Abstract:
본 발명은 이온빔조사에 의한 대전방지용 진공성형용기 제조방법에 관한것인데, 그 목적은 정전기방지를 필요로 하는 전자 부품, 반도체 등 고부가가치 물건의 운송 및 보관에 종래의 진공성형용기를 쉽게 사용할 수 있도록 하기 위해 대전방지 기능이 첨가된 진공성형용기를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 폴리프로필렌 수지 조성물 시트를 진공 성형하여 만든 진공성형용기(1)를 진공챔버(2) 안의 자동화된 이동형 지지구조(3)에 올려놓은 후 이온원(4)으로부터 발생된 이온빔(5)을 이동중인 진공성형용기(1) 표면에 조사 시켜 진공성형용기(1) 표면의 전기저항을 10 11 Ω/sq 이하로 감소시켜 정전기 발생을 방지시키는 방법을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 keV급 저에너지 이온 주입에 의한 자외선 차단용 필름/판재의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 PET, PC 필름과 판재 표면에 keV급 저 에너지 이온을 주입하여 유해 자외선 흡수율을 증가시키고, 필름과 판재 표면의 거칠기를 감소시켜 긁힘을 감소시키며, 필름의 투명성을 그대로 유지시켜주고, 정전기 방지기능을 갖게 하여 먼지가 달라붙는 현상을 감소시키며, 표면의 균질 도를 증가시켜 인체에 무해하며, 동시에 경제성을 갖는 다 기능성 필름 과 판재를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 PET 혹은 PC 필름을 진공 챔버 안에 있는 지지구조에 올려놓은 후, 지지구조물을 천천히 회전시킨다. 양쪽 지지구조물 사이에 이온원을 설치한다. 설치된 이온원으로부터 인출된 keV급 저 에너지 이온을 조사영역에 있는 필름 과 판재 표면에 주입하여 필름과 판재 표면에 주입된 이온빔은 필름과 판재 표면을 개질하여 자외선 흡수 효과를 갖게 하는 방법을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A static-proof comb through ion implantation and a manufacturing method thereof are provided to add an antistatic function to typical plastic combs and thus, to minimize friction between hair and the comb. CONSTITUTION: The static-proof comb is manufactured by fixing a comb(1) to an automatic multi-axial supporter(6) inside a vacuum chamber(5); implanting an ion beam generated from an ion source(7) to the surface of the fixed comb(1); reducing electric resistance of the surface of the comb(1) below 10¬11ohm/sq. The ion beam irradiated to the surface of the comb(1) has an intensity of 30-70 keV and a current of 2-8 mA/cm¬2. Also, the irradiation time of the ion beam to the surface of the comb(1) ranges from 5 to 20 minutes.
Abstract translation:目的:提供通过离子注入的防静电梳及其制造方法,以增加典型塑料梳的抗静电功能,从而最小化头发与梳子之间的摩擦。 构成:通过将梳子(1)固定在真空室(5)内的自动多轴支撑件(6)上来制造防静电梳子; 将从离子源(7)产生的离子束植入固定梳(1)的表面; 将梳子(1)的表面的电阻降低到101-10欧姆/平方厘米以下。 照射到梳子(1)的表面的离子束具有30-70keV的强度和2-8mA / cm 2的电流。 此外,离子束对梳(1)表面的照射时间为5〜20分钟。
Abstract:
본 발명은 고선도 유지 및 장기 보존이 가능한 식품, 의약품 등의 포장재로 뿐 아니라 디스플레이용 플라스틱 기판에서 사용될 수 있도록 기체 차단 막 역할을 하는 일정한 층이 형성된 기능성 고분자 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 제논, 크립톤, 알곤, 질소, 헬륨, 수소의 각종 기체 이온과 금속 이온에서 선택된 하나 이상의 이온을 이온원으로부터 진공상태에서 고분자 재료 표면에 일정한 주입 에너지로 상기 선택된 한 종류 이상의 이온을 주입하여 단층, 겹층 또는 다층으로 기체 차단 막을 형성하여 얻어짐을 특징으로 한다. 상기와 같이 구성되는 본 발명은 종래의 기술에서 문제시되고 있는 무기박막과 플라스틱 필름 표면간의 박리 현상이 일어나지 않고, 높은 빛 투과도를 나타내면서도 기체 차단 정도가 높고, 또한 표면경도가 향상된 기체 차단 막이 형성된 고분자 필름을 제공하여 선도도 유지와 장기보존이 가능한 기능성 포장재와 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL등의 디스플레이와 유기박막트랜지스터(OTFT)와 같은 전자소자에 사용되는 기체 투과 방지 막 필름에 유용하게 사용될 수 있는 유용한 발명이다.
