Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 마이크로볼을 제조하고 이로부터 전극을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 탄소나노튜브와 용매 및 바인더를 혼합하여 탄소나노튜브 용액을 제조하는 제1단계와; 상기 탄소나노튜브 용액을 초음파 분산시켜 탄소나노튜브 분산액을 제조하는 제2단계와; 상기 탄소나노튜브 분산액을 분무 건조하여 탄소나노튜브 마이크로볼을 제조하는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 마이크로볼의 제조방법, 이에 의해 제조된 탄소나노튜브 마이크로볼 및 상기 탄소나노튜브 마이크로볼을 이용한 투명 전기화학 전극의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라 탄소나노튜브 분산액을 분무 건조하여 마이크로볼로 제작하고, 이를 기판 상면에 코팅하여 전극으로 제작하여 탄소나노튜브의 분산도를 향상시키고, 전극의 투명도 및 기타 전기 화학적 특성의 조절이 용이한 이점이 있다.
Abstract:
본 발명은 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 안티몬텔룰라이드(Sb 2 Te 3) 를 합성하는 공정에서 반응조건을 조절하여 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 판상형 구조를 합성하며, 이를 통해 열전도도가 저하되고 열전변환 효율이 상승되는 방향으로 배열이 가능한 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드(Sb 2 Te 3) 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드 제조방법은 안티몬(Sb) 전구체, 텔루륨(Te) 전구체를 유기용매에 각각 용해시켜서 용액을 제조하는 용해단계, 상기 안티몬(Sb) 용액과 상기 텔루륨(Te) 용액을 혼합하고, 여기에 염기성용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 혼합단계 및 상기 혼합용액을 용매열 반응기에 넣고 합성시키는 합성단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 금속산화물을 이용한 세라믹소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속산화물을 이용해 열처리 중에 금속이 산화되지 않도록 하여 수축 및 팽창을 방지하면서 나노포러스 구조를 갖는 세라믹소자와, 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 세라믹테이프; 산화구리, 산화니켈로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속산화물로 이루어진 코어 및 금속으로 이루어져 코어를 감싸는 쉘로 구성되어 표면에 유리가 코팅된 후 바인더와 혼합된 상태로 세라믹테이프에 프린팅되는 전극;을 포함하여 다층구조로 적층되는 세라믹적층체이되, 세라믹적층체는, 산화분위기 하에서 1차 열처리된 후, 환원분위기 하에서 2차 열처리될 시 금속산화물에서 산소가 분리되면서 금속으로 환원되고, 산소가 분리된 부분에 공극이 생성됨으로써 환원된 금속이 나노포러스(nanoporous) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 금속산화물을 이용한 세라믹소자 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 전극을 이용한 염료감응형 태양전지 모듈에 관한 것으로서, 상,하부 투명기판과; 상,하부 투명기판의 내측 표면에 형성된 도전성 투명전극과; 상기 상부 도전성 투명전극 위에 형성되며, 등간격으로 다수개가 형성되는 것으로 그 표면에는 염료가 흡착된 산화물반도체 다공질 음극전극과; 상기 하부 도전성 투명전극 위에 박막형태로 형성된 것으로 상기 음극전극에 대응하는 양극부로서의 탄소나노튜브층으로 된 상대전극과; 상기 상,하부 도전성 투명전극 위에 상기 음극전극 및 이에 대응되는 상대전극으로 이루어진 단위전극 사이에 형성되는 것으로 광감응되어 발생하는 전자를 포집하는 그리드전극과; 상기 상,하부 도전성 투명전극 위에 형성되며, 상기 그리드전극과 전기적으로 연결되어 상기 그리드전극으로부터 이동된 전자를 외부로 전달시키는 연결전극과; 상기 음극전극과 상대전극 사이에 충전되는 전해질;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전극을 이용한 염료감응형 태양전지 모듈 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 단위 염료감응형 태양전지를 모듈의 형태로 복수개로 형성시키고, 그리드전극 및 연결전극을 이용하여 전자를 포집하고 이동시킴에 따라 태양전지의 효율이 높고, 대면적의 탄소나노튜브를 이용한 염료감응형 태양전지를 제공할 수 있어, 실용화 가능성이 높은 효과가 있으며, 또한, 유연성이 있고, 전기전도성이 있는 탄소나노튜브 전극을 상대전극, 그리드전극 및 연결전극으로 사용함으로써, 기존의 금속 전극의 문제점인 전해질에 의해 용해되거나, 산화 등에 의한 열화가 나타나는 현상이 없으므로, 전기적, 화학적으로 안정한 모듈을 제공할 수 있는 이점이 있다. 탄소나노튜브 염료감응형 태양전지 상대전극 연결전극 그리드전극
