公开(公告)号：KR100347106B1

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：KR1020000041222

申请日：2000-07-19

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤경훈 ,  송진수 ,  안병태 ,  이두열

IPC: H01L31/0256 ,  H01L21/203 ,  C25D15/02

Abstract: 본 발명은 이원화합물의 진공증발 증착에 의한 박막의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 금속 원소인 Cu, In, Se 보다 낮은 온도에서 진공증발이 가능한 Se계 이원화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 )과 Se을 진공에서 동시에 증발증착하여 저가 고효율의 CuInSe
2 박막을 제조하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성은 CuInSe
2 (CIS) 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 태양전지의 CIS 화합물반도체 박막을 제조하는 방법에 있어서,
금속원소가 아닌 Se계 이원화합물(Cu
2 Se, In
2 Se
3 )과 Se을 동시증발물질로 사용하여 진공증발증착실에서 기판의 온도에 변화를 주면서 순차적으로 증발증착하여 CuInSe
2 계 박막을 제조하는 것을 요지로 한다.

公开(公告)号：KR1020020007777A

公开(公告)日：2002-01-29

申请号：KR1020000041222

申请日：2000-07-19

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤경훈 ,  송진수 ,  안병태 ,  이두열

IPC: H01L31/0256 ,  H01L21/203 ,  C25D15/02

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CuInSe2 thin film by vacuum evaporation of a dual compound is provided to form the CuInSe2 single layer for a high-efficiency solar cell which can be obtained by a conventional process like a three stage process using metal elements and a selenization process, by using a vacuum evaporation method regarding a Se-based dual compound like Cu2Se/In2Se3 and Se. CONSTITUTION: A Se-based dual compound like Cu2Se/In2Se3 and Se used as simultaneous evaporation materials are sequentially evaporated in a vacuum state of a vacuum evaporation chamber while the temperature of a substrate varies.

Abstract translation: 目的：提供通过双重化合物的真空蒸发制造CuInSe 2薄膜的方法，以形成用于高效太阳能电池的CuInSe 2单层，其可以通过常规方法获得，例如使用金属元素的三阶段工艺和 通过使用关于Se类双重化合物如Cu2Se / In2Se3和Se的真空蒸镀法。 构成：在真空蒸镀室的真空状态下，在基板温度变化的同时，依次蒸发作为同时蒸发材料使用的Se系双重化合物，如Cu2Se / In2Se3和Se。