公开(公告)号：KR100148036B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019940036377

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박성호 ,  양정욱

IPC: H01L21/328

Abstract: 본 발명에서는 화합물 반도체를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조시에 베이스-컬렉터 용량을 줄임으로써 최대 공진주파수를 향상시키기 위해 기존에 사용되던 이온주입시의 문제를 완화시킬 목적으로 에미터 영역 주위를 폴리이미드를 비롯한 이중의 측벽막에 의해 보호함으로써 베이스 오믹접촉 특성과 누설전류 발생을 개선시키며, 아울러 고속특성의 향상을 위해 에미터와 베이스의 자기정렬이 가능하도록 고안하였다.

公开(公告)号：KR1019960026421A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036377

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박성호 ,  양정욱

IPC: H01L21/328

Abstract: 본 발명에서는 화합물 반도체를 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조시에 베이스-컬렉터 용량을 줄임으로써 최대 공진주파수를 향상시키기 위해 기존에 사용되던 이오주입시의 문제를 완화시킬 목적으로 에미터 영역 주위를 폴리이미드를 비롯한 이중의 측벽막에 의해 보호함으로써 베이스 오믹접촉 특성과 누설전류 발생을 개신시키며, 아울러 고속특성의 향상을 위해 에미터와 베이스의 자기정렬이 가능하도록 고안하였다.

公开(公告)号：KR100162757B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940036028

申请日：1994-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양정욱 ,  오응기 ,  윤형섭 ,  박철순

IPC: H01L29/40

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 특히 안정화된 공중교각(airbridge) 금속을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 공중교각(airbridge) 금속의 형성방법에 의하면, 기저금속이 화학적인 방법에 의해 증착된 분리절연막과 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 접촉된 기저금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면 방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 간락 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선간의 간격을 줄일 수 있다.
또한, 공정을 안정화 시킴과 아울러 단순화 시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960026924A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036028

申请日：1994-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양정욱 ,  오응기 ,  윤형섭 ,  박철순

IPC: H01L29/40

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 특히 안정화된 공중교각(airbridge) 금속을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 공중교각(airbridge)금속의 형성방법에 의하면, 기저금속이 화학적인 방법에 의해 증착된 분리절연가과 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 접촉된 기저금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 단락의 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선 간의 간격을 줄일 수 있다.
또한, 공정을 안정화시킴과 아울러 단순화시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.