후기 광표백법을 이용한 폴리머 광도파로 소자 제조방법

    公开(公告)号:KR1019960019847A

    公开(公告)日:1996-06-17

    申请号:KR1019940030102

    申请日:1994-11-16

    Abstract: 본 발명은 폴리머 광도파로 소자의 출력특성을 최적화시키는 방법으로서 후기 광표백법에 관한 것이다.
    후기 광표백법이란 폴리머 광도파로 소자를 제조한 뒤 소자의 출력특성을 측정하면서 자외선을 소자의 전면에 조사하여 광도파로의 유효 굴절율을 미세하고 정확하게 변화시킬 수 있으며, 이를 이용하여 소자의 출력특성이 최적화 되도록 만드는 방법을 말한다.
    이러한 후기 광표백법은 매우 짧은 길이의 이중 모드 간섭형 소자나 방향성 결합기형 광 스위치의 동작특성을 최적화시키는 방법으로 사용될 수도 있을 것이다.

    자기정렬전극구조를갖는리튬나이오베이트(LINBO3)방향성결합광스위치제작방법

    公开(公告)号:KR1019950019796A

    公开(公告)日:1995-07-24

    申请号:KR1019930029087

    申请日:1993-12-22

    Abstract: 본 발명은 자기정렬 전극을 이용하여 리튬나이오베이트 방향성 결합 광스위치 제작방법에 관한 것이다.
    본 발명은 크롬금속마스크를 리튬나이오베이트 기판위에 형성하여 양자교환하고, 유리캡층을 광도파로 위에만 증착하고, 산소분위기에서 양자확산을 수행하고 양자확산 수행시간을 조절하여 도파모드분포를 변화시켜 결합길이를 천이길이와 일치시켜 크로스상태를 얻어서 광스위치를 제작한다. 상기한 제작공정에 의한 본 발명은 양자교환된 광도파로를 갖는 간단한 구조의 균일델타베타 광스위치를 이용하였으므로 어닐링 공정을 이용하여 쉽게 초기 크로스 상태를 얻을 수 있고 크롬금속마스크를 자기정렬 전극으로 이용하였으므로 구동전압을 낮춰 제품생산의 재생산성을 높일 수 있다.

    후기 광표백법을 이용한 폴리머 광도파로 소자 제조방법
    3.
    发明授权
    후기 광표백법을 이용한 폴리머 광도파로 소자 제조방법 失效
    聚合物光波导器件采用后期光照谱法制作方法

    公开(公告)号:KR100162754B1

    公开(公告)日:1999-04-15

    申请号:KR1019940030102

    申请日:1994-11-16

    Abstract: 본 발명은 후기 광 표백법을 이용한 광 도파로 소자 제조방법에 관한 것으로서, 이 때, 상기 후기 광표백법이란 폴리머 광 도파로 소자를 제조한 뒤 소자의 출력특성을 측정하면서 자외선을 소자의 전면에 조사하여 광도파로의 유효 굴절률을 미세하고 정확하게 변화시킬 수 있으며, 이를 이용하여 소자의 출력특성이 최적화 되도록 만드는 방법을 말한다. 이러한 후기 광표백법을 이용하여 광도파로 소자를 제조하면, 매우 짧은 길이의 이중 모드 간섭형 소자나 방향성 결합기형 광 스위치의 동작특성을 최적화시킬 수 있다는 장점이 있다.

    자기정렬전극구조를갖는리튬나이오베이트(LINBO3)방향성결합광스위치제작방법
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:KR1019970004020B1

    公开(公告)日:1997-03-24

    申请号:KR1019930029087

    申请日:1993-12-22

    Abstract: Photoswitch manufacturing method of the uniform delta-beta LiNbO3 aromatic coupling using the electromagnetic arrangement electrode structure without the detail arrangement tasks. The said method comprising the steps of: generating the chromium metal mask on the lithiummaiobate substitute, exchanging the proton, depositing the glass cap layer in the only waveguide, performing the proton diffusion in the oxygen environment, changing the waveguide mode distribution according to adjusting the performing time of the proton diffusion.

    Abstract translation: Photoswitch制造方法采用均匀的Δ-β型LiNbO3芳族耦合,采用电磁排列电极结构,无需详细布置任务。 所述方法包括以下步骤:在锂阳离子替代物上生成铬金属掩模,交换质子,在唯一波导中沉积玻璃盖层,在氧环境中进行质子扩散,根据调节方式改变波导模式分布 执行质子扩散的时间。

Patent Agency Ranking