公开(公告)号：WO2023068531A1

公开(公告)日：2023-04-27

申请号：PCT/KR2022/012942

申请日：2022-08-30

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 서선희 ,  이건웅 ,  정승열 ,  정희진 ,  양선혜 ,  김익준 ,  김정모 ,  김세은

IPC: H01M4/62 ,  C01B32/174 ,  C08K3/04 ,  C08L101/00 ,  H01M4/134 ,  H01M4/02

Abstract: 본 발명은 저결함 탄소나노튜브 슬러지 및 그 제조방법, 상기 저결함 탄소나노튜브 기반 전도성 복합소재, 이를 이용한 음극 슬러리, 음극 및 리튬 이차전지에 관한 것으로, 하기 관계식 1을 만족하여 결정성을 갖는 탄소나노튜브를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. [관계식 1] 5 ≤ IG/ID ≤ 50 (단, IG/ID는 라만 스펙트럼의 파수 영역 중 1,580 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(IG)와, 1,360 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(ID)의 비로 계산된 값이다.)