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公开(公告)号：KR100241326B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019950041335
申请日：1995-11-14
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조에 관한 것으로서, 종래 기술의 InGaAs 다중 양자우물 구조에서는 광출력 특성이 좋지 않았던 문제점을 해결하기 위해 (InAs)
m (GaAs)
m 단주기 초격자 박막구조를 활성층의 양자우물로 사용한 활성층을 제공함으로써 내부 스트레인이 종래의 방법에 비해 수 %로 매우 크며 초격자 박막의 구조적 특성으로부터 소자의 광학적 특성, 특히 고출력 특성이 향상될 수가 있는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019960027101A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035489
申请日：1994-12-21
IPC: H01S5/227
Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자 구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚ 정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약 0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(11)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.-
公开(公告)号：KR100358177B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019990056616
申请日：1999-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: 본발명은파장다중(WDM ; wavelength division multiplexing) 광통신시스템에있어서파장다중/역다중(multiplexing/demultiplexing) 기능을갖는핵심소자중의하나인반사형 (reflective) 다중기/역다중기및 그제조방법에관한것이다. 본발명은격자도파로형성방법을절단이아닌포토리소그라피 (photolithography) 방법을이용함으로써절단에의한종래방법보다수율을훨씬좋게할 수있을뿐만아니라, 격자도파로끝단에증착방법을이용하여고반사박막을부착하므로정확하게위치를선정하여야하는브래그반사경또는회절격자모양의반사경을사용하는종래방법에비해서수율및 특성을크게향상시킬수 있는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR100245394B1
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019970073701
申请日：1997-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B28/00
Abstract: 본 발명은 선택적 결정 성장법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로 특히, 선택적 결정 성장법으로 형성되는 반도체 층의 표면 형상 저하를 방지하는 방법에 관한 것이다.
우수한 특성의 반도체 소자를 제조하기 위해서는 양질의 반도체 층이 성장되어야 한다. 그러나 종래의 선택적 결정 성장법에서는 유전체 박막과 인접한 지역에서 위로 솟아 오른 형태의 돌출부가 형성되게 되고, 이러한 돌출부로인하여 표면 형상의 거칠음이 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되어, 반도체 소자가 제조될 지역의 반도체 층 특성을 저하시키게 된다.
본 발명에서는 유전체와 인접한 부분에서 발생되는 반도체 층의 돌출부로부터 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되는 반도체 층 표면의 거칠음을 차단함으로써 반도체 소자가 제조될 지역의 표면 형상을 깨끗하게 유지하여 양질의 반도체 층을 얻을 수 있는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100161064B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019940035489
申请日：1994-12-21
IPC: H01S5/227
Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로 부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(10)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP 클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970051978A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950048740
申请日：1995-12-12
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.-
公开(公告)号：KR1019960027103A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036366
申请日：1994-12-23
IPC: H01S5/12
Abstract: 레이저 다이오드는 n
+ -InP 기판(17) 위에 얇게 성장되는 반절연 InP 층(18)을 가지며, 기존의 광간섭을 이용한 방식에서와 같은 구조를 갖는다.
반절연 InP 층(18)이 n
+ -InP 층에 비해 상대적으로 높은 저항을 가짐으로 인해 전류의 흐름을 줄여 주는데, 본 발명에서는 이를 이용한다.
회절격자로서 반절연 InP와 n
+ -InP가 주기적으로 반복되므로, 회절격자로부터 100㎚ 정도 위에 형성되어 있는 활성층(21)에서도 빛을 발생시키기 위한 이득의 차가 주기적으로 유발되어서 활성층(21)의 이득이 회절격자를 통하여 결합(coupling)되는 효과를 가질 수 있다.-
公开(公告)号：KR100169834B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019950048740
申请日：1995-12-12
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.-
公开(公告)号：KR1019970054999A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053685
申请日：1995-12-21
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판 상에 제1도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않거나 불순물이 도핑된 활성층과 제2도저형의 제2클래드층을 순차적으로 형성하는 1차 결정성장공정과; 상기 제2클래드층 상부의 소정 부분에 절연층을 길게 형성하는 공정과, 상기 절연층을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2클래드층, 활성층, 제1클래드층 및 반도체 기판을 이방성으로 식각하여 메사를 형성하는 1차 식각공정과; 상기 메사의 측면을 등방성으로 식각하는 2차 식각공정과; 상기 2차 식각된 단면 프로파일의 표면에 반절연성의 전류차단층을 형성하는 2차 결정성장공정과; 상기 절연층을 제거하고 상기 제2클래드층 및 전류차단층의 상부에 제2도전형의 제3클래드층과 제2도전형의 오믹접촉층을 순차적으로 형성하는 3차 결정성장 공정과; 상기 반도체 기판과 제3클래드층의 표면에 제1 및 제2전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 1차 식각된 메사를 등방성으로 2차 식각하여 폭을 절연층의 폭보다 좁게하므로 활성층의 폭도 좁아지게 되어 두개 이상의 다모드의 발진을 방지하여 단일 모드로 발진시키고, 또한, 전류전단층을 높은 비저항을 갖는 반절연성으로 형성하므로 누설 전류의 흐름을 방지하고 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970032982A
公开(公告)日：1997-07-22
申请号：KR1019950049263
申请日：1995-12-13
IPC: B01D53/34
Abstract: 본 발명은 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 다량의 포스핀을 사용하는 유기금속기상에피택시 장치에서 배출되는 독성가스를 효과적으로 정화할 수 있는 동시에 진공펌프에서 발생되는 오일미스트에 의한 독성가스의 제독능력의 하락을 방지할 수 있는 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
본 발명의 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템은, 반응실을 진공으로 유지하기 위한 로타리 배인펌프(101)와, 전기한 로타리 배인펌프(101)의 후단에 형성되어 반응실로부터 배출된 PH
3 의 분해산물인 포스포러스를 흡착시켜 오일미스트 필터(103)의 막힘을 방지하며 오일미스트를 흡착시키기 위한 주 활성탄 스크러버(102)와, 전기한 주 활성탄 스크러버(102)의 후단에 형성되어 전기한 주 활성탄 스크러버(102)에서 흡착되지 못한 오일미스트를 흡착 및 응축시키기 위한 오일미스트 필터(103)와, 오일미스트 필터(103)의 후단에 형성되어 전기한 오일미스트 필터(103)에 응축된 펌프오일로부터 발생하는 독성가스를 제독하기 위한 보조 활성탄 스크러버(104)를 포함한다.
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