Abstract:
본 발명은, 염료감응형 태양전지에 있어서, 외표면에 광전극이 형성된 광전극 전도성섬유와 제1섬유로 직조된 광전극부와, 절연성섬유와 제2섬유로 직조된 광전극결합부를 포함하는 광전극층; 외표면에 상대전극이 형성된 상대전극 전도성섬유와 제3섬유로 직조된 상대전극부와, 절연성섬유와 제4섬유로 직조된 상대전극결합부를 포함하는 상대전극층; 종이 또는 천으로 형성되고, 상기 광전극층과 상대전극층 사이에 형성되며, 전해질이 함침되는 전해질 함침층; 및 상기 광전극층의 광전극결합부 및 상대전극층의 상대전극결합부를 결합시키는 결합부재;를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 직조공정으로 광전극 및 상대전극을 따로 형성하고, 이를 천 또는 종이에 바느질 등의 결합부재에 의해 결합시킴에 의해 유연하면서도 고효율의 태양전지 제조가 가능하고, 어느 천에든 광전극 및 상대전극을 바느질 등의 결합부재를 이용하여 결합시킴에 의해 간단하게 태양전지를 형성시킬 수 있다는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은, 반죽을 이용한 산화흑연 제조방법 및 반죽을 이용해 제조된 산화흑연에 있어서, 흑연과 산화제를 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계와; 상기 혼합 분말에 상기 흑연의 중량 대비 0.5 내지 7중량비의 강산을 나누어 첨가하면서 반죽하는 단계와; 반죽을 통해 형성된 흐름성이 없는 반죽물을 방치하여 상기 흑연을 산화시켜 산화흑연을 형성하는 단계와; 잔여하는 상기 산화제 및 상기 강산을 정제하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 흑연과 산화제가 혼합된 분말에 강산을 소량 첨가하여 종래의 슬러리와 달리 흐름성이 없는 반죽을 통해 산화흑연을 얻을 수 있으며, 이로 인해 산폐수의 양을 줄이고 산화흑연 제조를 위한 반응시간을 단축시킬 수 있다
Abstract:
본 발명은, 금속입자 및 나노카본을 포함하는 전도성 분산액 조성물 및 그 제조방법에 있어서, 금속입자 표면에 나노카본이 코팅된 금속입자/나노카본-코어/쉘(core/shell) 구조의 복합입자를 준비하는 단계와; 상기 복합입자를 표면 개질시키는 단계와; 표면 개질된 상기 복합입자에 이소시아네이트계 화합물과 피리미딘계 화합물을 혼합하여 다중 수소결합 반응을 통해 고차구조 조성물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 나노카본에 다중 수소결합을 이룰 수 있는 관능기를 도입함으로서 분산제를 사용하지 않고 소재 간에 분산이 용이한 효과를 얻을 수 있다. 또한 전도성이 큰 금속입자와 나노카본을 포함하는 복합입자를 적용함으로써 전도성을 증가시킬 수 있으며, 분산제를 사용하지 않아 분산제를 통해 전도성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
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본 발명은, 금속나노벨트와 탄소나노소재 복합체를 포함하는 전도성 섬유, 전도성 섬유 제조방법, 섬유형 스트레인 센서 및 섬유형 스트레인 센서 제조방법에 있어서, 탄소나노소재-금속나노벨트로 이루어진 복합체를 준비하는 단계와; 상기 복합체를 폴리머와 혼합하여 전도성 섬유를 제조하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 면접촉이 이루어지는 금속나노벨트를 합성하여 전도성 섬유의 전도성을 증가시키며, 탄소나노소재의 표면에 금속나노벨트가 합성되기 때문에 탄소나노소재와 금속나노벨트 간에 접촉성이 우수하며, 골고루 분산된 상태의 분산성이 우수한 금속나노벨트와 탄소나노소재 복합체를 포함하는 전도성 섬유 및 섬유형 스트레인 센서를 얻을 수 있다. 또한, 면접촉이 이루어지는 금속나노벨트를 인장변형 일으킬 경우 섬유방향으로 정렬된 금속나노벨트간 거리가 벌어져 저항이 급격하게 증가하는 원리에 의해 스트레인 센서에 적용 가능한 효과를 얻을 수 있다.
Abstract:
본 발명은 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 투명 촉매전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 탄소나노튜브 분말을 산성용매와 혼합하여 탄소나노튜브 표면에 작용기를 부여하는 제1 단계와; 상기 제1단계의 작용기가 부여된 탄소나노튜브 분말을 타 용매를 이용하여 탄소나노튜브 분산액을 형성시키는 제2단계와; 상기 1,2단계와는 별도로 이루어지되, 상기 작용기와 반응하는 반응기가 표면에 형성되도록 전도성기판을 표면처리하는 제3단계와; 상기 탄소나노튜브 분산액에 축합제를 넣고 상기 제3단계의 전도성기판과 반응시킴으로서 전도성기판의 표면에 형성된 반응기와 탄소나노튜브의 표면에 형성된 작용기와의 반응에 의하여 전도성 기판 표면에 수직정렬된 탄소나노튜브를 화학적으로 결합시키는 제4단계;그리고 후열처리하는 제5단계:로 이루어지는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법을 제공하는데 그 기술적 특징이 있다.
