유도결합 플라즈마의 내장형 안테나
    1.
    发明公开
    유도결합 플라즈마의 내장형 안테나 失效
    感应耦合等离子体天线

    公开(公告)号:KR1020060077379A

    公开(公告)日:2006-07-05

    申请号:KR1020040116221

    申请日:2004-12-30

    Abstract: 본 발명은 유도결합 플라즈마용 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 절연 재질의 관 내부에 안테나용 도체로 편복선을 삽입하여 구성하되, 상기 절연 재질의 관 내부에 편복선 주변으로 냉각을 위한 공기가 흐를 수 있게 하여 구성함으로써, 안테나의 축전결합, 즉 쉬스(sheath)에서의 축전 전기장에 의한 전압강하를 낮추게 되어 안테나 물질의 스퍼터링을 효과적으로 줄여줄 수 있는 효과를 제공하도록 된 유도결합 플라즈마의 내장형 안테나에 관한 것이다.
    유도결합, 플라즈마, 안테나, 절연, 관, 편복선, 공기

    유도결합 플라즈마의 내장형 안테나
    2.
    发明授权
    유도결합 플라즈마의 내장형 안테나 失效
    电感耦合等离子体天线

    公开(公告)号:KR100726709B1

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020040116221

    申请日:2004-12-30

    Abstract: 본 발명은 유도결합 플라즈마용 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 절연 재질의 관 내부에 안테나용 도체로 편복선을 삽입하여 구성하되, 상기 절연 재질의 관 내부에 편복선 주변으로 냉각을 위한 공기가 흐를 수 있게 하여 구성함으로써, 안테나의 축전결합, 즉 쉬스(sheath)에서의 축전 전기장에 의한 전압강하를 낮추게 되어 안테나 물질의 스퍼터링을 효과적으로 줄여줄 수 있는 효과를 제공하도록 된 유도결합 플라즈마의 내장형 안테나에 관한 것이다.
    유도결합, 플라즈마, 안테나, 절연, 관, 편복선, 공기

    플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100757736B1

    公开(公告)日:2007-09-12

    申请号:KR1020050116719

    申请日:2005-12-02

    Abstract: 본 발명은 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공 챔버 내부에 비활성기체를 투입하면서 전기적인 에너지를 가할 경우, 가속된 전자의 충돌에 의해 투입된 기체가 플라즈마 상태로 활성화되는 바, 플라즈마 이온주입 및 증착 공정(Plasma Immersion Ion Implantation and deposition:PI
    3 D)을 통해 폴리이미드와 같은 고분자 필름 표면에 금속층인 동박을 증착하는 동시에, 펄스 전압을 인가하게 될 경우, 그 인가된 펄스 전압에 의해 가속화되는 플라즈마 속의 비활성기체 이온이 금속층 표면에 충돌하여 금속/고분자의 혼합층 두께를 증가시킴으로써, 상기 금속/고분자의 혼합층 간의 접착력을 증가시킬 수 있어 종래의 라미네이팅법에 비해 접착층이 제거되어 FCCL의 두께가 얇아지며, 크롬이나 니켈 등과 같은 중금속을 사용하지 않고도 상온 처리로 높은 접착력을 얻을 수 있는 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치에 관한 것이다.
    FCCL, 제조방법, 플라즈마 이온주입, 진공 증착법, 동박, 폴리이미드 필름, 비활성기체

    플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치
    4.
    发明公开
    플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치 失效
    使用PI3D的FCCL制造方法

    公开(公告)号:KR1020070057362A

    公开(公告)日:2007-06-07

    申请号:KR1020050116719

    申请日:2005-12-02

    CPC classification number: H05K3/16 H05K1/118 H05K3/384

    Abstract: An apparatus for manufacturing FCCL(Flexible Circuit Clad Laminate) using a plasma ion implantation and deposition method is provided to form a compound layer of copper and a polyimide by colliding inert gas of the plasma against a metal layer coated at a polyimide surface. A vacuum chamber(20) has a space in which a polyimide film(10) advances. A roll feeder(21) and a rewinder(22) are installed in the vacuum chamber for continuous process through a roll-to-roll method. An RF power device(23) and an RF matching box(24) apply a power to a first cylinder for a cleaning step using plasma before a copper thin film is deposited on the polyimide film. A high-voltage pulse power device(28) applies a negative pulse voltage to a second cylinder to collide the inert gas against a metal layer.

    Abstract translation: 提供使用等离子体离子注入和沉积方法制造FCCL(柔性电路层压层)的装置,通过将等离子体的惰性气体与涂覆在聚酰亚胺表面上的金属层相撞形成铜和聚酰亚胺的化合物层。 真空室(20)具有聚酰亚胺膜(10)前进的空间。 辊式进料器(21)和回卷器(22)通过卷对卷方式安装在真空室中,用于连续加工。 RF功率器件(23)和RF匹配盒(24)在将铜薄膜沉积在聚酰亚胺膜上之前,使用等离子体将功率施加到用于清洁步骤的第一气缸。 高压脉冲功率器件(28)将负脉冲电压施加到第二气缸,以将惰性气体与金属层碰撞。

Patent Agency Ranking