Abstract:
본 발명의 제1 실시예에 따른 유ㆍ무기 복합 태양전지는, 복합 태양전지 구조체의 최하층에 마련되는 n-형 실리콘 기판; 상기 n-형 실리콘 기판 위에 도핑 및 적층 형성되며, 그 표면이 다공질 처리된 p-형 실리콘층; 상기 p-형 실리콘층 위에 적층 및 침지과정으로 형성되는 금속산화물/광감응제 층; 상기 적층 구조체의 최상부층에 위치되며, 그 하면부에는 상대전극이 형성되어 있는 유리기판; 및 상기 금속산화물/광감응제 층과 유리기판 사이에 충전되는 전해질을 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 실리콘 태양전지와 염료감응형 전지의 각각의 장점을 살린 복합 구조로 구성되어 있으므로, 염료감응형 태양전지 부분을 이용하여 단파장광의 효율을, 그리고 실리콘 태양전지 부분을 이용하여 장파장광의 효율을 각각 증대시킬 수 있다. 그리고, 표면을 다공질 실리콘으로 형성함으로써 이산화티탄(TiO 2 )과 염료와의 접촉 면적을 증가시켜 염료감응형 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있을 뿐만이 아니라, 실리콘 표면에서의 반사율을 감소시킴으로써 실리콘 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 빛을 효율적으로 사용하여 태양전지의 온도 상승을 완화시킴으로써 염료감응형 태양전지의 수명을 증대시킬 수 있다. 실리콘 태양전지, 염료감응형 태양전지
Abstract:
본 발명에 따른 광감응형 및 P-N접합 복합구조를 갖는 태양전지는, 다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 것으로서, 복합 태양전지 구조체의 최하부층에 마련되는 n-형 실리콘 기판; n-형 실리콘 기판 위에 도핑 형성되는 p-형 실리콘층; p-형 실리콘층 위에 형성되며, 그 표면에는 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층; 복합 태양전지 구조체의 최상부에 위치되며, 투광성 및 도전성이 양호한 상부 투명전극층; 상부 투명전극층의 하면부에 형성되며, 광감응형 태양전지에서 광을 흡수하여 발전하는 n-형 반도체층; 및 n-형 반도체층이 형성되어 있는 상부 투명전극층과 그 표면에 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층 사이에 충전되는 산화환원용 전해질을 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 다결정 혹은 비정질 실리콘의 pn 접합구조의 실리콘 태양전지와 광감응형 태양전지의 복합구조로 되어 있어, 1차적으로 광감응형 태양전지에 의해 400nm 이하의 단파장의 빛을 흡수하여 발전하고, 2차적으로 400nm를 초과하는 파장의 빛을 실리콘 태양전지가 흡수하여 발전함으로써 태양전지의 전체효율을 증대시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: Dye-sensitized solar cells with chrome buffer layers are provided to improve the amount of a short-circuit current or a fill-factor property by improving the interface property between conductive transparent electrodes and metal grid thin films. CONSTITUTION: Conductive transparent electrodes(20) are formed on the upper surface and the lower surface of a substrate. A dye is absorbed into the upper side of the upper conductive transparent electrode in order to form a semiconductor electrode. A relative electrode which functions as a catalyst is formed on the lower conductive transparent electrode. Metal grid thin films(100) are formed on the upper and the lower conductive transparent electrodes. Protective layers protect the metal grid thin films. Chrome buffer layers(200) are formed between the upper and the lower conductive transparent electrodes and the metal grid thin films.