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公开(公告)号：KR100237187B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960064134
申请日：1996-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/287
Abstract: 본 발명은 띠 도파로서에서 광의 파수 벡터 분산과 전반사 특성을 이용한 편광 독립 가변 광 감쇄기에 관한 것으로, 열광학 계수가 큰 고분자 광 도파로에서, 직선 띠 도파로 및 이와 적절한 각도를 이루고 있는 도파로 상부의 열선으로 구성된 고분자 도파로형 편광 독립 가변 광 감쇄기(polarization independent light attenuator in polymer channel waveguide)에 관하여 기술된다.
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公开(公告)号：KR100194622B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950053638
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/08
Abstract: 본 발명은 다중모드 영역에서도 높은 소멸비로 동작할 수 있는 고분자 광 변조기/스위치의 구조에 관한 것으로, 전극에 의한 손실과 입력광과 도파로 사이의 결합효율을 조절하는 두가지 기구를 이용하여 입력단에서 여기된 고차 모드 성분을 기본 모드에 대해 손실을 최소로 하면서 도파로의 고차 모드 성분을 제거함으로써, 도파로가 다중 모드에서 동작하면서도 높은 소멸비를 가질 수 있으면 동일한 물질계에서도 클래딩층과 도파층의 두께 변화를 통하여 결합효율과 구동전압 사이의 trade-off가 가능하며, 단일 모드 영역에서 작동하는 소자보다 더 높은 결합효율과 FOM을 갖는 소자의 제작도 가능하게 되며, 또한 다중 모드 지역에서 동작하는 변조기/스위치는 클래딩층의 물질 선택에 많은 자유도를 주는 잇점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970058370A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950054536
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/00
Abstract: 본 발명은 전기장 발광 고분자를 이용한 칼라 디스플레이 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판 위에 광표백된 발광 고분자에 묻힌 패턴된 투명전극과, 투명전극 상면에 형성되는 발광 고분자A의 광표백된 영역(비발광 영역)과, 투명전극의 일정부분에 형성되는 발광 고분자 A의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 A의 광표백된 영역 상면에 형성되는 발광 고분자 B의 광표백 영역과, 발광 고분자 A의 광표백된 영역 상명의 일정 부분에 형성되는 발광 고분자 B의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 A의 광표백 안된 영역(발광영역) 상면에 고분자 A, B 사이에 패턴된 제1금속전극과, 발광 고분자 B의 광표백된 영역 상면에 형성되는 발광 고분자 C의 광표백된 영역과, 발광 고분자 B의 광표백된 영역의 일정 상면에 형성되는 발광고 자 C의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 B의 광표백된 안된 영역의 상면에 고분자 B, C 사이에 패턴된 제2금속전극과, 발광 고분자 C의 광표백 안된 영역의 상면에 패턴된 제3금속전극으로 형성된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970054466A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053644
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 고분자의 광표백 특성을 이용하여 양질의 다층 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
고분자 박막의 표면에 적절한 시간 동안 광표백을 하면 소자의 광학적 특성에는 영향을 주지 않고 박막의 표면만 화학적, 기계적 특성이 변하게 된다.
따라서, 다층 박막 형성시 나타나는 용매에 의한 깨어짐이나 녹음, 각 층들 사이의 기계적 인장강도의 차이에 의한 깨어짐 등을 방지하여 깨끗한 다층의 박막을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970048700A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053637
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/025
Abstract: 본 발명은 전기 광학 고분자의 광표백 특성을 이용하여 직류 바이어스 전장 없이도 변조기의 초기 출력상태가 정밀하게 조절될 수 있는 Mach-Zehnder 간섭계 형태의 고분자 전기 광학 변조기의 구조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 광학 변조기는 반도체기판(111)상에 하부 전극층(112),하부 클래드층(113),가이딩층(114).상기 가이딩 층(114)의 소정영역에 형성되는 도파로(116),후기 광표백층(115),초기 광표백층(117),상부 클래드층(118) 및 전극(119a,119b) 이 차례로 형성된 구조를 갖는 마치 젠더 간섭계형 고분자 전기 광학 변조기에 있어서,상기 도파로(116)의 입력단(116a)과 출력단(116d)과 사이에서 두개의 라인으로 분기되어 접속되어 있는 제1,2팔(116b,116c)의 상측에 각기 형성되는 제1,2 전극(119a,119b)이 각기 다른 폭을 갖는다.-
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公开(公告)号：KR1019960013798B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930006348
申请日：1993-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/24
Abstract: The switch is for switching by flowing an optic signal to various directions using thermo-optics effect. The switch comprises: a board(1); a waveguide(2) for transmitting the optic signal to the board(1); an upper buffer(3) for preventing the absorption of the outer light; a power source(8) and heat wires(9) having the currents varying by the widths and the incident angles of the unit heat wires.
Abstract translation: 该开关用于通过使用热光学效应将光信号流向各个方向进行切换。 开关包括：板（1）; 用于将光信号传输到板（1）的波导（2）; 用于防止吸收外部光的上部缓冲器（3）; 电源（8）和热线（9），其电流随着单位热丝的宽度和入射角度而变化。
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公开(公告)号：KR1019960024501A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033477
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 비선형 고분자 박막의 폴링시 나타나는 광학적 이방성과 전기광학 효과를 이용한 고분자 도파로형 일반 편광 변환기에 관한 것이다.
일반 편광 변환기는 TE/TM위상 이동기, TE-TM모드 변환기 그리고, TE/TM위상 이동기가 직렬로 연결되어 작동한다.
고부나 도파로에서 이러한 위상 변조기와 모드 변환기는 띠 도파로에 폴링 전장 방향을 수직(또는 수평) 및 평균 45。방향으로 형성시킴으로써 쉽게 얻어질 수 있다.
따라서 이러한 고분자 박막의 폴링 특성을 이용한 본 발명에 따른 일반 편광 변환기는 TE/TM위상 이동기들과 TE-TM모드 변환기를 하나의 기판 위에 집적하며, 위상정합이 필요없으므로 넓은 광신호 파장 대역폭이 가능하고 고속동작이 쉽게 이루어진다.-
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公开(公告)号：KR100170490B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950054536
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/00
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L27/3211 , Y10S428/917 , Y10T428/24917 , Y10T428/31678
Abstract: 본 발명은 전기장 발광 고분자를 이용한 칼라 디스플레이 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판 위에 광표백된 발광 고분자에 묻힌 패턴된 투명전극과, 투명전극 상면에 형성되는 발광 고분자 A의 광표백된 영역(비발광 영역)과, 투명전극의 일정부분에 형성되는 발광 고분자 A의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 A의 광표백된 영역 상면에 형성되는 발광 고분자 B의 광표백된 영역과, 발광 고분자 A의 광표백된 영역 상면의 일정 부분에 형성되는 발광 고분자 B의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 A의 광표백 안된 영역(발광영역) 상면에 고분자 A, B 사이에 패턴된 제1금속전극과, 발광 고분자 B의 광표백된 영역 상면에 형성되는 발광 고분자 C의 광표백된 영역과, 발광 고분자 B의 광표백된 영역의 일정 상면에 형성되는 발광 고분자 C의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 B의 광표백 안된 영역의 상면에 고분자 B, C 사이에 패턴된 제2 금속전극과, 발광 고분자 C의 광표백 안된 영역의 상면에 패턴된 제3금속전극으로 형성된 것을 특징으로 한다.
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