公开(公告)号：KR100137569B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940034155

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  김창일 ,  구진근

IPC: H01L21/36

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 절연막, 실리콘막, 금속막 등 반도체 소자 제조용 박막을 고압산화, 열처리 또는 화학기상증착법에 의해 제조하는 고압산화 및 저압화학기상증착용 다중공정 반도체 제조장치에 관한 것으로 종래의 대기압 산화 및 고압 배치식 산화에서 나타나는 공정 및 박막 특성상의 제반 문제를 해결하고 또 장치의 복합공정화를 지향하여 원활한 작업이 이루어질 수 있도록 하기 위하여 LCD 및 Si 반도체 소자 제조공정중 저온 절연막, 실리콘막, 금속막 등의 박막을 고압 산화, 열처리, 가압 화학기상증착의 방법으로 연속적 또는 독립적인 공정으로 제조하는 매엽식(single wafer) 다중공정용(multi-process) 반도체 제조장치로서 반응로 몸체부와 몸체 상부에 힌지 및 기계기구로 결합되어 기밀을 유지하는 반� �로 윗덮개부와 몸체 하부에 결합되며 히터 전력공급선 열전대선이 도통하는 반응로 아래 덮개부와, 전도형의 저항가열히터, 석영제 히터 지지부, 공정가스의 예열 히터부, 공정가스 배기부, 윗덮개 개폐 및 클램핑용 기계기구부의 크게 8부분의 모듈로 이루어짐을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019960026481A

公开(公告)日：1995-07-22

申请号：KR1019940034155

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  김창일 ,  구진근

IPC: H01L21/36