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公开(公告)号：KR101309263B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020100015052
申请日：2010-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 제공된다. 유기 박막 트랜지스터의 형성방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 기판 상에 게이트 전극을 덮으며 그 상부에 리세스 영역를 가지는 게이트 절연막을 형성하는 것, 리세스 영역 내에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것, 그리고 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 리세스 영역 내에 유기 반도체층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 소오스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 유기 반도체층 및 상기 게이트 전극을 형성하는 것은 상기 소오스 전극이 상기 유기 반도체층과 접하는 일 측면은 상기 게이트 전극의 일 측면과 정렬되고, 상기 드레인 전극이 상기 유기 반도체층과 접하는 일 측면은 상기 게이트 전극의 타 측면에 정렬되는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101295888B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020100043570
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 본 발명은 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 장치에서는 전자채널층이 스웰링 공정 및 열처리 공정에 의해 형성되므로, 전자채널층 안에 전도성 나노 입자의 분포가 균일하게 형성된다. 이로써 신뢰성이 향상된 저항형 메모리 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이 방법에서는 프린팅 공정, 스웰링 공정 및 열처리 공정으로 전자채널층을 형성하므로, 제조 시간을 단축시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110124022A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100043570
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608 , B82Y10/00
Abstract: PURPOSE: A resistive memory device and a manufacturing method thereof are provided to uniformly form the distribution of a conductivity nano particle by forming an electron channel layer by a swelling process and a thermal process. CONSTITUTION: A first electrode(5) is formed in the top of a substrate. An electron channel layer(7a) is arranged on the first electrode. The electron channel layer comprises an organic thin-flim layer(7) and a conductivity nano particle(9a). A second electrode(11) is formed on the electron channel layer. The upper side of the electron channel layer is projected to the second electrode side in the bottom side of the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供电阻式存储器件及其制造方法，以通过膨胀工艺和热处理形成电子通道层来均匀地形成导电性纳米粒子的分布。 构成：第一电极（5）形成在衬底的顶部。 电子通道层（7a）布置在第一电极上。 电子通道层包括有机薄膜层（7）和导电性纳米颗粒（9a）。 第二电极（11）形成在电子通道层上。 电子通道层的上侧在第二电极的底侧突出到第二电极侧。
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公开(公告)号：KR1020110095530A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020100015052
申请日：2010-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/0005 , H01L51/0022 , H01L51/0516
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a forming method thereof are provided to improve an electric property by forming a source electrode, a drain electrode, and an organic semiconductor layer with a self-alignment method. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is formed on a substrate(100). A gate insulation layer(120) is formed on the substrate to cover the gate electrode. A recess region is formed on the upper side of the gate insulation layer. A source electrode(130S) and a drain electrode(130D) are formed in the recess region. An organic semiconductor layer(140) is formed between the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法，通过用自对准方法形成源电极，漏电极和有机半导体层来改善电性能。 构成：在基板（100）上形成栅电极（110）。 在基板上形成栅极绝缘层（120）以覆盖栅电极。 在栅极绝缘层的上侧形成凹部区域。 源极电极（130S）和漏电极（130D）形成在凹部区域中。 在源电极和漏电极之间形成有机半导体层（140）。
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