전계방출 장치
    2.
    发明公开
    전계방출 장치 审中-实审
    场发射装置

    公开(公告)号:KR1020160061247A

    公开(公告)日:2016-05-31

    申请号:KR1020150129016

    申请日:2015-09-11

    Abstract: 전계방출장치는캐소드전극; 상기캐소드전극상에형성된적어도하나의에미터; 상기캐소드전극의상부에위치된아노드전극; 및상기캐소드전극과상기아노드전극사이에위치되고, 적어도하나의개구부를포함하는게이트전극및 상기게이트전극상에형성된원자층시트를포함하는게이트구조체를포함한다.

    Abstract translation: 场致发射器件包括:阴极电极; 至少一个发射体形成在阴极上; 阳极,设置在阴极的上部; 以及设置在所述阴极电极和所述阳极电极之间的栅极结构,其中所述栅极结构包括其中形成有至少一个孔的栅电极和形成在所述栅电极上的原子层片。 根据本发明的实施例,场发射器件可以有效地控制发射的电子束的尺寸和会聚,同时提供高电子透射率和高栅极场效应。

    전계 방출 소자 및 이를 구비하는 엑스선 방출원
    3.
    发明公开
    전계 방출 소자 및 이를 구비하는 엑스선 방출원 审中-实审
    场发射器件和具有相同的X射线发射源

    公开(公告)号:KR1020170089387A

    公开(公告)日:2017-08-03

    申请号:KR1020160089329

    申请日:2016-07-14

    Abstract: 전계방출소자는캐소드전극; 상기캐소드전극과전기적으로연결되고, 전자빔을방출하는적어도하나의에미터; 상기캐소드전극및 상기에미터와이격되어배치되고, 상기전자빔을가속시키는애노드전극; 상기캐소드전극및 상기애노드전극사이에배치되고, 상기전자빔을통과시키는적어도하나의게이트홀을구비하는게이트전극; 및상기게이트전극의상기캐소드전극에마주하는면에부착되고, 상기게이트홀을커버하는전자투과성도전체를포함할수 있다. 여기서, 상기전자투과성도전체는도전성물질을포함하여상기캐소드전극및 상기게이트전극사이에형성되는전계의등전위선들의변형을방지하고, 상기에미터에서방출된전자를투과시킬수 있다.

    Abstract translation: 场致发射装置包括阴极电极; 至少一个发射极,电连接到阴极并发射电子束; 阳极电极与阴极电极和发射极间隔开,阳极电极加速电子束; 设置在阴极和阳极之间并具有至少一个用于使电子束穿过的栅孔的栅电极; 以及附着到栅电极的面向阴电极并覆盖栅孔的表面的电子透射导体。 这里,电子透射导体可以包括导电材料,以防止形成在阴极电极和栅电极之间的电场的等势线的变形,并且传输从发射器发射的电子。

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