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公开(公告)号：KR100663206B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020040102935
申请日：2004-12-08
Applicant: 한국전기연구원
Inventor： 김지현 , 임근희 , 니키포로브세르게이에이 , 김종현
IPC: H01J37/30
Abstract: 본 발명은 챔버 내에서 플라즈마 이온 주입을 수행할 때 발생하는 이차 전자를 차폐하는 차폐 장치에 관한 것이다. 본 발명은 플라즈마 이온 주입 장치의 챔버 내부에 장착되어 이온 주입시 상기 챔버 내부에서 발생되는 이차 전자에 노출되는 콤포넌트를, 상기 이차 전자로부터 보호하는 이차 전자 차폐 장치에 있어서, 상기 콤포넌트의 안착 공간에 대응하는 내부 공간을 형성하는 지지 구조 및 상기 지지 구조에 부착되며, 상기 콤포넌트 위에 자장을 형성하도록 배열되는 최소한 하나 이상의 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차 전자 차폐 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 플라즈마 이온 주입 장치의 내부 장착 콤포넌트 중 전자 또는 열에 취약한 콤포넌트를 이차 전자로부터 효과적으로 보호할 수 있다.
플라즈마 이온 주입 장치, 플라즈마, 이차 전자, 자석, 편향, 차폐-
公开(公告)号：KR100548806B1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040027910
申请日：2004-04-22
Applicant: 한국전기연구원
Inventor： 김지현 , 임근희 , 니키포로브세르게이에이
IPC: H01L21/265
Abstract: 플라즈마 이온 주입장치 및 그 플라즈마 이온 주입방법이 개시된다. 본 발명에 따른 플라즈마 이온 주입장치는, 시료가 장착되며 진공조 내에 서로 대향하는 방향으로 마주하여 설치되는 적어도 한 쌍의 시료대, 각각의 시료대에 공통으로 연결되며 음의 고전압 펄스를 공급하는 펄스전원 공급부, 진공조 내에 플라즈마화할 가스를 공급하는 가스 공급부, 및 가스 공급부에 의해 공급된 가스를 플라즈마로 변환시키는 플라즈마 변환부를 포함한다. 여기서, 펄스전원 공급부는 플라즈마 변환부에 의해 변환된 플라즈마를 이용하여 시료의 표면에 플라즈마 이온을 주입시킨다.
플라즈마, 이온, 이차전자, 시료대, 가스, 펄스-
公开(公告)号：KR200360844Y1
公开(公告)日：2004-09-06
申请号：KR2020040015040
申请日：2004-05-31
Applicant: 한국전기연구원
IPC: B01L1/04
Abstract: 데시케이터의 진공 유지 장치가 개시된다. 본 고안에 따른 진공 유지 장치는, 진공펌프와 연결되는 고무호스, 중심부에 흡입공이 형성된 원판형상의 압착부 및 압착부의 일면에 압착부와 동심으로 흡입공이 데시케이터의 흡입구 길이보다 소정길이 이상 연장되도록 형성된 원통형상의 관통부를 구비한 제1부재, 데시케이터의 측벽을 사이에 두고 제1부재와 압착되도록 일단이 관통부의 외경과 동일한 내경을 가지며 타단이 고무호스와 연결되는 원통형상의 제2부재, 및 진공펌프를 통해 데시케이터 내부의 진공상태가 조절된 후 고무호스를 통한 공기의 유입을 차단하는 차단부재를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100726709B1
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020040116221
申请日：2004-12-30
Applicant: 한국전기연구원
Inventor： 김지현 , 임근희 , 니키포로프,에스.에이.
IPC: H05H1/34
Abstract: 본 발명은 유도결합 플라즈마용 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 절연 재질의 관 내부에 안테나용 도체로 편복선을 삽입하여 구성하되, 상기 절연 재질의 관 내부에 편복선 주변으로 냉각을 위한 공기가 흐를 수 있게 하여 구성함으로써, 안테나의 축전결합, 즉 쉬스(sheath)에서의 축전 전기장에 의한 전압강하를 낮추게 되어 안테나 물질의 스퍼터링을 효과적으로 줄여줄 수 있는 효과를 제공하도록 된 유도결합 플라즈마의 내장형 안테나에 관한 것이다.
