公开(公告)号：KR100780315B1

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020060033551

申请日：2006-04-13

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 허영 ,  진승오 ,  전성채 ,  김영희 ,  김태호 ,  강형근 ,  박종덕

IPC: H04N5/32 ,  H04N5/3745

Abstract: 본 발명은 전압 이득이 높은 폴디드 캐스코드 CMOS OP 앰프를 포함하고 적응성 바이어스 전압에 응답하는 싱글 포톤 카운트형 이미지 센서에 관하여 개시된다.
싱글 포톤 카운트형 이미지 센서는, X-선에 노출된 시간 동안 차아지를 축적하는 X-선 검출부, X-선 검출부의 다른 일단과 연결되는 범프 본딩 패드, 공정과 온도에 따라 바이어스 전압이 변하는 적응성 바이어스 전압에 응답하여 범프 본딩 패드를 통해 입력되는 입력 전압과 기준 전압을 비교하여 출력 전압을 발생하는 증폭기, 증폭기의 출력 전압을 임계 전압과 비교하는 비교기, 그리고 비교기의 출력 전압에 응답하여 디지털 코드를 발생하는 카운터를 포함한다.
X-선, 폴디드 캐스코드 CMOS OP 앰프, 싱글 포톤 카운트형 이미지 센서, 적응성 바이어스 전압

公开(公告)号：KR1020070101991A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020060033551

申请日：2006-04-13

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 허영 ,  진승오 ,  전성채 ,  김영희 ,  김태호 ,  강형근 ,  박종덕

IPC: H04N5/32 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/32 ,  H04N5/37457

Abstract: A single photon count type image sensor and a folded cascode CMOS OP amplifier are provided to reduce the variation in output voltage of the amplifier and increase a voltage gain by uniformly maintaining a resistance value of a p-type transistor using adaptive bias voltage changed according to a process condition and temperature. An X-ray sensing unit(410) accumulates charges while exposing to X-ray. A bump bonding pad(420) is connected to the X-ray sensing unit(410). An amplifier(432) compares an input voltage inputted through the bump bonding pad(420) with a reference voltage in response to adaptive bias voltage changed according to a process condition and temperature, and generates an output voltage. A comparator(434) compares the output voltage with a critical voltage. A counter(436) generates a digital code in response to a voltage outputted from the comparator(434).

Abstract translation: 提供单个光子计数型图像传感器和折叠共源共栅CMOS OP放大器，以减小放大器的输出电压的变化，并通过使用根据以下方式改变的自适应偏置电压均匀地保持p型晶体管的电阻值来增加电压增益 工艺条件和温度。 X射线感测单元（410）在暴露于X射线的同时积累电荷。 凸块接合焊盘（420）连接到X射线感测单元（410）。 放大器（432）响应于根据处理条件和温度而改变的自适应偏置电压，将通过凸块接合焊盘（420）输入的输入电压与参考电压进行比较，并产生输出电压。 比较器（434）将输出电压与临界电压进行比较。 计数器（436）响应于从比较器（434）输出的电压产生数字代码。

公开(公告)号：KR100727900B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050130320

申请日：2005-12-27

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 허영 ,  진승오 ,  전성채 ,  김영희 ,  임규호 ,  강형근 ,  박종덕

IPC: H04N5/32 ,  H04N5/3745

Abstract: A threshold voltage generator for a single photon counting type digital X-ray image sensor is provided to set a threshold voltage generator in a pixel for a CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) readout chip to omit an operation of confirming a common voltage of a pre-amplifier and reduce channel length modulation effect. A threshold voltage generator for a single photon counting type digital X-ray image sensor includes a bias voltage generating unit(40) and a threshold voltage generating unit(50). The bias voltage generating unit receives a power supply voltage, generates a reference voltage, and generates a bias voltage according to the reference voltage. The threshold voltage generating unit generates a threshold voltage by using a resistor and a current source connected to an output terminal of the bias voltage generating unit.

Abstract translation: 提供了用于单光子计数型数字X射线图像传感器的阈值电压发生器，以在用于CMOS（互补金属氧化物半导体）读出芯片的像素中设置阈值电压发生器，以省略确认预共振电压的操作 放大器并减小信道长度调制效应。 用于单光子计数型数字X射线图像传感器的阈值电压生成器包括偏置电压生成单元（40）和阈值电压生成单元（50）。 偏置电压产生单元接收电源电压，产生参考电压，并根据参考电压产生偏置电压。 阈值电压生成单元通过使用连接到偏置电压生成单元的输出端的电阻器和电流源来生成阈值电压。