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公开(公告)号：KR1019970054999A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053685
申请日：1995-12-21
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판 상에 제1도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않거나 불순물이 도핑된 활성층과 제2도저형의 제2클래드층을 순차적으로 형성하는 1차 결정성장공정과; 상기 제2클래드층 상부의 소정 부분에 절연층을 길게 형성하는 공정과, 상기 절연층을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2클래드층, 활성층, 제1클래드층 및 반도체 기판을 이방성으로 식각하여 메사를 형성하는 1차 식각공정과; 상기 메사의 측면을 등방성으로 식각하는 2차 식각공정과; 상기 2차 식각된 단면 프로파일의 표면에 반절연성의 전류차단층을 형성하는 2차 결정성장공정과; 상기 절연층을 제거하고 상기 제2클래드층 및 전류차단층의 상부에 제2도전형의 제3클래드층과 제2도전형의 오믹접촉층을 순차적으로 형성하는 3차 결정성장 공정과; 상기 반도체 기판과 제3클래드층의 표면에 제1 및 제2전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 1차 식각된 메사를 등방성으로 2차 식각하여 폭을 절연층의 폭보다 좁게하므로 활성층의 폭도 좁아지게 되어 두개 이상의 다모드의 발진을 방지하여 단일 모드로 발진시키고, 또한, 전류전단층을 높은 비저항을 갖는 반절연성으로 형성하므로 누설 전류의 흐름을 방지하고 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960027101A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035489
申请日：1994-12-21
IPC: H01S5/227
Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자 구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚ 정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약 0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(11)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.-
公开(公告)号：KR100358177B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019990056616
申请日：1999-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: 본발명은파장다중(WDM ; wavelength division multiplexing) 광통신시스템에있어서파장다중/역다중(multiplexing/demultiplexing) 기능을갖는핵심소자중의하나인반사형 (reflective) 다중기/역다중기및 그제조방법에관한것이다. 본발명은격자도파로형성방법을절단이아닌포토리소그라피 (photolithography) 방법을이용함으로써절단에의한종래방법보다수율을훨씬좋게할 수있을뿐만아니라, 격자도파로끝단에증착방법을이용하여고반사박막을부착하므로정확하게위치를선정하여야하는브래그반사경또는회절격자모양의반사경을사용하는종래방법에비해서수율및 특성을크게향상시킬수 있는효과를갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970054555A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047054
申请日：1995-12-06
IPC: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드에 관한 것으로, 활성층영역이 주위보다 높은 전하량을 갖도록 형성하되 전기장(전계)을 보다 상세하게 조절하여 소자의 동작특성이 안정화되도록한 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 애벌랜치 포토다이오드 활성층에 해당하는 물질층을 그 사이에 n-InP 전하층(25), 도핑하지 않은 InP 층(26) 및 n-InP 전하층(27)을 차례로 적층된 구조로 형성하여 불순물층을 n-InP 전하층(25)과 n-InP 전하층(27)으로 2층으로 형성함으로써 활성층의 전하량을 높이는 동시에 조절을 용이하게 하여 소자의 동작특성이 개선된다.-
公开(公告)号：KR1020010055412A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990056616
申请日：1999-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: PURPOSE: A device of reflective multiplexing/demultiplexing and a manufacturing method thereof are provided to increase the yield by using photolithography while forming grid waveguide and by forming high reflective coating layer on the end of the waveguide through evaporation or lift-off methods. CONSTITUTION: In the method of manufacturing the device of reflective multiplexing/demultiplexing, in order to form a high reflective coating layer on the end of the waveguide, a lift-off method is employed. Here, a photosensitive film pattern is first formed to expose part of the waveguide for the formation of the high reflective coating layer. In the draw, the part referred to by the arrows is the part covered by the photosensitive film pattern and the part referred to by (66) is part of sample. That is, the free space region(64), the input waveguide(61), the output waveguide(62), and the grid waveguide(65-1,...,65-M) except for the end part are covered by the photosensitive coating layer. Then an electronic beam evaporator evaporates the front side of the device with the high reflective coating layer. And in order to eliminate unnecessary part for high reflective coating, a lift-off method is employed using acetone.
Abstract translation: 目的：提供反射复用/解复用的装置及其制造方法，以通过使用光刻法同时形成网格波导并通过蒸发或剥离方法在波导的端部形成高反射涂层来提高产量。 构成：在反射多路复用/解复用装置的制造方法中，为了在波导端部形成高反射涂层，采用剥离法。 这里，首先形成感光膜图案，以使波导的一部分暴露以形成高反射涂层。 在图中，箭头所指的部分是由感光膜图案覆盖的部分，（66）所指的部分是样品的一部分。 也就是说，除了端部之外的自由空间区域（64），输入波导（61），输出波导（62）和网格波导（65-1，...，65-M）被覆盖 光敏涂层。 然后电子束蒸发器用高反射涂层蒸发装置的前侧。 为了消除高反射涂层的不必要的部分，使用丙酮使用剥离法。
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公开(公告)号：KR1019980047764A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066278
申请日：1996-12-16
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 1.3㎛ 파장대 광통신의 광원으로 사용되는 반도체 레이저의 신호 세기를 증가시켜 전송거리를 증대시킬 수 있도록 구성된, 광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 반도체 레이저 다이오드는, 분산 궤환형 반도체 레이저 다이오드와, 상기한 반도체 레이저 다이오드의 광신호를 증폭하기 위한 광 증폭기와, 상기한 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기를 전기적으로 절연시키기 위한 절연 도파로를, 동일한 하나의 반도체 웨이퍼 기판 상에 집적시켜 구성된 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른, 광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드의 제조방법은, InP 기판 상에 분산 궤환을 일으키기 위한 회절격자 형성용의 InGaAs 또는 InGaAsP의 반도체층과 이를 보호하는 InP 캡층을 성장하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판 상에 감광막 격자를 형성하는 단계와, 상기 단계에서 형성된 감광막 격자를 식각 마스크로 사용하여 습식 식각 또는 건식 식각을 수행하여, 분산 궤환을 위한 InGaAs 또는 InGaAsP의 회절격자를 형성하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판의 감광막을 제거하고, 레이저 다이오드가 형성될 영역을 제외한 영역인 광 증폭기와 절연 도파로가 형성될 영역 위의 회절격자를 제거하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판 상에 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기의 활성층을 성장하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판 내부에 상기한 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기를 전기적으로 절연시키기 위한 절연 도파로를 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100161064B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019940035489
申请日：1994-12-21
IPC: H01S5/227
Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로 부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(10)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP 클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.-
公开(公告)号：KR100164094B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950047054
申请日：1995-12-06
IPC: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드에 관한 것으로, 활성층영역이 주위보다 높은 전하량을 갖도록 형성하되 전기장(전계)을 보다 상세하게 조절하여 소자의 동작특성이 안정화되도록한 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 애벌랜치 포토다이오드 활성층에 해당하는 물질층을 그 사이에 n-InP 전하층(25), 도핑하지 않은 InP 층(26) 및 n-InP 전하층(27)을 차례로 적층된 구조로 형성하여 불순물층을 n-InP 전하층(25)과 n-InP 전하층(27)으로 2층으로 형성함으로써 활성층의 전하량을 높이는 동시에 조절을 용이하게 하여 소자의 동작특성이 개선된다.
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