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公开(公告)号:KR1020050072997A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:KR1020040001171
申请日:2004-01-08
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/068
Abstract: 본 발명의 제1 실시예에 따른 유ㆍ무기 복합 태양전지는, 복합 태양전지 구조체의 최하층에 마련되는 n-형 실리콘 기판; 상기 n-형 실리콘 기판 위에 도핑 및 적층 형성되며, 그 표면이 다공질 처리된 p-형 실리콘층; 상기 p-형 실리콘층 위에 적층 및 침지과정으로 형성되는 금속산화물/광감응제 층; 상기 적층 구조체의 최상부층에 위치되며, 그 하면부에는 상대전극이 형성되어 있는 유리기판; 및 상기 금속산화물/광감응제 층과 유리기판 사이에 충전되는 전해질을 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 실리콘 태양전지와 염료감응형 전지의 각각의 장점을 살린 복합 구조로 구성되어 있으므로, 염료감응형 태양전지 부분을 이용하여 단파장광의 효율을, 그리고 실리콘 태양전지 부분을 이용하여 장파장광의 효율을 각각 증대시킬 수 있다. 그리고, 표면을 다공질 실리콘으로 형성함으로써 이산화티탄(TiO
2 )과 염료와의 접촉 면적을 증가시켜 염료감응형 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있을 뿐만이 아니라, 실리콘 표면에서의 반사율을 감소시킴으로써 실리콘 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 빛을 효율적으로 사용하여 태양전지의 온도 상승을 완화시킴으로써 염료감응형 태양전지의 수명을 증대시킬 수 있다.-
公开(公告)号:KR100572927B1
公开(公告)日:2006-04-24
申请号:KR1020040001171
申请日:2004-01-08
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명의 제1 실시예에 따른 유ㆍ무기 복합 태양전지는, 복합 태양전지 구조체의 최하층에 마련되는 n-형 실리콘 기판; 상기 n-형 실리콘 기판 위에 도핑 및 적층 형성되며, 그 표면이 다공질 처리된 p-형 실리콘층; 상기 p-형 실리콘층 위에 적층 및 침지과정으로 형성되는 금속산화물/광감응제 층; 상기 적층 구조체의 최상부층에 위치되며, 그 하면부에는 상대전극이 형성되어 있는 유리기판; 및 상기 금속산화물/광감응제 층과 유리기판 사이에 충전되는 전해질을 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 실리콘 태양전지와 염료감응형 전지의 각각의 장점을 살린 복합 구조로 구성되어 있으므로, 염료감응형 태양전지 부분을 이용하여 단파장광의 효율을, 그리고 실리콘 태양전지 부분을 이용하여 장파장광의 효율을 각각 증대시킬 수 있다. 그리고, 표면을 다공질 실리콘으로 형성함으로써 이산화티탄(TiO
2 )과 염료와의 접촉 면적을 증가시켜 염료감응형 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있을 뿐만이 아니라, 실리콘 표면에서의 반사율을 감소시킴으로써 실리콘 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 빛을 효율적으로 사용하여 태양전지의 온도 상승을 완화시킴으로써 염료감응형 태양전지의 수명을 증대시킬 수 있다.
실리콘 태양전지, 염료감응형 태양전지
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