Abstract:
PURPOSE: A process is provided to produce a UV-screening film/board by injecting keV low energy ions. The produced UV-screening film/board is excellent in UV absorptivity and a scratch-preventing effect and has transparency and antistatic function. CONSTITUTION: The process for producing the UV-screening film comprises the steps of: laying a thin PET(polyethylene terephthalate) or PC(polycarbonate) film(6) on automatic movable supports(8) in a vacuum chamber(7); irradiating keV low energy ion beams(11) on the upper and lower surfaces of the moving film(6) to modify the surfaces, wherein the keV low energy ion beams(11) are generated from ion sources(10) mounted to the upper and lower parts. And the UV-screening board is produced by irradiating the keV low energy ion beam on the surface of a PET or PC board. The ion beam has an intensity of 1-100keV and a dose of 1x10¬12-10¬18ions/cm2.
Abstract:
PURPOSE: A static-proof comb through ion implantation and a manufacturing method thereof are provided to add an antistatic function to typical plastic combs and thus, to minimize friction between hair and the comb. CONSTITUTION: The static-proof comb is manufactured by fixing a comb(1) to an automatic multi-axial supporter(6) inside a vacuum chamber(5); implanting an ion beam generated from an ion source(7) to the surface of the fixed comb(1); reducing electric resistance of the surface of the comb(1) below 10¬11ohm/sq. The ion beam irradiated to the surface of the comb(1) has an intensity of 30-70 keV and a current of 2-8 mA/cm¬2. Also, the irradiation time of the ion beam to the surface of the comb(1) ranges from 5 to 20 minutes.
Abstract:
PURPOSE: A nano-particle manufacturing device, a manufacturing method thereof, and a nano-particle manufactured by using thereof are provided to uniformly irradiate positron beam on samples for nano particle production by using an ultrasonic vibrator. CONSTITUTION: A nano particle manufacturing apparatus comprises a casing(10), a sample container, and an ultrasonic oscillator(30). The casing accepts liquid. A movable plate(120) is placed on upper side of the case in order to adjust bragg peak of the positron beam. At least one of front windows(110) is formed on one side of the case. The positron beam can be transmitted to the front window. The sample is inserted in sealed inside and can produce nano-particles. The sample container is located at lower part of the moving plate.
Abstract:
본 발명은 고선도 유지 및 장기 보존이 가능한 식품, 의약품 등의 포장재로 뿐 아니라 디스플레이용 플라스틱 기판에서 사용될 수 있도록 기체 차단 막 역할을 하는 일정한 층이 형성된 기능성 고분자 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 제논, 크립톤, 알곤, 질소, 헬륨, 수소의 각종 기체 이온과 금속 이온에서 선택된 하나 이상의 이온을 이온원으로부터 진공상태에서 고분자 재료 표면에 일정한 주입 에너지로 상기 선택된 한 종류 이상의 이온을 주입하여 단층, 겹층 또는 다층으로 기체 차단 막을 형성하여 얻어짐을 특징으로 한다. 상기와 같이 구성되는 본 발명은 종래의 기술에서 문제시되고 있는 무기박막과 플라스틱 필름 표면간의 박리 현상이 일어나지 않고, 높은 빛 투과도를 나타내면서도 기체 차단 정도가 높고, 또한 표면경도가 향상된 기체 차단 막이 형성된 고분자 필름을 제공하여 선도도 유지와 장기보존이 가능한 기능성 포장재와 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL등의 디스플레이와 유기박막트랜지스터(OTFT)와 같은 전자소자에 사용되는 기체 투과 방지 막 필름에 유용하게 사용될 수 있는 유용한 발명이다. 기체 차단막, 이온 주입
Abstract:
PURPOSE: An antistatic functional film is provided by irradiating ion beams on the surfaces of a film, which has endurance, high strength, and a static dispersion property and is used for packing electronic parts, semiconductors, and daily necessaries. CONSTITUTION: The antistatic functional film is produced by irradiating the ion beams(7), generated from ion sources(6) mounted to the upper and lower parts, on the upper and lower surfaces of a film(3) under vacuum, wherein the film(3) is produced by laminating a polyethylene resin, a nylon resin, and the polyethylene resin in order. The produced film has a surface electric resistance of less than 10¬9ohm/sq.