유도결합, 플라즈마, 안테나, 절연, 관, 편복선, 공기-
公开(公告)号：KR1020060024106A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020040072978
申请日：2004-09-13
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01J37/06
Abstract: 본 발명은 중공 캐소드 방전건(hollow cathode discharge gun)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장시간 동안 방전 유지가 가능한 중공 캐소드 방전건에 관한 것이다. 본 발명은 방전 공간을 포함하는 중공을 구비하고, 일단에 상기 중공으로 가스를 유입하기 위한 제1 개구부와 타단에 상기 중공으로부터 가스를 유출하기 위한 제2 개구부를 갖는 튜브, 상기 튜브에 길이 방향으로 삽입되는 필라멘트 및 상기 금속 튜브내의 상기 필라멘트 주위에 장착되며, 상기 필라멘트의 가열에 의해 2차 전자를 발생하며, 소정 간격으로 이격되는 최소한 둘 이상의 전자 방사 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건을 제공한다. 본 발명에 따르면, 안정적인 방전 유지 특성을 갖는 중공 캐소드 방전건을 제공할 수 있다.
중공 캐소드 방전건, 방전 안정성, 이온 플레이팅, 플라즈마 디스플레이 패널, 방전 영역, 전자 방사 부재-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100501044B1
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020030046154
申请日：2003-07-08
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01J9/20
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/081
Abstract: 본 발명은 대면적 산화마그네슘 박막 증착장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 마그네트론 스퍼터 방전을 이용한 산화마그네슘 박막의 성막속도를 기존보다 증가시키기 위해 새로운 전원장치를 발명하고 그 전원장치를 적용한 시스템 및 공정을 개발하여 그 기술을 40~100인치의 플라즈마 디스플레이 판넬의 산화마그네슘 박막의 제조 기술로 적용하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적을 이루기 위한 방법은 적어도 하나 이상의 마그네슘 타겟에 각각 전압이 인가되는 단계; 상기 전압의 상승이 멈출 때 상기 마그네슘 타겟에 각각 전류가 인가되어 상호 파형의 간섭이 없는 부극성 구형파를 갖는 전력이 인가되는 단계; 및 상기 전력이 인가되는 산화영역에서 스퍼터 방전이 동작되면 상기 마그네슘 타겟에서 마그네슘 입자가 방출되어 산화마그네슘막이 기판에 형성되는 단계를 포함하여 달성된다.
본 발명의 대면적 산화마그네슘 박막 증착장치 및 방법은 마그네슘 타겟을 병렬로 증설하고 각각의 타겟에 전원제어 방법을 적용하여 운전할 때 타겟상호간 방전 발생에 간섭 현상이 없어 안정적으로 병렬운전을 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 전원제어방법을 적용한 성막 공정은 각각의 타겟에 연결하여 운전할 때 타겟간 방전현상의 간섭을 배제시키는 부수적 장치(아크 소멸장치)가 필요 없이 운전할 수 있고, 기존의 성막속도보다 50% 가량의 성막속도 향상을 할 수 있으며, 플라즈마 디스플레이 판넬의 40~100 인치급의 수직형 연속 성막시스템으로 적용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100624745B1
公开(公告)日：2006-09-15
申请号：KR1020040072978
申请日：2004-09-13
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01J37/06
Abstract: 본 발명은 중공 캐소드 방전건(hollow cathode discharge gun)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장시간 동안 방전 유지가 가능한 중공 캐소드 방전건에 관한 것이다. 본 발명은 방전 공간을 포함하는 중공을 구비하고, 일단에 상기 중공으로 가스를 유입하기 위한 제1 개구부와 타단에 상기 중공으로부터 가스를 유출하기 위한 제2 개구부를 갖는 튜브, 상기 튜브에 길이 방향으로 삽입되는 필라멘트 및 상기 금속 튜브내의 상기 필라멘트 주위에 장착되며, 상기 필라멘트의 가열에 의해 2차 전자를 발생하며, 소정 간격으로 이격되는 최소한 둘 이상의 전자 방사 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건을 제공한다. 본 발명에 따르면, 안정적인 방전 유지 특성을 갖는 중공 캐소드 방전건을 제공할 수 있다.
