸造部件（300）从排出部延伸并且包括铸造空间。 从铸件的一侧向铸造空间插入虚拟棒。 冷却部件安装在铸件的一侧。
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公开(公告)号：KR101394158B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120114338
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실시예는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 토출구를 갖는 실리콘 용탕 저장부; 및 상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판을 포함하고, 상기 토출구를 형성하는 상기 실리콘 용탕 저장부의 하측부의 일면은 상기 실리콘 용탕 저장부의 측벽 외측방향으로 소정각도로 경사진 실리콘 기판 제조장치를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101394156B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120114335
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실시예는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 토출구를 가지는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 토출구와 인접한 지점에 구비되어, 상기 토출구를 통해 토출된 실리콘 용융물의 표면에 상기 실리콘 용융점 이하로 가열하는 표면 가열부; 및 상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판을 포함하는 실리콘 기판 제조장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130113126A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120035462
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , C01B33/021 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon substrate is provided to prevent silicon melt from being contaminated by fitting an inclined quartz crucible into a graphite crucible. CONSTITUTION: A first crucible part (203) has a top side and a lateral side. The lateral side is downwardly extended from the top side. A second crucible part (204) is installed on the inner side of the first crucible part. The second crucible part has a second inclined part (245). A casting part (300) includes a first casting part and a second casting part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造硅衬底的方法，以通过将倾斜的石英坩埚装配到石墨坩埚中来防止硅熔体被污染。 构成：第一坩埚部分（203）具有顶侧和侧面。 侧面从顶侧向下延伸。 第二坩埚部分（204）安装在第一坩埚部分的内侧。 第二坩埚部分具有第二倾斜部分（245）。 铸造部件（300）包括第一铸造部件和第二铸造部件。
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公开(公告)号：KR101401351B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120114331
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: B22D11/00 , C30B28/10 , C01B33/02 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P20/124
Abstract: 실시예는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 토출구를 가지는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판; 상기 토출구와 인접한 지점에 구비되어, 상기 토출구를 통해 토출된 실리콘 용융물의 표면을 가열하는 표면 가열부; 및 상기 표면 가열부와 인접하여 위치하고, 상기 실리콘 용융물의 표면에 고압가스를 분사하는 기체 분사부를 포함하는 실리콘 기판 제조장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140048477A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120114331
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: B22D11/00 , C30B28/10 , C01B33/02 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P20/124 , B22D11/01 , B22D11/1284 , B22D25/04 , H01L31/18
Abstract: An embodiment of the present invention provides an apparatus for manufacturing silicone substrates, which comprises: a silicone material injection unit to which a silicone material is supplied; a silicone melting unit to form molten silicone by melting the supplied silicone; a molten silicone storage unit which stores the supplied molten silicone, and has an outlet which discharges the molten silicone as a molten object at a constant thickness provided thereon; a transfer substrate which is arranged on the lower part of the molten silicone storage unit and which transfers the molten object; a surface heating unit which is provided on a position neighboring the outlet which heats a surface of the molten silicone discharged through the outlet; and a gas spraying unit for spraying high pressure gas onto the surface of the molten silicone.
Abstract translation: 本发明的一个实施例提供了一种用于制造硅树脂基底的装置，其包括：提供有机硅材料的硅酮材料注入单元; 聚硅氧烷熔融单元，通过熔化供应的硅氧烷形成熔融硅氧烷; 熔融硅酮储存单元，其存储所提供的熔融硅氧烷，并且具有以设置在其上的恒定厚度排出作为熔融物体的熔融硅酮的出口; 转移基材，其设置在熔融硅酮储存单元的下部并传送熔融物体; 表面加热单元，设置在与出口相邻的位置上，加热通过出口排出的熔融硅氧烷的表面; 以及用于将高压气体喷射到熔融硅酮表面上的气体喷射单元。
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公开(公告)号：KR101355625B1
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020120114334
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The embodiment is to provide an apparatus for manufacturing a silicon substrate. The apparatus for manufacturing a silicon substrate includes a silicon input put supplying silicon; a silicon melting part melting the supplied silicon and forming molten silicon; a molten silicon storage part having an injection hole, storing the molten silicon, and injecting the molten silicon with constant thickness; a transfer substrate moving the molten silicon and arranged in the lower part of the molten silicon storage part; and a surface processing unit performing a surface process by pressuring the molten silicon injected from the injection hole.
Abstract translation: 该实施例是提供一种用于制造硅衬底的装置。 硅衬底的制造装置包括硅输入放电供应硅; 熔化供应的硅并形成熔融硅的硅熔化部分; 熔融硅储存部分，具有注入孔，储存熔融硅，并注入具有恒定厚度的熔融硅; 转移基板移动熔融硅并且布置在熔融硅储存部分的下部; 以及表面处理单元，通过对从所述注入孔注入的熔融硅进行加压来进行表面处理。
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