Abstract:
본 발명은 섬유를 이용한 염료 감응형 유연 태양전지에 관한 것으로, 나노섬유로 형성된 섬유층과; 상기 섬유층의 일측면에 형성되는 전도성 전극층과; 상기 전도성 전극층상에 형성되는 광전극층과; 상기 섬유층의 타측면에 형성되는 상대전극층과; 상기 섬유층과, 상기 전도성 전극층과, 상기 상대전극층과, 상기 광전극층을 내부에 포함하여 외부로 부터 밀봉시키는 실링부재; 그리고, 상기 섬유층에 함침된 전해질;을 포함하여 구성되는 섬유를 이용한 염료 감응형 유연 태양전지를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 전해질을 내포하는 섬유 일측 표면에 전극 및 광전극을 형성시키고, 타측에는 상대전극이 형성된 전지 본체를 고분자 필름으로 밀봉시켜 유연성이 있으며 외부의 압력에 의해서도 전해질이 외부로 누출되지 않는 밀봉구조가 우수한 태양전지를 형성시킨다는 이점이 있다.
Abstract:
본 발명은 저결함 탄소나노튜브 슬러지 및 그 제조방법, 상기 저결함 탄소나노튜브 기반 전도성 복합소재, 이를 이용한 음극 슬러리, 음극 및 리튬 이차전지에 관한 것으로, 하기 관계식 1을 만족하여 결정성을 갖는 탄소나노튜브를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. [관계식 1] 5 ≤ IG/ID ≤ 50 (단, IG/ID는 라만 스펙트럼의 파수 영역 중 1,580 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(IG)와, 1,360 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(ID)의 비로 계산된 값이다.)
Abstract:
본 발명은 고내열성 산화그래핀, 이를 이용한 전도성 그래핀 섬유의 제조방법 및 이로부터 제조되는 전도성 그래핀 섬유에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 에폭시기 또는 하이드록시기인 산소 함유 관능기를 표면에 포함하되 락톨기 또는 카르복실기인 산소 함유 관능기가 표면에 존재하지 않아 내열안정성을 갖는 것을 특징으로 하는 고내열성 산화그래핀, 이를 이용한 전도성 그래핀 섬유의 제조방법 및 이로부터 제조되는 전도성 그래핀 섬유를 기술적 요지로 한다
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본 발명은, 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 복합체, 복합체 제조방법 및 복합체를 포함하는 이차전지용 전극에 있어서, 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 복합체 제조방법에 있어서, 양이온-파이 상호작용을 통해 형성된 산화그래핀을 환원시킨 산화그래핀환원물 분산용액을 제조하는 단계와 상기 산화그래핀환원물 분산용액을 실리콘 금속입자와 혼합하여 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 분산용액을 제조하는 단계와 상기 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 분산액을 건조하여 코어-쉘 구조의 복합체 분말을 제조하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 양이온-파이 상호작용을 통해 형성되는 저결함/고순도 산화그래핀 분산용액을 이용하여 산화그래핀환원물을 형성하고, 이를 건조하여 코어-쉘 구조의 복합체 분말을 얻을 수 있으며 이를 이차전지용 전극에 적용 가능하다.
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본 발명은, 탄소나노튜브 조성물, 탄소나노튜브 조성물 제조방법, 산화 탄소나노튜브 환원물 및 산화 탄소나노튜브 환원물 제조방법에 있어서, 산처리를 통해 탄소나노튜브를 산화하여 산화 탄소나노튜브를 형성하는 단계와; 상기 산화 탄소나노튜브를 알코올에 분산시켜 탄소나노튜브 조성물을 얻는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 알코올에 분산성이 낮은 탄소나노튜브를 분산제를 사용하지 않고 알코올에서의 분산성을 향상시키기 위해 산화과정을 통해 탄소나노튜브를 처리하여 기재에 인쇄 및 코팅이 용이하며, 환원과정을 통해 탄소나노튜브의 형상이 복원되어 고전기전도성을 띄는 분산제 없이 알코올에 분산된 탄소나노튜브 조성물을 얻을 수 있다. 또한 탄소나노튜브의 분산성을 향상시키기 위해 산화 과정을 수행하여도 환원 과정을 통해 탄소나노튜브의 형상을 회복시킬 수 있어 탄소나노튜브의 전기전도성을 유지할 수 있는 환원에 의해 구조가 복원되어 고전기전도성을 띄는 산화 탄소나노튜브 환원물을 얻을 수 있다.