중공 캐소드 방전건, 방전 안정성, 이온 플레이팅, 플라즈마 디스플레이 패널, 방전 영역, 전자 방사 부재Abstract translation: 空心阴极放电枪技术领域本发明涉及一种空心阴极放电枪，尤其涉及一种能长时间持续放电的空心阴极放电枪。 本发明涉及一种具有空腔的管，该空腔具有放电空间并且具有用于将气体一端引入空腔的第一开口和用于从另一端的空腔排出气体的第二开口， 并且至少两个电子发射元件安装在金属管中的灯丝周围并且通过加热灯丝并彼此间隔预定距离而产生二次电子， Lt。 根据本发明，可以提供具有稳定放电维持特性的空心阴极放电枪。
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公开(公告)号：KR1020050006440A
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1020030046154
申请日：2003-07-08
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01J9/20
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/081
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method are provided to achieve improved film formation speed, and operate a power supply system in a stable manner without an interference by arranging magnesium targets in parallel with each other. CONSTITUTION: A method comprises a step of applying voltage to each of magnesium targets(11); a step of applying a power having a negative polar square wave with no interference of waveform by applying current to the respective magnesium targets when rise of the voltage stops; and a step of forming a magnesium oxide thin film on a substrate(41) by permitting the magnesium targets to emit magnesium particles when the power is applied.
Abstract translation: 目的：提供一种提高成膜速度的装置和方法，并且通过将镁靶彼此平行地布置而不受干扰地稳定地操作电源系统。 构成：一种方法包括向镁靶（11）中的每一个施加电压的步骤; 通过在电压上升停止时向各个镁靶施加电流，施加具有无波形干扰的负极性方波的电力的步骤; 以及通过在施加电力时允许镁靶发射镁颗粒而在基板（41）上形成氧化镁薄膜的步骤。
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公开(公告)号：KR200369552Y1
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR2020040027076
申请日：2004-09-21
Applicant: 한국전기연구원
Inventor： 김지현 , 임근희 , 니키포로브세르게이에이 , 김종현
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32715 , C23C16/505 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: 본 고안은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반응기 내에서 플라즈마를 이용하여 이온 주입이나 증착을 수행하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 본 고안은 플라즈마를 이용하여 소정의 기체(substrate)에 이온을 주입하거나 소정 물질을 증착하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 반응기, 상기 반응기 내부 공간에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생원, 상기 반응기 내부에서 상기 기체를 지지하는 시료대, 상기 기체가 지지되는 시료대의 배면측 반응기 벽면에 설치되며, 상기 시료대를 상기 반응기에 대해 지지 및 절연하는 동시에 그 내부가 상기 시료대에 공급하는 고전압 전원을 도입하는 통로로 작용하는 고전압 피드쓰루 및 상기 고전압 피드쓰루를 통해 상기 시료대에 상기 고전압 전원을 공급하는 전원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100757736B1
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：KR1020050116719
申请日：2005-12-02
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H05K3/46
Abstract: 본 발명은 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공 챔버 내부에 비활성기체를 투입하면서 전기적인 에너지를 가할 경우, 가속된 전자의 충돌에 의해 투입된 기체가 플라즈마 상태로 활성화되는 바, 플라즈마 이온주입 및 증착 공정(Plasma Immersion Ion Implantation and deposition:PI
3 D)을 통해 폴리이미드와 같은 고분자 필름 표면에 금속층인 동박을 증착하는 동시에, 펄스 전압을 인가하게 될 경우, 그 인가된 펄스 전압에 의해 가속화되는 플라즈마 속의 비활성기체 이온이 금속층 표면에 충돌하여 금속/고분자의 혼합층 두께를 증가시킴으로써, 상기 금속/고분자의 혼합층 간의 접착력을 증가시킬 수 있어 종래의 라미네이팅법에 비해 접착층이 제거되어 FCCL의 두께가 얇아지며, 크롬이나 니켈 등과 같은 중금속을 사용하지 않고도 상온 처리로 높은 접착력을 얻을 수 있는 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 FCCL 제조장치에 관한 것이다.
FCCL, 제조방법, 플라즈마 이온주입, 진공 증착법, 동박, 폴리이미드 필름, 비활성기체
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